适用范围：主要技术内容:本标准规定了半导体集成电路制造业晶圆绿色工厂评价（以下简称“评价”）的原则、方法、指标体系及要求、程序等。本标准适用于对具有晶圆大小为8英寸或12英寸的半导体集成电路晶圆产品实际生产过程的工厂进行评价，其他类型集成电路产品生产制造工厂也可参考使用

适用范围：主要技术内容:本文件规定了工业级高可靠温度传感器检测验收的检测要求、检测方法和检验规则等。本文件适用于工业级高可靠温度传感器（模拟传感器）的鉴定验收和评价检测活动

适用范围：主要技术内容:本文件规定了工业级高可靠的压力传感器检测验的检测要求、检测方法和检验规则等本文件适用于绝压传感器、负压传感器、差压传感器、表压传感器等半导体压力传感器的鉴定验收和评价检测活动

适用范围：主要技术内容:本文件规定了工业级高频射频识别芯片（以下简称芯片）的检测要求、检测方法和检验规则等。本文件适用于符合ISO15693协议的高频射频识别芯片的鉴定验收和评价检测活动

适用范围：主要技术内容:本文件规定了工业级高可靠DC/DC变换器的检测要求、检测方法和检验规则等。本文件适用于工业级高可靠DC/DC变换器的鉴定验收和评价检测活动

适用范围：主要技术内容:本文件规定了工业级高可靠湿度传感器检测验收的检测要求、检测方法和检验规则等。本文件适用于工业级电容式湿度传感器的鉴定验收和评价检测活动

适用范围：主要技术内容:本文件规定了功率放大器（Power Amplifier）芯片（以下简称芯片）的检测要求、检测方法和检验规则等。本文件适用于功率放大器（Power Amplifier）芯片的鉴定验收和评价检测活动

适用范围：主要技术内容:本文件规定了工业级高可靠非易失性存储器中的快闪存储器芯片（以下简称芯片）的检测要求、检测方法和检验规则等，暂不涉及ROM。本文件适用于工业级高可靠快闪存储器芯片以及内嵌非易失性存储器芯片的鉴定验收和评价检测活动

适用范围：主要技术内容:本文件规定了工业级高可靠图像传感器的检测要求、检测方法和检验规则等。本文件适用于工业级高可靠图像传感器（CMOS、CCD）的鉴定验收和评价检测活动

适用范围：主要技术内容:本文件规定了工业级高可靠AD转换器(以下简称ADC)和DA转换器（以下简称DAC）的检测要求、检测方法和检验规则等。本文件适用于工业级高可靠AD转换器和DA转换器的鉴定验收和评价检测活动

适用范围：主要技术内容:本文件规定了工业级高可靠AC/DC电路的检测要求、检测方法和检验规则等。本文件适用于工业级高可靠AC/DC电路的鉴定验收和评价检测活动

适用范围：主要技术内容:本文件规定了面向工业应用的MCU芯片（以下简称芯片）的检测要求、检测方法和检验规则等。本文件适用于面向工业应用的MCU芯片的鉴定验收和评价检测活动

适用范围：主要技术内容:本文件规定了蓝牙5.0 BLE芯片（以下简称芯片）的检测要求、检测方法和检验规则等。本文件适用于蓝牙BLE芯片的鉴定验收和评价检测活动

适用范围：主要技术内容:本文件规定了工业级高可靠倾角传感器检测验收的检测要求、检测方法和检验规则等。本文件适用于工业级高可靠倾角传感器的鉴定验收和评价检测活动

适用范围：GB/T 38762的本部分建立了角度尺寸的缺省规范操作集，并为下列角度尺寸要素定义了一系列特定规范操作集：圆锥（截断如圆台或未截断）、楔形（截断或未截断）、两条相对直线（由垂直于楔形/截断楔形两平面相交直线的平面与楔形／截断楔形相交得到，由包含圆锥/圆台轴线的平面与圆锥/圆台相交得到），见图1和图2。 本部分还规定了上述角度尺寸的规范修饰符和图样标注。

适用范围：GB/T 38762的本部分说明了应用尺寸规范控制线性、角度尺寸之外的尺寸时所引起的不确定度，以及用几何规范控制上述尺寸的益处。 尺寸公差可以用±公差或几何规范来标注。 除线性尺寸外的尺寸使用±公差产生的不确定性（例如，GB/T 1804和GB/T 6414中所提及的独立公差和一般公差），在附录A中给出解释。 注1： 本部分中的图例是简化的，仅是对文本的内容的解释，并不反映实际使用情况。因此，图例仅为相关准则的简化标注。

适用范围：GB/T 38762的本部分建立了线性尺寸的缺省规范操作集（见GB/T 24637.2），并规定了面向“圆柱面”“球面”“圆环面”1）“两相对平行面”以及“两相对平行直线”等尺寸要素类型的线性尺寸若干特定规范操作集。此外，本部分还规定了线性尺寸的规范修饰符及其图样表达。

适用范围：主要技术内容:本标准规定了微型计算机扩展坞的技术要求、试验方法、质量评定程序及标志、包装、运输和贮存等。本标准适用于产品的设计和制造

适用范围：本标准规定了MEMS结构共振疲劳试验的试验方法，包括设备、试验环境、样品要求、试验条件和试验步骤。本标准适用于MEMS结构的共振疲劳试验。

适用范围：本标准规定了带状薄膜抗拉性能的试验方法及数据处理。本标准适用于厚度在50 nm到数微米之间且长度和厚度的比值大于300的样品，也可用于MEMS产品带状薄膜结构的质量监控。