适用范围：本文件规定了集成电路（IC）对标准传导电瞬态骚扰的抗扰度测量方法。与受试器件（DUT）运行不同步的骚扰通过耦合网络施加给IC引脚。不管电瞬态骚扰是否在IC规定的工作电压范围之内，本方法都能够得到传导电瞬态骚扰和其引起的IC性能降级之间的相互关系并对其进行分类。

适用范围：本文件描述了具有线性光电响应特性的线阵、面阵和时间延迟积分（TDI)CMOS图像传感器（以下简称器件）参数及其测试方法。本文件适用于具有线性光电响应特性的线阵、面阵和TDI器件参数测试。

适用范围：本文件描述了半导体集成电路交流到直流（AC/DC）变换器（以下简称器件）参数测试方法。本文件适用于半导体集成电路AC/DC变换器参数的测试。

适用范围：本文件规定了数字模拟（DA）转换器（以下简称DA转换器或DAC）的分类、技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造的DA转换器。

适用范围：本文件规定了直流/直流(DC/DC)变换器(以下简称DC/DC变换器)的技术要求、测试方法和检验规则等。 本文件适用于采用混合集成电路工艺设计、制造的直流/直流(DC/DC)变换器。

适用范围：本文件描述了具有直流/直流(DC/DC)变换功能的高压输入电源变换器模块主要电参数测试方法。本文件适用于各类电子设备中高压输入电源变换器模块(以下简称电源模块)的主要电参数测试，输入高压范围为500 V以下。其他具有DC/DC变换功能的器件可参考使用。

适用范围：本文件描述了微波电路类的电调衰减器主要电参数的测试方法。本文件适用于单片和混合集成的微波电调衰减器（以下简称衰减器)的相关电参数测试。

适用范围：本文件描述了硅基MEMS加工所涉及的微结构弯曲强度原位试验的要求和试验方法。本文件适用于采用微电子工艺制造的微结构弯曲强度测试。

适用范围：本文件规定了放大器的分类、技术要求、测试方法和检验规则等。 本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造放大器的设计、制造、采购和验收。

适用范围：本文件规定了模拟数字（AD）转换器（以下简称AD转换器或ADC）的分类、技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造的AD转换器。

适用范围：本文件描述了硅基MEMS加工过程中所涉及的纳米厚度膜轴向抗拉强度原位试验的要求和试验方法。本文件适用于采用微电子工艺制造的纳米厚度膜抗拉强度测试。

适用范围：本文件规定了半导体集成电路霍尔电路（以下称为器件）电特性测试方法。本文件适用于半导体集成电路霍尔电路电特性的测试。

适用范围：本文件界定了电子罗盘的术语和定义，规定了基本额定值和特性，描述了相应测试方法。本文件适用于由磁传感器和加速度传感器组成的电子罗盘，或单独由磁传感器组成的电子罗盘。本文件适用于移动电子设备用电子罗盘。 对于海洋电子罗盘的相关要求见ISO 11606。 本文件适用的电子罗盘种类包括两轴电子罗盘、三轴电子罗盘和六轴电子罗盘等。

适用范围：本文件描述了硅基MEMS制造技术中所涉及的纳尺度膜结构沿厚度方向冲击试验的要求和试验方法。本文件适用于采用微电子工艺制造的纳尺度结构在一次冲击负荷作用下的耐冲击性能的测试。

适用范围：本文件规定了半导体集成电路中直接数字频率合成器（以下简称“器件”）电特性的通用测试方法。本文件适用于单通道及多通道直接数字频率合成器电路的测试。

适用范围：本文件规定了片上系统（SoC）的技术要求、电测试方法和检验规则。 本文件适用于片上系统（SoC）的设计、制造、采购、验收。

适用范围：本文件规定了混频器的分类、技术要求、电特性测试方法和检验规则等。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造混频器的设计、制造、采购和验收。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了集成电路仿真波形数据的技术要求，包括信号类型、数据类型、压缩率要求、精度要求和模块设计要求，描述模拟和数字波形的压缩和解压算法、预测算法和存储格式等技术要求。本文件适用于电子设计自动化中的电路仿真工具波形数据的编码与解码

适用范围：主要技术内容:本文件界定了交换机与服务器中所使用的共封装收发器系统架构，规定了与共封装光收发器相关的交换机与服务器网络接口卡的总体布局、光学特性、电学特性、数字管理接口、机械结构等技术要求。本文件适用于采用共封装收发器技术的微电子芯片光互连接口

适用范围：范围:本文件适用于车规级电源管理芯片的生产制造; 主要技术内容:本文件规定了车规级电源管理芯片的基本要求、技术要求、芯片测试、检验规则、标志、包装、运输及贮存等内容