适用范围：GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用，半导体芯片产品包括：●晶圆；●单个裸芯片；●带有互连结构的芯片和晶圆；●最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分规定了所需的电仿真信息，目的在于促进电子数据、电子系统电学行为和功能验证仿真模型的使用。电子系统包括带或不带互连结构的半导体裸芯片，和(或)最小封装的半导体芯片。本部分是为了使芯片产品供应链中所有的环节都满足IEC 622581和IEC 622582的要求。

适用范围：本标准规定了双极、MOS、结型场效应半导体集成电路模拟开关(以下称为器件)参数测试方法。本标准适用于半导体集成电路模拟开关，也适用于多路转换器参数的测试。

适用范围：GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用。其中半导体芯片产品包括：--晶圆；--单个裸芯片；--带有互连结构的芯片与晶圆；--最小或部分封装的芯片与晶圆。本部分规定了一种XML格式，该格式定义了数据交换所需的元素，满足IEC 622581、IEC 622585、IEC 622586的实施要求，同时对IEC 622582中定义的交换结构进行补充。本部分也补充并兼容IEC/TR 622584中的调查表。

适用范围：本标准规定了串行与非（NAND）型快闪存储器（以下称为器件）的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于串行NAND型快闪存储器的设计和使用。

适用范围：GB/T 35010的本部分给出了半导体芯片产品操作、包装和贮存过程中的一般要求。本部分适用于指导半导体芯片产品（以下简称芯片产品)的操作、包装、贮存和使用。本部分所指的半导体芯片产品包括：--晶圆；--单个裸芯片；--带有互连结构的芯片和晶圆；--最小或部分封装芯片和晶圆。

适用范围：本标准规定了电压调整器(以下称为器件)参数测试方法。本标准适用于半导体集成电路领域中电压调整器参数的测试。

适用范围：本标准规定了倒装焊集成电路封装工艺中凸点共面性、凸点剪切力、芯片剪切拉脱力、焊点缺陷、底部填充缺陷等方面相关的物理试验方法。本标准适用于陶瓷封装或塑料封装的倒装焊单片集成电路。

适用范围：GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用。其中半导体芯片产品包括：●晶圆;●单个裸芯片;●带有互连结构的芯片和晶圆;●最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分规定了数据交换所需元素的EXPRESS格式；满足IEC 622581、IEC 622585及IEC 622586的实施要求；补充IEC 622582中定义的数据交换结构；兼容且补充IEC 622584中的信息表。

适用范围：本标准规定了压控振荡器(以下简称“振荡器”)主要电参数的测试方法。本标准适用于双极晶体管（BJT）和场效应管（FET）制造的压控振荡器，其他电压控制输出频率的振荡器可以参照使用。

适用范围：本标准规定了噪声源主要电参数的测试方法。本标准适用于噪声源的电参数测试。

适用范围：本标准规定了微波电路频率源的电参数测试方法。本标准适用于微波电路频率源，包括直接模拟合成源、直接数字合成源、间接模拟合成源和间接数字合成源，其他产品可参照使用。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路电平转换器（以下称为器件）功能、静态参数和动态参数的测试方法。本标准适用于半导体集成电路电平转换器功能、静态参数和动态参数的测试。

适用范围：本标准规定了非易失性存储器耐久和数据保持试验的方法。本标准适用于电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器(Flash)以及内嵌上述存储器的集成电路(以下简称器件)。

适用范围：本标准规定了串行或非（NOR)型快闪存储器（以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于地址为24位的串行NOR型快闪存储器的设计和使用。

适用范围：本标准规定了基于光学干涉显微镜获取MEMS微结构表面形貌进行面内长度测量的方法。本标准适用于表面反射率不低于4%，宽深比不低于1∶10，且使用光学干涉显微镜能够获取形貌的MEMS微结构。

适用范围：本标准规定了基于光学干涉显微镜获取的微双端固支梁结构表面形貌进行残余应变测量的方法。本标准适用于表面反射率不低于4%且使用光学干涉显微镜能够获取表面形貌的微双端固支梁结构。

适用范围：本标准规定了拉曼光谱法测定微机电系统(MEMS)结构表面残余应力、相对静态应力、相对动态应力的方法。本标准适用于微机电系统(MEMS)结构表面残余应力、相对静态应力、相对动态应力的拉曼光谱法测试。

适用范围：本标准规定了基于光学干涉显微镜获取的微悬臂梁结构表面形貌进行应变梯度测量的方法。本标准适用于表面反射率不低于4%且使用光学干涉显微镜能够获取表面形貌的微悬臂梁结构。

适用范围：本标准规定了谐振式传感器中MEMS谐振敏感元件（以下简称敏感元件）非线性振动特性参数的测试方法。本标准适用于敏感元件在研制和生产过程中关于非线性振动特性和敏感元件闭环系统频率偏移的测试，其他非MEMS敏感元件可参考使用。