适用范围：本文件规定了磁耦合器和电容耦合器的术语、基本额定值、特性、安全试验及测试方法，确定了基本绝缘和加强绝缘的磁耦合器和电容耦合器的原理、隔离要求以及隔离特性。 本文件适用于各类采用磁性或电容耦合原理实现电路间信号传输与电气隔离的半导体器件。

适用范围：本文件规定了利用数字处理单元和传感器与外部终端模块之间双向通信手段实现传感功能、数据处理功能和数据输出功能的传感器的控制方案。

适用范围：本文件规定了加速度计的特性、基本额定值，描述了相应的测量方法。 本文件适用于所有类型的半导体加速度计产品。 本文件不仅适用于典型内置电路的半导体加速度计，也适用于外置电路的半导体加速度计。 本文件不违反（或妨碍）客户和供应商之间以新业务模型或业务数据签订的商业协议。

适用范围：本文件描述了应用于半导体器件封装用有机材料的潮气扩散率和水溶解度的测量方法。 潮气扩散率和水溶解度两个参数是有效表征塑封半导体器件暴露于潮湿环境和经受高温回流焊之后可靠性的重要参数。

适用范围：本文件给出了0.80 mm或更小引出端节距的密节距焊盘阵列封装（FLGA）的标准外形图、尺寸及推荐的范围值。

适用范围：本文件适用于半导体器件(分立器件和集成电路)。 本试验方法的目的是检测半导体器件的漏率。

适用范围：本文件描述了一个在加速试验环境中评估和比较手持电子产品中表面安装器件跌落性能的试验方法，跌落试验过程中电路板过大弯曲会引起电子产品的失效。本文件目的是使试验电路板和试验方法标准化，能提供对表面安装器件跌落试验的可重复评估，使在产品级测试中可得到相同的失效模式。本文件规定了一个标准的试验方法和报告要求。本文件与器件鉴定试验、判定手持电子产品合格与否的系统级跌落试验、模拟运输和搬运器件或印制电路板组件产生的相关振动试验不同，例如GB/T 4937.10-2025中规定了这些试验的方法要求。本方法适用于面阵列封装和四边引线表面安装封装。本试验方法使用加速度计测量机械冲击的持续时间和振幅，振幅与安装在标准板上的给定器件的力的大小成比例。IEC 6074940中描述了一种使用应变仪测量器件周边电路板的应变和应变率的试验方法。详细规范说明使用的试验方法。

适用范围：本文件适用于处于自由态和组装到印制电路板上的半导体器件，以确定器件和印制板组件承受中等严酷程度冲击的适应能力。印制板组装是一种在组装到印制电路板的使用条件下，试验器件耐机械冲击能力的方法。机械冲击由突然施加的力，及装卸、运输或现场操作中的突然受力而产生，这种类型的冲击可能破坏工作特性，特别是在冲击脉冲重复的情况下。本试验适用于器件鉴定的破坏性试验。

适用范围：本文件描述了一种评估和比较加速试验环境中手持电子产品应用的表面安装半导体器件跌落性能的试验方法，其中电路板过度弯曲会导致产品失效。目的是使试验方法标准化，以提供表面安装半导体器件跌落试验性能的可再现性评估，同时复现产品级试验期间常见的失效模式。 本文件适用于使用应变仪测量器件附近电路板的应变和应变率。IEC 60749-37适用于使用加速度计测量施加的机械冲击持续时间和强度，该强度与安装在标准板上的给定器件所受的应力成比例。详细规范中说明使用哪种试验方法。 注1：尽管本试验能评估由安装方式及其条件、印刷电路板（PCB）设计、焊接材料以及半导体器件的安装能力等结合在一起的结构，但不能单独评估半导体器件的安装能力。 注2：本试验的结果受到不同焊接条件、PCB焊盘图案设计和焊接材料等影响比较大。因此，本试验不能从根本上保证半导体器件焊点的可靠性。 注3：当本试验产生的机械应力在器件实际使用中不会发生时，本试验不适用。

适用范围：本文件规定了PN结温度传感器的标志、基本额定值、特性。 本文件适用于半导体PN结温度传感器，描述了相应的能用来确定各类PN结温度传感器的特性。

适用范围：无偏置高压蒸煮试验是利用潮气冷凝或饱和蒸汽来评价非气密封装固态器件的耐湿性。本试验为强加速试验，在冷凝条件下通过压力、湿度和温度加速潮气穿透外部保护材料（包封或密封）或外部保护材料和金属导体的交接面。 本文件适用于确认封装内部失效机理，为破坏性试验。

适用范围：本文件确立了一种用于确定金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs)的氧化层中可动正电荷数量的晶圆级测试程序。 本文件适用于有源场效应晶体管和寄生场效应晶体管。可动电荷会引起半导体器件退化，例如改变MOSFETs的阈值电压或使双极型晶体管基极反型。

适用范围：本文件用于评价非气密封装固态器件在潮湿环境下的可靠性。 本方法为强加速试验，是在没有冷凝的条件下通过温度和湿度加速潮气穿透外部保护材料（包封或密封)或外部保护材料和金属导体的交接面。本方法不施加偏置，以确保潜在的失效机理不能由偏置造成（例如电化学腐蚀)。 本试验用于确定封装内部的失效机理，是一种破坏性试验。 注：本方法是对1996年版IEC 60749中第3章的4c条的试验重新编写（无偏置电压)。

适用范围：本文件描述了一种测量高密度集成电路单粒子效应(SEE)的试验方法，包括带存储的半导体器件在受到宇宙射线产生的大气中子辐照时的数据保持能力。通过已知注量率的中子辐照测量得到半导体器件的单粒子效应敏感性。该试验方法适用于任何种类集成电路。 注1： 高压半导体器件也会产生单粒子效应，包括单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)等，本文件不包括此部分内容，请参考IEC 62396-4。 注2： 除高能中子外，能量小于1 eV的热中子也能导致部分器件产生软错误，本文件不包括此部分内容，请参考IEC 62396-5。

适用范围：本文件规定了半导体器件表面锡基镀涂的环境接收试验和延缓锡须生长的方法。本方法可能不能满足有特定需求的应用(如：军用、航天等)，在合适的要求或采购文件中规定补充要求。 本文件不适用于只有底部引出端的半导体器件(如：方形扁平无引线和球栅阵列器件、倒装芯片凸点引出端)，由于这类器件在组装过程中引出端全部镀层表面会被浸润。 使用本文件时，同时满足第7章的报告要求。

适用范围：本文件描述了带存储的半导体器件工作在高能粒子环境下(如阿尔法辐射)的软错误敏感性的试验方法。本文件包含了两种试验方法，分别为利用阿尔法粒子辐射源的加速试验和自然辐射环境下(如阿尔法粒子或中子)导致错误的(非加速)实时系统试验。 为了全面表征带存储半导体器件的软错误特性，还需要依照其他试验方法开展宽能谱高能中子和热中子试验。 本试验方法适用于所有带存储的半导体器件。

适用范围：本文件规定了利用霍尔效应工作的封装的半导体霍尔元件的要求。 本文件适用于利用霍尔效应工作的封装的半导体霍尔元件。

适用范围：本文件描述了集成电路的电流和过电压闩锁试验方法。 本试验是破坏性试验。 本试验的目的是建立一种判断集成电路闩锁特性的方法和规定闩锁的失效判据。闩锁特性用来判断产品的可靠性，并减少由于闩锁引起的无法定位故障(NTF)和过电应力(EOS)失效。 本试验方法主要适用于互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，若应用于其他工艺技术则需另行确认适用性。 闩锁试验根据温度的分类见4.1，失效等级判据见4.2。

适用范围：本文件描述了确定半导体器件、元件及电路板组件承受由极限高温和极限低温交变作用引发机械应力的能力。该机械应力能导致其电性能或物理性能发生永久性变化。 本文件总体符合IEC 60068-2-14，但由于半导体器件的特殊要求，使用本文件的条款。 本试验方法可采用单箱法、两箱法和三箱法，用于单个元器件和焊点互连的温度循环试验。进行单箱法温度循环时，负载置于固定的试验箱内，试验箱内引入热空气、周围空气或冷空气，加热或冷却负载。进行两箱法温度循环时，负载置于可移动平台，该平台在两个维持设定温度的固定试验箱之间移动。进行三箱法温度循环时，负载在三个试验箱之间移动。

适用范围：本文件描述了空腔半导体器件稳态加速度的试验方法。本试验的目的是检测那些不是一定要通过冲击和振动来检测的结构和机械类型的缺陷。它作为高应力（破坏性）试验来测定封装、内部金属化和引线系统、芯片或基板的焊接以及微电子器件其他构成部分的机械强度极限值。如果确定了适当的应力强度，本试验方法可用作生产线非破坏性的100%筛选试验，用以检测和剔除构成单元机械强度低于正常值的器件。 除另有规定外，本文件条款与IEC 60068-2-7一致。