适用范围：本文件规定了在传导射频(RF)骚扰存在的情况下集成电路(IC)抗扰度的测量方法，例如，由辐射RF骚扰引起的传导RF骚扰。本方法确保抗扰度测量的高度可重复性和相关性。 本文件为设备中的半导体器件在无用RF电磁波环境下工作时的评估建立公共基础。

适用范围：本文件描述了测试参数、测试原理、测试设备、测试准备，描述了测试程序及测试结果告等内容。 本文件适用于表面浮雕结构的微透镜阵列和梯度折射率微透镜阵列几何特性的测试。

适用范围：本文件描述了窗口薄膜的鼓胀测试方法。试样由微米/纳米结构薄膜材料制备，包括金属、陶瓷和聚合物等薄膜，用于微机电系统（MEMS）、微机械等领域。薄膜厚度范围为0.1 μm～10 μm。正方形和长方形窗口宽度范围0.5 mm～4 mm，圆形窗口直径范围0.5 mm～4 mm。 本文件适用于常温环境条件下，对窗口薄膜试样施加均匀压力进行弹性模量和残余应力测试。

适用范围：本文件规定了微透镜阵列中微透镜光学特性的测试原理、测试系统、测试准备，描述了测试程序及测试结果处理。 本文件适用于表面几何结构形成的微透镜阵列和梯度折射率产生的微透镜光学特性的测试。

适用范围：本文件提供了在网络条件下用于有线网络的收发器集成电路(IC)的电磁兼容性(EMC)评估的通用条件和定义。 本文件适用于IEC 62228其他部分的通用试验条件、通用试验布置以及试验和测量方法。

适用范围：本文件描述了微柱压缩试验方法，用于MEMS 材料压缩特性的高精度、高重复性测量，且试样制造难度适中；测量试样单向压缩应力﹘应变的关系，得到试样压缩弹性模量和屈服强度。 试样是通过微加工技术在刚性（或高刚度）基体上制造的圆柱，其高径比（高度与直径的比值）大于3 为宜。本文件适用于金属、陶瓷、高分子等材料制备的高度小于100 μm 微柱的测试。

适用范围：本文件规定了系统级封装（SiP）一体化基板通用要求，包括一体化基板总体要求、特性定义、设计、验证、制造、检验、交付、产品转运、贮存等方面要求。 本文件适用于系统级封装（SiP）中成为成品外壳整体一部分的底部基板。

适用范围：本文件规定了12 in及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片的减薄工艺(以下简称减薄工艺)过程和评价要求。 注： 1 in=2.54 cm。

适用范围：本文件描述了微波电路限幅器主要电参数的测试方法。 本文件适用于微波电路限幅器，包含无源限幅器、半有源限幅器、有源限幅器等。

适用范围：本文件规定了集成电路(IC)电磁兼容(EMC)宏建模的框架和方法，规定了IEC 62433其他部分中常用术语的定义、不同的建模方法以及标准化的每个模型类别的要求和数据交换格式。

适用范围：本文件描述了集成电路（IC）对射频（RF）辐射电磁骚扰的抗扰度测量方法。本文件适用的频率范围为150 kHz～1 GHz或为TEM小室和宽带TEM小室的特性决定的频率范围。

适用范围：本文件界定了微波集成电路开关的术语和定义，规定了额定值和特性，描述了测试方法。 开关的射频端口有多种组合，如单刀单掷（SPST)、单刀双掷（SPDT)、单刀三掷（SP3T)、双刀双掷（DPDT)等。本文件基于SPDT型开关，其他类型的开关也适用。

适用范围：本文件给出了几种知识产权（IP)核保护方案和策略，主要包括法律保护手段、技术保护手段和探测跟踪手段。本文件适用于IP核提供者和IP核使用者参照选择适合的IP核保护和管理方案。 本文件不涉及IP核设计流程中要使用到的电子设计自动化（EDA）工具的保护。

适用范围：本文件界定了系统级封装（SiP）在生产制造、工程应用和产品试验等方面与材料、工艺、组装、封装相关的通用术语和专用术语。 本文件适用于与系统级封装相关的生产、科研、教学和贸易等方面的应用。

适用范围：本文件描述了长度和宽度小于1 mm、厚度在0.1 μm~10 μm 的薄膜材料的弯曲试验方法。薄膜作为主要结构材料用于微机电系统（MEMS）和微机械中。 作为微机电系统（MEMS）、微机械等器件中的主要结构材料，薄膜具有独特性，如尺寸为几微米，采用沉积、光刻等材料制备工艺，和/或非机械加工测试结构。本文件描述了微尺度光滑悬臂式测试结构的弯曲试验方法及测试结构形状，以保证与薄膜材料独特性相对应的测试精度。

适用范围：本文件提供了复杂集成电路的设计流程和各阶段设计质量保证工作内容。 本文件适用于指导复杂集成电路设计流程建立和质量保证。

适用范围：本文件规定了12 in及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺（以下简称划片工艺）的一般要求、详细要求和评价要求。 注： 1 in=2.54 cm。 本文件适用于12 in及以下尺寸集成电路三维封装带凸点圆片划片工艺。

适用范围：本文件规定了集成电路三维封装中使用引线键合工艺及倒装工艺进行的芯片叠层工艺过程和评价要求。 本文件适用于集成电路三维封装中使用引线键合及倒装工艺进行叠层的电路。

适用范围：本文件描述了测量厚度范围为0.5 μm～300 μm 金属膜材料成形极限的方法。 本文件适用于通过压印等成型工艺制造电子元器件、MEMS 的金属膜材料。

适用范围：本文件给出了评价集成电路（IC）对快速传导同步瞬态骚扰抗扰度试验方法的通用信息和定义。这些信息包括试验条件、试验设备、试验布置、试验程序和试验报告的内容要求。 本文件的目的是描述通过建立相同的试验环境获得IC抗扰度的定量度量的通用条件，同时也描述了预期会影响试验结果的关键参数。与本文件的偏离需在试验报告中明确地注明。 本文件给出的同步瞬态抗扰度测量方法是使用具有不同幅值、持续时间和极性的，上升时间快速的短脉冲以传导的方式耦合给IC。在本方法中，施加的脉冲需与IC的功能运行同步，目的是确保可控的和可复现的条件。