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即将实施
译：GB/T 47239.6-2026 Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 6:Test method for sheet resistance of flexible conducting films
适用范围：本文件界定了弯曲试验条件下柔性导电薄膜薄层电阻测试的术语和定义,描述了测试方法。测试方法包括两探针法、四探针法和蒙哥马利法,这些方法能用于原位、异位测量以及各向异性薄层电阻的测量。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-08-28 | 实施时间： 2027-03-01
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即将实施
译：GB/T 47239.5-2026 Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 5:Test method for thermal characteristics of flexible materials
适用范围：本文件描述了柔性材料热特性的测试方法,包括用于柔性材料热特性评估的相关术语、定义、符号和测试方法。该方法是一种非接触式的光学测温方法,主要基于材料光学反射率与温度之间的关系。
本文件适用于可弯曲或拉伸的柔性基板和柔性薄膜半导体材料。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-08-28 | 实施时间： 2027-03-01
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译：GB/T 47239.3-2026 Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 3:Evaluation of thin film transistor characteristics on flexible substrates under bulging
适用范围：本文件描述了制备在柔性基板上的薄膜晶体管在凸起状态下器件性能的评价方法。
本文件所述的薄膜晶体管,其制备在包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、合成橡胶等材料在内的柔性基板上。其性能评价过程中的应力加载方式,是借助外部设备在柔性基板上施加均匀的压力。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-08-28 | 实施时间： 2027-03-01
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译：GB/T 47239.4-2026 Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 4:Fatigue evaluation for flexible conductive thin film on the substrate for flexible semiconductor devices
适用范围：本文件描述了柔性半导体器件基板上柔性导电薄膜弯曲疲劳的评价方法。薄膜样品主要包括沉积或粘接在非导电柔性基板上的薄膜,例如用于柔性半导体器件的金属薄膜、透明导电电极和硅薄膜。疲劳试验方法包括动态弯曲疲劳试验和静态弯曲疲劳试验。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-08-28 | 实施时间： 2027-03-01
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即将实施
译：GB/T 48168-2026 Semiconductor devices—Reliability test method by inductive load switching stress for gallium nitride(GaN) transistors
适用范围：本文件描述了通过感性负载开关应力(特别是硬开关应力)评估氮化镓(GaN)功率晶体管可靠性的应力程序和相应试验方法。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-08-28 | 实施时间： 2027-03-01
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译：GB/T 48164.2-2026 Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors(SiC MOSFET)—Part 2:Test method for bipolar degradation due to body diode operation
适用范围：本文件描述了用于评估由于体二极管工作引起的SiC(silicon carbide)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)导通电压变化、导通电阻变化和反向漏极电压变化的试验方法和程序。
硅功率晶体管通常不要求进行此试验。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-08-28 | 实施时间： 2027-03-01
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即将实施
译：GB/T 47239.2-2026 Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 2:Evaluation method for electron mobility,sub-threshold swing,and threshold voltage of flexible devices
适用范围：本文件界定了用于评价和确定柔性薄膜晶体管(TFT)器件性能特征的术语、定义和符号,描述了评价方法。本文件描述的评价方法和特征参数适用于准确评价柔性薄膜晶体管器件在实际弯曲状态下的性能和可靠性。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-08-28 | 实施时间： 2027-03-01
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译：GB/T 20521.12-2026 Semiconductor devices—Part 14-12:Semiconductor sensors—Performance test methods for CMOS imager-based gas sensors
适用范围：本文件描述了基于互补金属氧化物半导体(CMOS)成像的气体传感器的性能测试方法。
本文件适用于基于CMOS无透镜成像和基于CMOS透镜成像的气体传感器的性能测试。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-08-28 | 实施时间： 2027-03-01
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译：GB/T 48170-2026 Dynamic on-resistance test method guidelines for Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor(GaN HEMT) based power conversion devices
适用范围：本文件提供了测试横向型GaN HEMT动态导通电阻的方法指南,动态导通电阻测试主要用于评估GaN HEMT中电荷俘获现象,该测试方法能应用于以下情况:
a) GaN增强型和耗尽型分立功率器件;
b) GaN集成功率芯片;
c) 上述对象的晶圆级或封装级样品。
提供的测试方法能用于GaN功率转换器中器件表征、产品测试、可靠性评估和应用场景验证。本文件不涉及动态导通电阻的基本原理及其在产品规格书中的符号表示。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-08-28 | 实施时间： 2027-03-01
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即将实施
译：GB/T 47239.1-2026 Semiconductor devices—Flexible and stretchable semiconductor devices—Part 1:Bending test method for conductive thin films on flexible substrates
适用范围：本文件描述了沉积或黏合在非导电柔性基板上导电薄膜的弯曲试验方法，以测量薄膜的机电性能或柔韧性。导电薄膜广泛应用于柔性半导体器件，是指沉积或黏合到非导电柔性基板上的薄膜，如金属薄膜、透明导电电极和硅薄膜等。由于薄膜-基板之间的界面黏附作用，柔性基板上的薄膜与独立的薄膜和基板机电特性不同。本文件的目的是确立用于评估柔性基板上导电薄膜机电性能或柔韧性的简单且可重复的试验方法。本文件中的弯曲试验方法包括外弯曲试验和内弯曲试验。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-08-28 | 实施时间： 2027-03-01
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即将实施
译：GB/T 48164.1-2026 Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors(SiC MOSFET)—Part 1:Test method for bias temperature instability
适用范围：本文件描述了在高温下施加连续栅极-源极正电压应力后,在室温下评估SiC MOSFET的阈值电压漂移的试验方法。该试验方法允许应力和测量之间设置较长的延迟时间(最长可达10 h),以此接受一定程度的阈值电压恢复现象。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-08-28 | 实施时间： 2027-03-01
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现行
译：GB/Z 46809.2-2026 Semiconductor devices—Part 19-2:Smart sensors—Indication of specifications of smart sensors and power supplies for low power operation
适用范围：本文件提供了使用自主电源的智能传感器器件或模组的规格说明，其中智能传感器、终端模块和电源构成低功耗运行的智能传感单元，能将智能传感器的输出数据发送到外部。本文件还提供了智能传感器的电源规格说明指南。基于这些因素，从全新设计的低功耗智能传感单元的角度来看，其3个组成部分能很轻松地选择和组合起来。
本文件适用于低功耗智能传感单元（包括智能传感器、终端模块和电源）的设计。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件
【中国标准分类号(CCS)】 ：暂无
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-08-27 | 实施时间： -
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即将实施
译：GB/T 15879.618-2026 Mechanical standardization of semiconductor devices—Part 6-18:General rules for the preparation of outline drawings of surface mounted semiconductor device packages—Design guide for ball grid array(BGA)
适用范围：本文件提供了引出端节距大于或等于1.00 mm且外形为方形的焊球阵列封装标准外形图、尺寸及推荐值。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 ：L55/59微电路
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-07-30 | 实施时间： 2027-02-01
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即将实施
译：GB/T 15879.603-2026 Mechanical standardization of semiconductor devices—Part 6-3:General rules for the preparation of outline drawings of surface mounted semiconductor device packages—Measuring methods for package dimensions of quad flat packs(QFP)
适用范围：本文件描述了封装外形分类形式E中的四边扁平封装(QFP)的尺寸测量方法。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合
【中国标准分类号(CCS)】 ：L55/59微电路
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-07-30 | 实施时间： 2027-02-01
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即将实施
译：GB/T 47752-2026 Micro-electromechanical systems(MEMS) technology—Test method of electrical characteristics after cyclic bending deformation for flexible micro-electromechanical devices
适用范围：本文件描述了柔性机电器件循环弯曲变形后电气特性的测试方法。该器件包括位于柔性薄膜上或嵌入柔性薄膜中的无源微元件和有源微元件。涉及的器件外形尺寸通常为1 mm～300 mm，厚度通常为10 μm～1 mm。本测试方法旨在通过性能-弯曲程度-循环次数图（三维P-S-N图），在弯曲程度和重复循环次数的加载空间上可视化循环弯曲变形后的整个性能衰减情况。本文件对于在一定程度的循环弯曲变形下估算器件运行周期的安全裕度和可靠性至关重要。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件
【中国标准分类号(CCS)】 ：L59微型组件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-07-02 | 实施时间： 2027-02-01
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即将实施
译：GB/T 47767-2026 Micro-electromechanical systems technology—Measurement methods of electro-mechanical conversion characteristics of piezoelectric MEMS cantilever
适用范围：微悬臂梁是微传感器和微执行器的典型结构，为了获得具有微器件结构的压电薄膜的实际和精确的压电系数。本文件描述了微悬臂梁上压电薄膜机电转换特性的测试方法。本文件适用于通过MEMS工艺制造的微悬臂上的压电薄膜机电转换特性的测试，适用于消费者、工业或任何其他压电器件的应用。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件
【中国标准分类号(CCS)】 ：L59微型组件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-07-02 | 实施时间： 2027-02-01
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即将实施
译：GB/T 47667-2026 Bypass thyristors of converter valves for high-voltage direct current power transmission using voltage sourced converters
适用范围：本文件界定了柔性直流输电换流阀用旁路晶闸管的术语,规定了额定值(极限值)和特性要求以及标志、包装、贮存,描述了例行试验和型式试验的方法。
本文件适用于柔性直流输电换流阀子模块用旁路晶闸管,其他电压源电力电子设备用旁路晶闸管参考使用。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.20晶体闸流管
【中国标准分类号(CCS)】 ：K46电力半导体器件、部件
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-07-02 | 实施时间： 2027-02-01
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即将实施
译：GB/T 47768-2026 Micro-electromechanical systems(MEMS) technology—Bond strength test for glass frit bonded structures using micro-chevron-tests(MCT)
适用范围：本文件规定了用于评估玻璃浆料键合强度的微型V形试验（MCT）测量方法，描述了适用试件的几何形状、试件的优选尺寸以及测试条件，提供了对偏离试件几何形状的设计指导。
微型V形试验是在规定的载荷条件下（I型张开型裂纹），利用专门设计的试验芯片（微型V形试件）确定脆性材料或键合界面的键合断裂韧性（KIC），具有一致性好的特点。
图1为微型V形试验装置示例。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件
【中国标准分类号(CCS)】 ：L55/59微电路
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-07-02 | 实施时间： 2027-02-01
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即将实施
译：GB/T 47749-2026 Micro-electromechanical system (MEMS) technology—Test method for coefficient of linear thermal expansion of micro-electromechanical solid-state material
适用范围：本文件描述了用于微机电系统、微机械以及其他微加工工艺的金属、陶瓷、聚合物等类别固态材料线性热膨胀系数测量方法。
本文件适用于尺度范围是长度0.1 mm~1 mm、宽度10 μm~1 mm、厚度0.1 μm~1 mm，温度范围是室温至该材料熔点的30%的固态材料的线性热膨胀系数测定。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件
【中国标准分类号(CCS)】 ：L55/59微电路
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-07-02 | 实施时间： 2026-11-01
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即将实施
译：GB/T 4023.3-2026 Discrete semicondutor devices—Part 3:Signal,switching and regulator diodes
适用范围：本文件规定了信号、开关和调整二极管的术语、定义和图形符号，符号，基本额定值和特性，测试方法，接收和可靠性要求。
本文件适用于下列各类二极管的研制、生产和检验。包括：
--信号二极管（不包括设计用于工作频率在百兆赫兹以上的二极管）；
--开关二极管（不包括大功率整流二极管）；
--电压调整二极管；
--电压基准二极管；
--电流调整二极管。
【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管
【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管
发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2026-04-30 | 实施时间： 2026-11-01
即将实施
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现行
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