适用范围：GB/T 38762的本部分建立了角度尺寸的缺省规范操作集，并为下列角度尺寸要素定义了一系列特定规范操作集：圆锥（截断如圆台或未截断）、楔形（截断或未截断）、两条相对直线（由垂直于楔形/截断楔形两平面相交直线的平面与楔形／截断楔形相交得到，由包含圆锥/圆台轴线的平面与圆锥/圆台相交得到），见图1和图2。 本部分还规定了上述角度尺寸的规范修饰符和图样标注。

适用范围：GB/T 38762的本部分建立了线性尺寸的缺省规范操作集（见GB/T 24637.2），并规定了面向“圆柱面”“球面”“圆环面”1）“两相对平行面”以及“两相对平行直线”等尺寸要素类型的线性尺寸若干特定规范操作集。此外，本部分还规定了线性尺寸的规范修饰符及其图样表达。

适用范围：GB/T 38762的本部分说明了应用尺寸规范控制线性、角度尺寸之外的尺寸时所引起的不确定度，以及用几何规范控制上述尺寸的益处。 尺寸公差可以用±公差或几何规范来标注。 除线性尺寸外的尺寸使用±公差产生的不确定性（例如，GB/T 1804和GB/T 6414中所提及的独立公差和一般公差），在附录A中给出解释。 注1： 本部分中的图例是简化的，仅是对文本的内容的解释，并不反映实际使用情况。因此，图例仅为相关准则的简化标注。

适用范围：主要技术内容:本标准规定了微型计算机扩展坞的技术要求、试验方法、质量评定程序及标志、包装、运输和贮存等。本标准适用于产品的设计和制造

适用范围：本标准规定了MEMS结构共振疲劳试验的试验方法，包括设备、试验环境、样品要求、试验条件和试验步骤。本标准适用于MEMS结构的共振疲劳试验。

适用范围：本标准规定了带状薄膜抗拉性能的试验方法及数据处理。本标准适用于厚度在50 nm到数微米之间且长度和厚度的比值大于300的样品，也可用于MEMS产品带状薄膜结构的质量监控。

适用范围：主要技术内容:本标准规定了CAN总线模块驱动软件与应用软件之间的编程接口以及代码编写要求，提供了CAN总线模块驱动软件的典型接口应用流程及示例代码

适用范围：主要技术内容:本标准规定了船舶电子信息系统可信网络连接的架构、架构中包含的组件及功能要求、可信网络连接流程要求、各实体之间的身份鉴别和完整性鉴别过程要求以及鉴别服务器群组的协同要求

适用范围：本标准规定了MEMS器件可靠性综合环境的试验方法和失效结果处理。本标准适用于需要进行可靠性试验的MEMS器件。

适用范围：GB/T 15879的本部分规定了半导体器件的封装外形分类和命名方法，以及为半导体器件封装生成通用描述性命名的系统方法。 本描述性命名方法提供了一种有用的交流工具，但并不确保相同编码的封装具有互换性。

适用范围：范围:本规范规定了风电变桨DC/DC电源模块的测试环境原则、测试技术规范、测试技术参数和归档原则。 本规范适用于风电变桨系统非集成的独立DC/DC隔离和非隔离转换电源产品的性能验证、功能测试、可靠性的测试环节等; 主要技术内容:本规范规定了风电变桨DC/DC电源模块的测试环境原则、测试技术规范、测试技术参数和归档原则。本规范适用于风电变桨系统非集成的独立DC/DC隔离和非隔离转换电源产品的性能验证、功能测试、可靠性的测试环节等

适用范围：《半导体器件集成电路》的本部分适用于作为目录内电路或定制电路而制造的、其质量是以鉴定批准为基础评定的膜集成电路和混合膜集成电路。 本部分的目的是为额定值和特性提供优先值，从总规范中选择合适的试验和测量方法，并且给出根据本部分制定的膜集成电路和混合膜集成电路详细规范使用的通用性能要求。 优先值的概念直接应用于目录内电路，但是不必应用于定制电路。 参照本部分制定的详细规范所规定的试验严酷等级和要求可等于或高于分规范的性能水平，不准许有更低的性能水平。 同本部分相联系的有一个或多个空白详细规范，每个空白详细规范均给以编号。按照2.3规定填写空白详细规范，即构成一个详细规范。按IECQ体系的规定，该类详细规范可用于膜集成电路和混合膜集成电路鉴定批准的授与和质量一致性检验。

适用范围：IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC章程并在IEC授权下工作。该体系的目的是确定质量评定程序，以这种方式使一个参加国家按有关规范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。 编制详细规范时，将总规范中3.5和分规范中2.3和3.2的内容考虑进去。

适用范围：主要技术内容:本标准规定了基于半导体制冷技术的冷凝除湿装置（以下简称装置）的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存等。本标准适用于安装在开关柜、汇控柜、机构箱、端子箱、环网柜等电力箱柜内的除湿装置，其它除湿装置也可参照使用

适用范围：《半导体器件的机械标准化》的本部分规定了采用载带自动焊（TAB）作为结构和互连主要构成的集成电路封装推荐值。本部分适用于制造厂供给用户的成品单元，对集成电路（IC）到载带的互连（内引线焊接）没有明确要求。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路存储器的引出端排列。本标准适用于半字节动态存储器、字宽动态存储器、字节宽动态存储器、半字节同步动态存储器、字节宽同步动态存储器、字宽同步动态存储器的引出端排列。

适用范围：范围:本规范适用于佛山市辖区内新建、改建和扩建的非经营场所集体聚餐厨房; 主要技术内容:本规范规定了非经营场所集体聚餐厨房的术语和定义和厨房设计与布局、厨房设施设备、聚餐管理等要求

适用范围：本标准规定了半导体集成电路快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能测试的基本方法。 本标准适用于半导体集成电路领域中快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能的测试。

适用范围：本标准规定了焊柱阵列（CGA）的试验方法。 本标准适用于采用焊柱阵列（CGA）封装形式的集成电路（以下简称器件），焊柱包括高铅焊柱、微线圈焊柱、铜带缠绕型焊柱、基板增强型焊柱、镀铜焊柱等。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试的方法。 本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试。