适用范围：本文件界定了用于射频控制和选择的MEMS体声波谐振器、滤波器和双工器的术语和定义，给出了基本额定值和特性，描述了测试方法，用于评估和确定其性能。本文件规定了体声波谐振器、滤波器和双工器的试验方法和通用要求，用于能力批准程序或鉴定批准程序的质量评定。

适用范围：本文件界定了用于评估和确定射频MEMS开关的基本额定值和特性的术语、定义和符号，描述了参数测试方法。本文件适用于各种类型的射频MEMS开关，射频MEMS开关的一般说明见附录A。按接触方式分类，包括直流触点型开关和电容触点型开关；按结构分类，包括串联开关和并联开关，射频MEMS开关的几何结构说明见附录B；按开关网络分类，包括单刀单掷开关、单刀双掷开关和双刀双掷开关等；按驱动方式分类，包括静电驱动开关、热电驱动开关、电磁驱动开关和压电驱动开关等。射频MEMS开关在多频带或多模式移动电话、智能雷达系统、可重构射频器件和系统、SDR（软件无线电）电话、测试设备、可调谐器件和系统、卫星等方面应用广泛，射频MEMS开关的应用说明见附录E。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路的封装形式及外形尺寸。 本标准适用于半导体集成电路的封装设计和成品尺寸检验。 本标准不适用于混合集成电路。

适用范围：本标准规定了集成电路(IC)卡封装框架(以下简称IC卡封装框架)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、贮存和运输。 本标准适用于IC卡封装框架，包括接触式IC卡封装框架和非接触式IC卡封装框架。

适用范围：本标准规定了MEMS结构共振疲劳试验的试验方法，包括设备、试验环境、样品要求、试验条件和试验步骤。本标准适用于MEMS结构的共振疲劳试验。

适用范围：本标准规定了带状薄膜抗拉性能的试验方法及数据处理。本标准适用于厚度在50 nm到数微米之间且长度和厚度的比值大于300的样品，也可用于MEMS产品带状薄膜结构的质量监控。

适用范围：本标准规定了MEMS器件可靠性综合环境的试验方法和失效结果处理。本标准适用于需要进行可靠性试验的MEMS器件。

适用范围：《半导体器件集成电路》的本部分适用于作为目录内电路或定制电路而制造的、其质量是以鉴定批准为基础评定的膜集成电路和混合膜集成电路。 本部分的目的是为额定值和特性提供优先值，从总规范中选择合适的试验和测量方法，并且给出根据本部分制定的膜集成电路和混合膜集成电路详细规范使用的通用性能要求。 优先值的概念直接应用于目录内电路，但是不必应用于定制电路。 参照本部分制定的详细规范所规定的试验严酷等级和要求可等于或高于分规范的性能水平，不准许有更低的性能水平。 同本部分相联系的有一个或多个空白详细规范，每个空白详细规范均给以编号。按照2.3规定填写空白详细规范，即构成一个详细规范。按IECQ体系的规定，该类详细规范可用于膜集成电路和混合膜集成电路鉴定批准的授与和质量一致性检验。

适用范围：IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC章程并在IEC授权下工作。该体系的目的是确定质量评定程序，以这种方式使一个参加国家按有关规范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。 编制详细规范时，将总规范中3.5和分规范中2.3和3.2的内容考虑进去。

适用范围：《半导体器件的机械标准化》的本部分规定了采用载带自动焊（TAB）作为结构和互连主要构成的集成电路封装推荐值。本部分适用于制造厂供给用户的成品单元，对集成电路（IC）到载带的互连（内引线焊接）没有明确要求。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路存储器的引出端排列。本标准适用于半字节动态存储器、字宽动态存储器、字节宽动态存储器、半字节同步动态存储器、字节宽同步动态存储器、字宽同步动态存储器的引出端排列。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试的方法。 本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能测试的基本方法。 本标准适用于半导体集成电路领域中快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能的测试。

适用范围：本标准规定了焊柱阵列（CGA）的试验方法。 本标准适用于采用焊柱阵列（CGA）封装形式的集成电路（以下简称器件），焊柱包括高铅焊柱、微线圈焊柱、铜带缠绕型焊柱、基板增强型焊柱、镀铜焊柱等。

适用范围：本标准规定了MEMS电场传感器(以下简称“传感器”)的原材料、结构组成、技术要求、试验项目和方法、检验规则、包装、存储和运输。 本标准适用于MEMS电场传感器的研制、生产和采购。其他类型的电场传感器可参照使用。

适用范围：GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用，半导体芯片产品包括：●晶圆；●单个裸芯片；●带有互连结构的芯片和晶圆；●最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分规定了所需的热仿真信息，在于促进电子系统热学行为和功能验证仿真模型的使用。电子系统包括带或不带互连结构的半导体裸芯片，和(或)最小封装的半导体芯片。本部分是为了使芯片产品供应链所有的环节都满足IEC 622581和IEC 622582的要求。

适用范围：为了给设备的电气特性分析提供标准，需要考虑以下条目从而使得集成电路的输入信号、输出信号、电源、地端口的电气模型标准化：a)在已有标准基础上进行标准化以解决目前存在的问题以及扩大分析能力。b)为电子电路定义更多灵活的描述规则，以提供更准确的PCB分析。c)引入建模等级概念，为每一个应用提供相关数据。d)完善封装和模块的电气模型。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路 低电压差分信号（LVDS，low voltage differential signaling）电路（以下称为“器件”）静态参数、动态参数测试方法的基本原理。本标准适用于低电压差分信号电路静态参数、动态参数的测试。