适用范围：本文件规定了以半导体探测器、前置放大器和信号处理系统为基本构成的X射线能谱仪最重要的特性参数。 本文件仅适用于使用基于固态电离原理的半导体探测器能谱仪。 本文件规定了与扫描电子显微镜(SEM)或电子探针显微分析仪(EPMA)联用的此类能谱仪性能参数的最低要求及核查方法。用于能谱分析的程序,已由ISO 22309[2]和ASTM E1508[3]规范,不在本文件范围之内。

适用范围：本文件描述了配备电子能量损失谱仪(简称“能损谱仪”,EELS)的透射电子显微镜(TEM)或扫描透射电子显微镜(STEM)中电子能量损失谱(简称“能损谱”)能量分辨率的测定程序。 本文件适用于内置型和后置型的EELS,包括采用并行检测系统和串行检测系统的谱仪。

适用范围：本文件描述了应用透射电子显微镜/扫描透射电子显微镜（TEM/STEM)技术测定金属材料中纳米级第二相颗粒数密度的方法。 本文件适用于测定金属材料中弥散分布、粒径在几纳米至几十纳米范围的第二相颗粒的数密度。被测颗粒的平均尺寸宜在透射电镜试样厚度的约1/3以下，且试样中的颗粒在透射电镜图像上没有互相重叠或很少重叠。颗粒尺寸不在这个范围的试样可参照执行，其他晶体材料可参照执行。 本方法不适于测定聚集成团的第二相颗粒的数密度。 注1:可测定的最小颗粒尺寸取决于所用TEM/STEM设备的分辨率和采用的实验技术。 注2:待测定的第二相颗粒尺寸通常在5 nm~40 nm范围。 注3:TEM图像上若出现第二相颗粒重叠的情况，将增大颗粒计数的不确定度。

适用范围：本文件规定了用透射电子显微镜/扫描透射电子显微镜(TEM/STEM)测定集成电路芯片中功能薄膜层厚度的方法。本文件适用于测定几个纳米以上厚度的集成电路芯片中功能薄膜层。

适用范围：本文件描述了用透射电子显微术测定线状晶体表观生长方向的方法。 本文件适用于通过各种方法制备的所有种类的线状晶体材料，也适用于测定在钢、合金和其他材料中析出的类似于棒状或多边形第二相颗粒的一个轴的方向。受透射电子显微镜（TEM)的加速电压和样品自身等条件的制约，本文件适用于直径（或厚度或宽度)为几十纳米到一百纳米左右的晶体材料。本文件不适用于测定折叠、扭曲、旋转状态的线状晶体。 注： 在本文件中，线状晶体、带状晶体、针状第二相颗粒等均属于广义上的线状晶体。

适用范围：本文件规定了用层状材料截面像所记录的两种不同材料之间平均界面位置的测定方法。本文件适用于透射电子显微镜（TEM）或扫描透射电子显微镜（STEM）所记录的层状材料截面像和X射线能谱仪（EDS）或者电子能量损失谱仪（EELS）所记录的截面元素面分布图。也适用于由数码相机、电脑存储器和成像板图像传感器所采集的数字像以及胶片记录的模拟像经扫描仪转换的数字像。本文件不适用于测定多层模拟法（MSS）获得的界面位置。

适用范围：本文件描述了利用透射电子显微镜图像处理和分析技术进行纳米颗粒在多相体系中分散的粒径测量方法。本文件适用于固相多相体系中纳米颗粒的粒径测量和粒径分布。本文件也适用于在样品制备满足透射电子显微镜观察要求时的胶体和生物组织中纳米颗粒粒径测量。

适用范围：本文件规定了电子探针测量硫化物矿物成分的仪器设备、试样制备、标样、分析测试条件的选择、谱线重叠修正、分析步骤、结果处理和检测报告。本文件适用于在电子束轰击下稳定的硫化物矿物以及砷化物、锑化物、铋化物、碲化物、硒化物等矿物的电子探针定量分析。本文件适用于以电子探针进行的定量分析，也适用于安装了波谱仪的扫描电子显微镜进行的定量分析。

适用范围：本标准规定了用电子探针测定碳钢和低合金钢（铁质量分数大于95%）中硅、锰含量的校准曲线法。本标准适用于电子探针波谱仪，不适用于能谱仪。带波谱仪的扫描电镜可以参照使用。

适用范围：本标准规定了采用电子显微镜高角环形暗场成像技术对贵金属纳米颗粒成像的方法。本标准适用于单一贵金属纳米颗粒和复合材料中贵金属纳米颗粒的成像。

适用范围：本标准规定了利用SEM和EDX分析单壁碳纳米管粗产品及纯化后粉末或薄膜产品的形态、元素组成、催化剂和其他无机杂质的测试方法。 本标准适用于单壁碳纳米管的特性分析，亦可用于多壁碳纳米管（multiwall carbon nanotubes，简称MWCNTs）的特性分析。

适用范围：本标准规定了航天器发射平台基准信息的测量中使用的方位垂直传递装置的通用技术要求、检验规则、交货准备要求以及主要性能检验方法。 本标准适用于航天器发射平台基准信息的测量中使用的方位垂直传递装置的设计、生产、试验和验收。

适用范围：本标准规定了飞行器靶场跟踪测试试验中使用的光电跟踪测量设备的通用技术要求、检验规则、交货准备要求以及主要性能试验方法。 本标准适用于飞行器靶场跟踪测试试验中使用的光电跟踪测量设备的设计、生产、试验和验收。 注： 在本标准中不发生歧义的情况下光电跟踪测量设备简写为设备。

适用范围：本标准规定了单壁碳纳米管的透射电子显微术表征形貌的方法，及识别单壁碳纳米管样品中其他材料元素组成的能谱法。 本标准适用于检测单壁碳纳米管的基本结构，包括形貌、缺陷、直径分布、管束大小和取向、结晶情况，以及元素组分和手性分析等。

适用范围：本标准规定了以电子束为激发源的俄歇电子能谱（AES，Auger Electron Spectroscopy）的一般表面分析方法。 本标准适用于俄歇电子能谱仪。

适用范围：本标准定义了扫描电子显微术（SEM）实践中使用的术语。包括一般术语和按技术分类的具体概念的术语，也包括已经在ISO 23833中定义的术语。 本标准适用于所有有关SEM实践的标准化文件。另外，本标准的某些术语定义，也适用于相关领域的文件〔例如：电子探针显微分析（EPMA）、分析电子显微术（AEM）、能谱法（EDX）等〕。

适用范围：本标准详细说明了永久和临时(例如维修时)用来围封激光加工机工作区域的激光防护屏以及专用激光防护屏的要求。 本标准适用于包括目视透明屏及视窗、平板、激光帘和壁在内的一个防护屏的全部组件。对光路组件、快门和不完全围封加工区的激光产品防护罩的要求包含在GB 7247.1中。

适用范围：本标准规定了用电子探针测定碳钢和低合金钢（其他合金元素质量分数小于2%）中碳含量的校正曲线法。本标准包含试样制备、X射线检测、校正曲线建立以及碳含量检测不确定度的评估。本标准适用于测定碳的质量分数小于1%的钢中碳含量，当含碳量高于1%时检测准确度会受到很大的影响，不适用于本标准。 本标准适用于垂直入射方式和波谱仪，不适用能谱仪。

适用范围：本标准规定了表征以半导体探测器、前置放大器和信号处理系统为基本构成的X射线能谱仪(EDS)特性最重要的量值。本标准仅适用于固态电离作用原理的半导体探测器EDS。本标准只规定了与电子探针(EPMA)或扫描电镜(SEM)联用的此类EDS的最低要求,至于如何实现分析则不在本标准的规定范围之内。

适用范围：本标准规定了用扫描电镜测量纳米级长度的基本原则。适用于测量10nm～500nm的点或线的间距。