适用范围：本标准规定了工业用非重复充装焊接钢瓶充装的基本原则和安全技术要求。 本标准适用于在环境温度-40 ℃～60 ℃下使用的，储存介质被GB/T 7778划为A类制冷剂(限低压液化气体)，试验压力pT≤6.2 MPa(表压)、容积V≤25 L(当pT＞3.5 MPa时，V≤5 L)的符合GB 17268标准的工业用非重复充装焊接钢瓶(以下简称钢瓶)。

适用范围：本标准规定了气态氦和液态氦的技术要求、检验规则、检验方法、产品的包装、标志、储运及安全警示等。〖JP〗 本标准适用于以深冷法提取的纯氦、高纯氦和超纯氦，主要用于光导纤维、激光、焊接切割、潜水呼吸、低温超导、增压、清洗、保护气等。 分子式：He。 相对分子质量：4.002 602（按2007年国际相对原子质量）。

适用范围：本标准规定了工业氦气的技术要求、试验方法以及产品的包装、标志、贮存与运输。 本标准适用于由深冷法制取及经回收制取的氦气。工业氦气主要用于填充氦飞艇、飞行船、气球以及检漏等。 分子式：He。 相对分子质量：4.002 602（按2007年国际相对原子质量）。

适用范围：本标准规定了GB 24159设计制造的“焊接绝热气瓶”（又称低温绝热气瓶，以下简称气瓶）的充装基本原则和安全技术要求。 本标准适用于在正常环境温度（-40 ℃～60 ℃）下使用，贮存介质为液氧、液氮、液氩、二氧化碳和氧化亚氮低温液体，设计温度不低于-196 ℃，公称容积为10 L～450 L，工作压力为0.2 MPa～3.5 MPa可重复充装的立式气瓶。

适用范围：本部分规定了纯氢、高纯氢和超纯氢的技术要求、试验方法、包装标志、贮运及安全要求。 本部分适用于经吸附法、扩散法等制取的瓶装、集装格装和管道输送的氢气。它主要用于电子工业、石油化工、金属冶炼和科学研究等领域。 分子式：H2。 相对分子质量：2.015 88（按2007年国际相对原子质量）。

适用范围：本标准规定了工业用和焊接用液体二氧化碳的技术要求、试验方法、包装、标志、储存与运输。 本标准适用于由石灰窑气、发酵气、烃类转化气制取的以及由工业排放气回收制取的液体二氧化碳，主要用于焊接、化工、铸型、制冷、化纤、农业和科研等部门和领域。 分子式：CO2。 相对分子质量：44.009 5（按2007年国际相对原子质量）。

适用范围：本标准规定了硒化氢的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。 本标准适用于硒铝、硒镁合金化合物水解、单质硒与氢高温反应等方法获得并经精制得到的硒化氢产品。它主要用于太阳能电池、半导体和集成电路生产的外延、离子注入和掺杂。 分子式：H2Se。 相对分子质量：80.975 88（按2007年国际相对原子质量计算）。

适用范围：本标准规定了氟和氟氮混合气的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全的要求。 本标准适用于电解无水氟化氢并经过纯化工艺处理后获得的氟。氟用于制备六氟化铀、六氟化硫、三氟化硼、二氟化银、三氟化钴和三氟化镁等氟化物，也可用于激光气或塑料氟化处理等领域。 氟氮混合气制备采用压力法。混合气主要用于汽车、制药工业中材料氟化处理。 氟的分子式：F2。 氟的相对分子质量：37.996 806 4(按2007年国际相对原子质量计算)。

适用范围：本标准规定了三氯化硼的技术要求、试验方法以及包装、标志、贮运及安全。 本标准适用于以粗制三氯化硼为原料，采用吸附、精馏等方法提纯制得的三氯化硼，主要用于半导体器件生产所用的扩散、离子注入、干法蚀刻等工艺。 分子式：BCl3。 相对分子质量：117.1691(按2007年国际相对原子质量计算)。

适用范围：本标准规定了砷化氢的技术要求、试验方法以及包装、标志、贮运及安全。 本标准适用于砷化合物与酸反应获得的砷化氢。在半导体器件制备过程中，砷化氢用于掺杂以及化合物半导体外延。 分子式：AsH3。 相对分子质量：77.945 42（按2007年国际相对原子质量计算）

适用范围：本标准规定了电子工业用氢的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。本标准适用于以氢气为原料经净化制取的瓶装、集装格装和管道输送的电子工业用氢气。它们主要被用来提供还原气氛，作为外延工艺的载气以及等离子体蚀刻剂的配气原料。

适用范围：本标准规定了电子工业用磷化氢的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。 本标准适用于亚磷酸热分解、磷化物水解、单质磷与水或碱反应等方法获得并经精制得到的磷化氢产品。它主要用于半导体器件和集成电路生产的外延、离子注入和掺杂。 分子式：PH3。 相对分子质量：33.99758（按2005年国际相对原子质量计算）。

适用范围：本标准规定了氩的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。 本标准适用于以深冷法从空气、合成氨尾气中提取的液态和气态氩以及经纯化方法得到的氩。 氩用于系统的吹扫、保护和增压，它还可以用于化学汽相淀积、溅射、等离子及活性离子刻蚀剂和退火等不同工艺中。 分子式：Ar。 相对分子质量：39.948(按2005年国际相对原子质量)。

适用范围：本标准适用于半导体工业，氮化硅、氮化镓的化学气相淀积，也可用于硅或氧化硅的氮化。 分子式：NH3。 相对分子质量：17.031（按2005年国际相对原子质量）。

适用范围：本标准规定了电子工业用气体氮的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。本标准适用于以深冷法从空气中提取的气态和液态氮，以及经电化学方法得到的氮。它们在超大规模集成电路制造中用作保护、吹扫、覆盖、加压，化学气相淀积等。

适用范围：本标准规定了氦的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。 本标准适用于以深冷法从天然气、空气和工厂弛放气中提取的气态和液态氦，以及经纯化方法得到的氦。它们在半导体制造中用作清洗气、加压气，也用作载气和保护气等。 分子式：He。 相对分子质量：4.003（按2005年国际相对原子质量）。

适用范围：本标准规定了电子工业用氧的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。 本标准适用于以深冷法、电解法提取的气态或液态氧，以及经纯化方法得到的氧。它们主要用于二氧化硅化学气相淀积，用作氧化源和生产高纯水的反应剂，用于等离子体蚀刻和剥离、光导纤维。 分子式：O2。 相对分子质量：31.998 8（按2005年国际相对原子质量计算）。

适用范围：本标准规定了电子工业用三氟化硼的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、贮运及安全要求。 本标准适用于以氟气和硼单质为原料，采用直接化合的方法制得并经过纯化制取的三氟化硼；和以氟硼酸钠为原料热分解法制得并经过纯化制取的三氟化硼。主要用于半导体器件和集成电路生产的离子注入和掺杂。 分子式：BF3。 相对分子质量：67.805（按2005年国际相对原子质量计算）。

适用范围：本标准规定了硅烷气体的技术要求、试验方法以及包装、标志、贮运及安全。 本标准适用于电子工业中多晶硅和单晶硅外延淀积、二氧化硅的低温化学汽相淀积、非晶硅薄膜淀积等。 分子式：SiH4。 相对分子质量：32.117（按2005年国际相对原子质量）。

适用范围：本标准规定了氧化亚氮的技术要求，试验方法以及包装、标志、贮运及安全。 本标准适用于电子工业中化学气相淀积工艺。 分子式：N2O。 相对分子质量：44.012 8（按2005年国际相对原子质量计算）。