适用范围：本文件用于评价非气密封装固态器件在潮湿环境下的可靠性。 本方法为强加速试验，是在没有冷凝的条件下通过温度和湿度加速潮气穿透外部保护材料（包封或密封)或外部保护材料和金属导体的交接面。本方法不施加偏置，以确保潜在的失效机理不能由偏置造成（例如电化学腐蚀)。 本试验用于确定封装内部的失效机理，是一种破坏性试验。 注：本方法是对1996年版IEC 60749中第3章的4c条的试验重新编写（无偏置电压)。

适用范围：本文件描述了电子设备用的，具有两个轴向引出端的圆柱体电阻器和电容器本体长度本体直径的测量方法，以及覆材料覆盖引出端的检查方法。 本文件适用于电子设备用具有两个轴向引出端的圆柱体电阻器和电容器（以下简称“元件”）。 注：单向引出的元件所需空间的测定方法见IEC 60717。

适用范围：本文件确立了一种用于确定金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs)的氧化层中可动正电荷数量的晶圆级测试程序。 本文件适用于有源场效应晶体管和寄生场效应晶体管。可动电荷会引起半导体器件退化，例如改变MOSFETs的阈值电压或使双极型晶体管基极反型。

适用范围：本文件描述的测量方法和相关试验条件，适用于评估各类固定电阻器中的电流噪声大小。目的是选择使用在电子电路中对噪声有要求的电阻器，并提供可比较的测量结果。 电流噪声反映电阻材料的粒状结构，作为识别同种膜层和结构的一些电阻器缺陷，这些缺陷是元件在温度和时间影响下异常老化的根本原因。 本文件中描述的方法不是一般的规范要求，因此如果由相关的详细规范规定，或者客户和制造商之间达成协议，则该方法适用。

适用范围：本文件规定了永久性阻焊材料固化前和固化后的分类、性能要求、质量保证规定、包装、运输和贮存。 本文件适用于液态阻焊剂和阻焊干膜。

适用范围：本文件描述了电子元器件长期贮存过程中数据存储的各方面要求，这些要求是使用长期贮存后的电子元器件所必需的，同时可保持可追溯性或数据链完整性。为了避免存储期间丢失数据，本文件规定了需要与元器件或芯片一起存储的数据类型，以及最佳存储方式。如本文件所定义，长期贮存是指对于计划长期贮存的产品，持续贮存时间超过12个月。本文件还给出了促进电子元器件长期贮存的基本原理、良好的工作实践和一般方法。 注：在GB/T 42706（所有部分)中，术语“元器件”与芯片、晶圆、无源器件以及封装器件具有互换性。

适用范围：本文件规定了单、双面刚性印制板（以下简称“印制板”）的应用等级、要求、质量保证规定、交付要求等，并描述了相应的检验方法。 本文件适用于有或无金属化孔的单、双面刚性印制板。

适用范围：本文件规定了消费类激光指示器产品（以下简称“激光指示器产品”）的光辐射安全要求、标记和说明要求，描述了相应的测量评估方法。 本文件适用于标称波长在400 nm～700 nm可见光范围内的激光指示器产品（包括但不限于激光指示器、激光教鞭、激光瞄准器等具有指示、娱乐和办公等功能的激光产品）的生产、检测以及销售。 本文件不适用于电玩具中使用的激光产品，以及激光射击模拟器、激光测距仪、激光调平仪、激光定位辅助器和激光指星笔等专业用激光指示器产品。

适用范围：本文件描述了在传导射频(RF)骚扰存在的情况下利用大电流注入(BCI)法测量集成电路(IC)抗扰度的试验方法，例如，由辐射RF骚扰引起的传导RF骚扰。这种方法仅用于有板外连线的IC，例如连接到电缆束。本试验方法把RF电流注入到一根或一组线缆。 本文件为设备中的半导体器件在无用RF电磁波环境下工作时的评估建立公共基础。

适用范围：本文件描述的非线性测试方法是一种评估电阻元件完整性的方法。它作为一种有效的在线筛选方法，适用于检测和消除无源元件潜在的早期失效。 引起电阻非线性的典型因素有：电阻膜内的不均匀斑点、螺旋槽中留下的薄膜痕迹、连接引线或端头与电阻体之间的接触不稳定等。 本文件描述了一种测量方法和相关的测试条件，以评估电阻中产生的非线性失真的大小。如果相关详细规范规定，或客户与制造商之间达成协议，则采用此方法。

适用范围：本文件描述了一种测量高密度集成电路单粒子效应(SEE)的试验方法，包括带存储的半导体器件在受到宇宙射线产生的大气中子辐照时的数据保持能力。通过已知注量率的中子辐照测量得到半导体器件的单粒子效应敏感性。该试验方法适用于任何种类集成电路。 注1： 高压半导体器件也会产生单粒子效应，包括单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)等，本文件不包括此部分内容，请参考IEC 62396-4。 注2： 除高能中子外，能量小于1 eV的热中子也能导致部分器件产生软错误，本文件不包括此部分内容，请参考IEC 62396-5。

适用范围：本文件规定了半导体器件表面锡基镀涂的环境接收试验和延缓锡须生长的方法。本方法可能不能满足有特定需求的应用(如：军用、航天等)，在合适的要求或采购文件中规定补充要求。 本文件不适用于只有底部引出端的半导体器件(如：方形扁平无引线和球栅阵列器件、倒装芯片凸点引出端)，由于这类器件在组装过程中引出端全部镀层表面会被浸润。 使用本文件时，同时满足第7章的报告要求。

适用范围：本文件描述了一种用于量化安装在标准试验板或其最终应用的印制电路板（PCB）上的集成电路（IC）对电磁传导骚扰的射频抗扰度测量方法。 本文件适用于在物理尺寸小的试验板上使用的能执行“独立”功能的IC。

适用范围：本文件描述了带存储的半导体器件工作在高能粒子环境下(如阿尔法辐射)的软错误敏感性的试验方法。本文件包含了两种试验方法，分别为利用阿尔法粒子辐射源的加速试验和自然辐射环境下(如阿尔法粒子或中子)导致错误的(非加速)实时系统试验。 为了全面表征带存储半导体器件的软错误特性，还需要依照其他试验方法开展宽能谱高能中子和热中子试验。 本试验方法适用于所有带存储的半导体器件。

适用范围：本文件规定了利用霍尔效应工作的封装的半导体霍尔元件的要求。 本文件适用于利用霍尔效应工作的封装的半导体霍尔元件。

适用范围：本文件描述了确定半导体器件、元件及电路板组件承受由极限高温和极限低温交变作用引发机械应力的能力。该机械应力能导致其电性能或物理性能发生永久性变化。 本文件总体符合IEC 60068-2-14，但由于半导体器件的特殊要求，使用本文件的条款。 本试验方法可采用单箱法、两箱法和三箱法，用于单个元器件和焊点互连的温度循环试验。进行单箱法温度循环时，负载置于固定的试验箱内，试验箱内引入热空气、周围空气或冷空气，加热或冷却负载。进行两箱法温度循环时，负载置于可移动平台，该平台在两个维持设定温度的固定试验箱之间移动。进行三箱法温度循环时，负载在三个试验箱之间移动。

适用范围：本文件描述了空腔半导体器件稳态加速度的试验方法。本试验的目的是检测那些不是一定要通过冲击和振动来检测的结构和机械类型的缺陷。它作为高应力（破坏性）试验来测定封装、内部金属化和引线系统、芯片或基板的焊接以及微电子器件其他构成部分的机械强度极限值。如果确定了适当的应力强度，本试验方法可用作生产线非破坏性的100%筛选试验，用以检测和剔除构成单元机械强度低于正常值的器件。 除另有规定外，本文件条款与IEC 60068-2-7一致。

适用范围：本文件描述了集成电路的电流和过电压闩锁试验方法。 本试验是破坏性试验。 本试验的目的是建立一种判断集成电路闩锁特性的方法和规定闩锁的失效判据。闩锁特性用来判断产品的可靠性，并减少由于闩锁引起的无法定位故障(NTF)和过电应力(EOS)失效。 本试验方法主要适用于互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，若应用于其他工艺技术则需另行确认适用性。 闩锁试验根据温度的分类见4.1，失效等级判据见4.2。

适用范围：本文件描述了闪烁晶体的中子-伽马射线探测性能的测试方法。 本文件适用于测试闪烁晶体的中子-伽马射线探测性能，闪烁陶瓷、闪烁玻璃、复合闪烁体等其他闪烁材料参照执行。

适用范围：本文件规定了电光调制器用铌酸锂单晶薄膜的要求、检查与检验规则、包装、标签/标志、储存和运输要求，描述了检测方法。 本文件适用于铌酸锂薄膜层厚度为100 nm~1 000 nm，直径为76.2 mm、100.0 mm、150.0 mm和200.0 mm，X切向的电光调制器用同成分铌酸锂单晶薄膜，其他规格的铌酸锂单晶薄膜参照执行。