• T/SICA 003-2022 基于RFID传输和存储技术的双频多接口温湿度检测标签芯片技术规范 现行
    译:T/SICA 003-2022 The technical specification for dual-frequency multi-interface temperature and humidity detection tag chip technology based on RFID transmission and storage technology
    适用范围:主要技术内容:主要包括基于RFID传输和存储技术的双频多接口温湿度检测标签芯片的术语和定义、缩略语、产品特性、测试方法等内容,其中产品特性,具体涵盖电气特性、通信接口、数据检测、RTC计时、UID、数据存储、异常处理等多个方面
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2022-10-31 | 实施时间: 2022-11-30
  • SJ/T 11846-2022 电压调整器低频噪声参数测试方法 现行
    译:SJ/T 11846-2022 Voltage Regulator Low Frequency Noise Parameter Test Method
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • T/CIE 134-2022 磁随机存储芯片数据保持时间测试方法 现行
    译:T/CIE 134-2022 Magnetic random access memory (MRAM) chip data retention time testing method
    适用范围:本文件规定了磁随机存储芯片数据保持时间测试方法的测试原理、测试环境、测试设备、测试程序等。本文件适用于磁随机存储芯片的数据保持时间测试和磁随机存储芯片的数据保持时间验证。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2022-08-10 | 实施时间: 2022-08-10
  • T/CIE 133-2022 磁随机存储器件数据保持时间测试方法 现行
    译:T/CIE 133-2022 Test method for data retention time of magnetic random access memory device
    适用范围:本文件规定了磁随机存储器件数据保持时间测试方法的测试原理、测试环境、测试设备、测试程序等。本文件适用于磁随机存储器件的数据保持时间测试和磁随机存储器件的数据保持时间验证。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2022-08-10 | 实施时间: 2022-08-10
  • YD/T 3944-2021 人工智能芯片基准测试评估方法 现行
    译:YD/T 3944-2021 The benchmarking method for artificial intelligence chips
    适用范围:本文件规定了人工智能芯片基准测试框架、评测指标及评估方法,主要包括基本信息披露和技术测试。 本文件适用于芯片厂商或检测机构对具有人工智能算法加速能力的处理器或加速器的基准测试工作。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-YD)行业标准-邮电通信 | 发布时间: 2021-08-21 | 实施时间: 2021-11-01
  • GB/T 39842-2021 集成电路(IC)卡封装框架 现行
    译:GB/T 39842-2021 Itegrated circuit (IC) card packaging framework
    适用范围:本标准规定了集成电路(IC)卡封装框架(以下简称IC卡封装框架)的技术要求、检验方法、检验规则、包装、贮存和运输。 本标准适用于IC卡封装框架,包括接触式IC卡封装框架和非接触式IC卡封装框架。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2021-03-09 | 实施时间: 2021-07-01
  • T/CIE 092-2020 自旋转移矩磁随机存储器测试方法 现行
    译:T/CIE 092-2020 Spin-transfer torque magnetic random access memory testing method
    适用范围:主要技术内容:本标准给出了自旋转移矩磁随机存储器(Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory,STT-MRAM)的术语、测试原理、被测件、测试环境、测试设备、测试程序等。本标准适用于自旋转移矩磁随机存储器以及内嵌上述存储器的集成电路
    【国际标准分类号(ICS)】 :35.220.01数据存储设备综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2020-12-21 | 实施时间: 2021-01-25
  • T/CIE 081-2020 工业级高可靠集成电路评价 第16部分: 高频射频识别 现行
    译:T/CIE 081-2020 Industrial Grade High Reliability Integrated Circuit Evaluation Part 16: High Frequency Radio Frequency ID (RFID)
    适用范围:主要技术内容:本文件规定了工业级高频射频识别芯片(以下简称芯片)的检测要求、检测方法和检验规则等。本文件适用于符合ISO15693协议的高频射频识别芯片的鉴定验收和评价检测活动
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.020电子元器件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2020-06-08 | 实施时间: 2020-08-15
  • T/CIE 070-2020 工业级高可靠集成电路评价 第4部分: 非易失性存储器 现行
    译:T/CIE 070-2020 Industrial Grade High Reliability Integrated Circuit Evaluation Part 4: Non-Volatile Memory
    适用范围:主要技术内容:本文件规定了工业级高可靠非易失性存储器中的快闪存储器芯片(以下简称芯片)的检测要求、检测方法和检验规则等,暂不涉及ROM。本文件适用于工业级高可靠快闪存储器芯片以及内嵌非易失性存储器芯片的鉴定验收和评价检测活动
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.020电子元器件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2020-06-08 | 实施时间: 2020-08-15
  • T/CIE 067-2020 工业级高可靠集成电路评价 第1部分:AC/DC电路 现行
    译:T/CIE 067-2020 Industrial Grade High-Reliability Integrated Circuit Evaluation Part 1: AC/DC Circuit
    适用范围:主要技术内容:本文件规定了工业级高可靠AC/DC电路的检测要求、检测方法和检验规则等。本文件适用于工业级高可靠AC/DC电路的鉴定验收和评价检测活动
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.020电子元器件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2020-06-08 | 实施时间: 2020-08-15
  • GB/T 36474-2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法 现行
    译:GB/T 36474-2018 Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for double data rate 3 synchronous dynamic random access memory(DDR3 SDRAM)
    适用范围:本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试的方法。 本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-06-07 | 实施时间: 2019-01-01
  • GB/T 36477-2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法 现行
    译:GB/T 36477-2018 Semiconductor integrated circuit—Measuring methods for flash memory
    适用范围:本标准规定了半导体集成电路快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能测试的基本方法。 本标准适用于半导体集成电路领域中快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能的测试。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-06-07 | 实施时间: 2019-01-01
  • GB/T 35004-2018 数字集成电路 输入/输出电气接口 模型规范 现行
    译:GB/T 35004-2018 Logic digital integrated circuits—Specification for I/O interface model for integrated circuit
    适用范围:为了给设备的电气特性分析提供标准,需要考虑以下条目从而使得集成电路的输入信号、输出信号、电源、地端口的电气模型标准化:a)在已有标准基础上进行标准化以解决目前存在的问题以及扩大分析能力。b)为电子电路定义更多灵活的描述规则,以提供更准确的PCB分析。c)引入建模等级概念,为每一个应用提供相关数据。d)完善封装和模块的电气模型。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-03-15 | 实施时间: 2018-08-01
  • GB/T 35007-2018 半导体集成电路 低电压差分信号电路测试方法 现行
    译:GB/T 35007-2018 Semiconductor integrated circuits—Measuring method of low voltage differential signaling circuitry
    适用范围:本标准规定了半导体集成电路 低电压差分信号(LVDS,low voltage differential signaling)电路(以下称为“器件”)静态参数、动态参数测试方法的基本原理。本标准适用于低电压差分信号电路静态参数、动态参数的测试。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-03-15 | 实施时间: 2018-08-01
  • GB/T 4377-2018 半导体集成电路 电压调整器测试方法 现行
    译:GB/T 4377-2018 Semiconductor integrated circuits—Measuring method of voltage regulators
    适用范围:本标准规定了电压调整器(以下称为器件)参数测试方法。本标准适用于半导体集成电路领域中电压调整器参数的测试。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-03-15 | 实施时间: 2018-08-01
  • GB/T 14028-2018 半导体集成电路 模拟开关测试方法 现行
    译:GB/T 14028-2018 Semiconductor integrated circuits—Measuring method of analogue switch
    适用范围:本标准规定了双极、MOS、结型场效应半导体集成电路模拟开关(以下称为器件)参数测试方法。本标准适用于半导体集成电路模拟开关,也适用于多路转换器参数的测试。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-03-15 | 实施时间: 2018-08-01
  • GB/T 35009-2018 串行NAND型快闪存储器接口规范 现行
    译:GB/T 35009-2018 Specification for serial NAND flash interface
    适用范围:本标准规定了串行与非(NAND)型快闪存储器(以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于串行NAND型快闪存储器的设计和使用。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-03-15 | 实施时间: 2018-08-01
  • GB/T 35008-2018 串行NOR型快闪存储器接口规范 现行
    译:GB/T 35008-2018 Specification for serial NOR flash interface
    适用范围:本标准规定了串行或非(NOR)型快闪存储器(以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于地址为24位的串行NOR型快闪存储器的设计和使用。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-03-15 | 实施时间: 2018-08-01
  • GB/T 35006-2018 半导体集成电路 电平转换器测试方法 现行
    译:GB/T 35006-2018 Semiconductor integrated circuits—Measuring method of level converter
    适用范围:本标准规定了半导体集成电路电平转换器(以下称为器件)功能、静态参数和动态参数的测试方法。本标准适用于半导体集成电路电平转换器功能、静态参数和动态参数的测试。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-03-15 | 实施时间: 2018-08-01
  • GB/T 35003-2018 非易失性存储器耐久和数据保持试验方法 现行
    译:GB/T 35003-2018 Test methods for endurance and data retention of non-volatile memory
    适用范围:本标准规定了非易失性存储器耐久和数据保持试验的方法。本标准适用于电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器(Flash)以及内嵌上述存储器的集成电路(以下简称器件)。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-03-15 | 实施时间: 2018-08-01