适用范围：本标准规定了氢化炉用碳/碳复合材料U形发热体的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于多晶硅生产领域氢化炉用碳/碳复合材料U形发热体。

适用范围：本标准定义了标记包括字母数字的几何尺寸和空间位置尤其适用于带参考面和带缺口的硅抛光片。 本标准不涉及制作标记的技术。

适用范围：本标准规定了直拉单晶炉用碳/碳复合材料导流筒的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于直拉单晶炉用碳/碳复合材料导流筒。

适用范围：本标准规定了高纯三氧化二镓的要求、检验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容等。 本标准适用于以高纯镓为原料经氧化和粉末工艺制得的纯度为99.999 5%和99.999 9%的高纯三氧化二镓。产品供制备白光LED用的荧光粉、三钆石榴石(GGG晶体)和其他材料。

适用范围：本标准规定了直拉单晶炉用碳/碳复合材料保温筒的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于直拉单晶炉用碳/碳复合材料保温筒也适用于其他高温真空炉/保护气氛炉用碳/碳复合材料保温筒。

适用范围：本标准规定了羧乙基锗倍半氧化物的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同)等内容。 本标准适用于以高纯二氧化锗或以高纯四氯化锗为原料制备的羧乙基锗倍半氧化物（Ge-132)。

适用范围：本标准规定了硅抛光回收片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于用户提供的或来源于第三方的硅回收片(主要包括100 mm、125 mm、150 mm和200 mm单面或双面抛光硅片、未抛光硅片或外延硅片)经单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于机械、炉处理、颗粒和光刻中的监控片。另外使用方需注意硅回收片的热历史、体沾污和表面沉积物情况。

适用范围：本标准规定了太阳能电池用锗衬底片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于垂直梯度凝固法（VGF）和直拉法（CZ）制备的太阳能电池用锗衬底片（以下简称锗衬底片）。

适用范围：本标准规定了蓝宝石单晶衬底抛光片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于单面抛光蓝宝石衬底片(以下简称蓝宝石衬底片)。

适用范围：本标准规定了LED发光用氮化镓基外延片（以下简称外延片）的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于LED发光用氮化镓基外延片。

适用范围：本标准规定了LED外延芯片用磷化镓单晶衬底片（以下简称衬底）的要求、检验方法以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于LED外延芯片的磷化镓单晶衬底。

适用范围：本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化（TTV）的测试方法，包括接触式和非接触式两种方式。 本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm～1 mm的碳化硅单晶片。

适用范围：本标准规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底片（以下简称衬底）的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于LED外延芯片用的砷化镓单晶衬底。

适用范围：本标准规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法。 本标准适用于碳化硅单晶片直径的测量。

适用范围：本标准规定了利用熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶微管密度的方法。 本标准适用于碳化硅单晶微管密度的测定。

适用范围：本标准规定了塑胶用永磁铁氧体粘结粉的牌号表示方法、订货内容、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及质量证明书。 本标准适用于制造塑胶用永磁铁氧体粘结粉(以下简称“磁粉”)。

适用范围：本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。 本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值（见附录A）相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。

适用范围：本标准给出了硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料的各种原生缺陷及其密切相关诱生缺陷的术语及其形貌特征图谱。分析了其产生的原因和消除方法。 本标准适用于硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料生产研究中各种缺陷的检验。硅器件、集成电路的生产研究也可参考本标准。

适用范围：本标准规定了用二次离子质谱仪（SIMS）测定光伏电池用硅材料中磷、砷和锑含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中施主杂质磷、砷和锑含量的定量分析，其中磷、砷和锑的浓度均大于1×1014atoms/cm3。

适用范围：本标准规定了用二次离子质谱仪（SIMS）测定光伏电池用硅材料中硼和铝含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中受主杂质硼和铝含量的定量分析，其中硼和铝的浓度均大于1×1013atoms/cm3。其他受主杂质的测量也可参照本标准。