YS/T 840-2012 再生硅料分类和技术条件
YS/T 840-2012 Classification and technical specification for renewable crystal silicon
基本信息
本标准适用于从生产、加工、使用过程中产生的可回收利用的硅料,来源包括用于生产太阳能级硅晶体的除过碳的碳极多晶硅(碳头料)、晶体硅头尾料、边皮料、埚底料、晶体硅样块、原生型废硅片等。
发布历史
-
2012年11月
-
2025年04月
研制信息
- 起草单位:
- 西安隆基硅材料股份有限公司
- 起草人:
- 李振国、钟宝申、赵可武、张群社
- 出版信息:
- 页数:8页 | 字数:8 千字 | 开本: 大16开
内容描述
ICS77.150.99
H68
中华人民共和国有色金属行业标准
/—
YST8402012
再生硅料分类和技术条件
Classificationandtechnicalsecificationforrenewablecrstalsilicon
py
ㅤㅤㅤㅤ
2012-11-07发布2013-03-01实施
中华人民共和国工业和信息化部发布
/—
YST8402012
再生硅料分类和技术条件
1范围
、、、、、、
本标准规定了再生硅料的技术条件及分类测试方法检验规则以及包装标志运输贮存订货
单等。
、、,
本标准适用于从生产加工使用过程中产生的可回收利用的硅料来源包括用于生产太阳能级硅
()、、、、、。
晶体的除过碳的碳极多晶硅碳头料晶体硅头尾料边皮料埚底料晶体硅样块原生型废硅片等
2规范性引用文件
。,
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,()。
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
/非本征半导体材料导电类型测试方法
GBT1550
/硅单晶电阻率测定方法
GBT1551
/硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GBT1558
/半导体材料术语
GBT14264
/硅单晶中族杂质的光致发光测试方法
GBT24574Ⅲ-Ⅴ
/酸浸取原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
GBT24579
ㅤㅤㅤㅤ
/低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中、族杂质含量的测试方法
GBT24581ⅢⅤ
/酸浸取电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
GBT24582-
SEMIPV1用高分辨率辉光放电光谱测定法测定太阳能级硅中的痕量元素
3术语和定义
/界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
GBT14264
3.1
()
碳极多晶硅碳头料carbonendsolsilicon
py
,,。
在多晶硅生产过程中包围在型多晶硅棒的碳极周围沾连有石墨的不规则形状多晶硅料
U
3.2
单晶硅头尾料monocrstallinetoandtail
yp
。。
在拉制单晶硅棒过程中形成的头尾圆锥体也包括拉制单晶失败产生的多晶硅棒和位错单晶
3.3
埚底料otscra
pp
定制服务
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