GB/T 48345-2026 用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片

ICS29.045

CCSH83

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GB/T48345—2026

用于HEMT功率器件的硅衬底氮化

镓外延片

GaNonSiepitaxialwafersforHEMTpowerdevices

2026-09-28发布2027-04-01实施



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GB/T48345—2026

目次

前言……………………………Ⅲ

引言……………………………Ⅳ

1范围…………………………1

2规范性引用文件……………1

3术语和定义…………………1

4分类…………………………1

5技术要求……………………1

6试验方法……………………4

7检验规则……………………5

8标志、包装、运输、贮存和随行文件………………………6

9订货单内容…………………7

附录A（规范性）缓冲层（Buffer）垂直漏电流检测方法……………………8

Ⅰ

GB/T48345—2026

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件采信第三代半导体产业技术创新战略联盟发布的T/CASAS060—2025《用于HEMT功率

器件的硅衬底氮化镓外延片》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）及全国半导体设备和材料标准

化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。

本文件起草单位：苏州晶湛半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、华润微电子

（重庆）有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、珠海镓未来科技有限公司、广东工业大学、大连理工大学、

中山大学、北京中博芯半导体科技有限公司、中国科学院微电子研究所、工业和信息化部电子第五研究所、

北京大学东莞光电研究院、南京盛鑫半导体材料有限公司、重庆平创半导体研究院有限责任公司、江苏能

华微电子科技发展有限公司。

本文件主要起草人：向鹏、程凯、杨露、高伟、郑晨焱、叶念慈、张铭宏、贺致远、黄火林、刘扬、陈正昊、

康玄武、施宜军、刘强、宋占洋、陈显平、夏远洋。

Ⅲ

GB/T48345—2026

引言

氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）功率器件具有高工作频率、低损耗和耐高温等优点，能够有效

提高功率电子系统的效率和功率密度，在电力电子器件领域具有广泛的应用前景，如消费电子、数据中

心、电机驱动和航空航天等领域。硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）功率器件结合了氮化镓

功率器件高性能和硅衬底大尺寸的优势，且与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容，成为目前氮化

镓高电子迁移率晶体管（HEMT）功率器件主流路线，实现了规模化商业量产。硅衬底氮化镓外延材料

的性能，如翘曲度、二维电子气密度、缓冲层漏电等参数直接决定了HMET的器件性能和可靠性，是制

备氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）功率器件的关键基础。由于受到异质外延晶格失配、热失配影

响，外延材料性能的精确控制存在一定挑战。本文件旨在规范用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外

延片的关键参数要求、试验方法、检验规则、包装、运输、贮存等方面的内容，为后续生产氮化镓功率器件

提供良好基础。

本文件采信第三代半导体产业技术创新战略联盟发布的T/CASAS060—2025《用于HEMT功率

器件的硅衬底氮化镓外延片》，与已经发布的团体标准T/CASAS060—2025《用于HEMT功率器件的

硅衬底氮化镓外延片》相比，产品的衬底材料、外延层厚度不均匀性、几何参数等技术要求有修改，对应的

试验方法也进行了修改。

Ⅳ

GB/T48345—2026

用于HEMT功率器件的硅衬底氮化

镓外延片

1范围

本文件规定了用于高电子迁移率晶体管（HEMT）功率器件的硅衬底氮化镓外延片（以下简称“氮化

镓外延片”）的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。

本文件适用于在硅衬底上生长的用于功率电子领域高电子迁移率晶体管的氮化镓外延片。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文

件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划

GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T14146硅外延层载流子浓度的测试电容⁃电压法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T30653Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法

GB/T32189氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法

GB/T32280硅片翘曲度和弯曲度的测试自动非接触扫描法

GB/T40279硅片表面薄膜厚度的测试光学反射法

GB/T43313碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试共焦点微分干涉法

GB/T43885碳化硅外延片

YS/T28硅片包装和标志

3术语和定义

GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

4分类

4.1氮化镓外延片按直径分为150mm和200mm两种类型。

4.2氮化镓外延片按应用场景分为耗尽型和增强型两种类型。

5技术要求

5.1总则

氮化镓外延片合格质量区的边缘去除宽度为3mm。

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