适用范围：本文件描述了通过感性负载开关应力(特别是硬开关应力)评估氮化镓(GaN)功率晶体管可靠性的应力程序和相应试验方法。

适用范围：本文件描述了用于评估由于体二极管工作引起的SiC(silicon carbide)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)导通电压变化、导通电阻变化和反向漏极电压变化的试验方法和程序。 硅功率晶体管通常不要求进行此试验。

适用范围：本文件提供了测试横向型GaN HEMT动态导通电阻的方法指南,动态导通电阻测试主要用于评估GaN HEMT中电荷俘获现象,该测试方法能应用于以下情况: a) GaN增强型和耗尽型分立功率器件; b) GaN集成功率芯片; c) 上述对象的晶圆级或封装级样品。 提供的测试方法能用于GaN功率转换器中器件表征、产品测试、可靠性评估和应用场景验证。本文件不涉及动态导通电阻的基本原理及其在产品规格书中的符号表示。

适用范围：本文件描述了基于互补金属氧化物半导体(CMOS)成像的气体传感器的性能测试方法。 本文件适用于基于CMOS无透镜成像和基于CMOS透镜成像的气体传感器的性能测试。

适用范围：本文件描述了在高温下施加连续栅极-源极正电压应力后,在室温下评估SiC MOSFET的阈值电压漂移的试验方法。该试验方法允许应力和测量之间设置较长的延迟时间(最长可达10 h),以此接受一定程度的阈值电压恢复现象。

适用范围：本文件提供了引出端节距大于或等于1.00 mm且外形为方形的焊球阵列封装标准外形图、尺寸及推荐值。

适用范围：本文件描述了封装外形分类形式E中的四边扁平封装(QFP)的尺寸测量方法。

适用范围：本文件界定了半导体传感器的术语定义,规定了单位、符号、分类、标志、质量评定程序和试验测试程序。 本文件适用于由半导体材料制造的传感器,其他材料(如绝缘和铁电材料)制造的传感器参照执行。

适用范围：本文件适用于印制电路板(PCB)组装期间进行批量回流焊工艺的所有器件,包括塑料包装、工艺敏感器件和其他由透湿材料(环氧树脂、硅酮等)制成的、暴露于空气环境中的潮湿敏感器件。 本文件的目的是为表面安装器件(SMD)承制方和用户提供按照IEC 60749-20中规定进行等级分类的潮湿、回流焊敏感的SMD的操作、包装、运输和使用的标准方法。提供的这些方法是为了避免因吸收湿气和暴露于回流焊的高温下造成的损伤,这些损伤会造成成品率和可靠性的降低。通过这些程序的应用,实现安全无损的回流焊,元器件通过干燥包装,提供从密封之日起保存于密封干燥袋内的货架寿命。 IEC 60749-20耐焊接热试验中规定了两种水汽浸渍试验方法,方法A和方法B。方法A在假设防潮袋内相对湿度小于30%的前提下规定的。方法B是在假设承制方暴露时间(MET)不超过24h,且防潮袋内相对湿度小于10%的前提下规定的。在实际操作环境中,使用方法A的SMD允许吸收湿气达到相对湿度30%,使用方法B的SMD允许吸收湿气达到相对湿度10%。本文件规定了在上述试验条件下SMD的操作条件。 注:气密封装的SMD不是潮湿敏感器件,不要求防潮湿处理。

适用范围：本文件规定了半导体分立器件（以下简称“器件”）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输和贮存要求。 本文件适用于除光电子器件和分立器件模块之外的半导体分立器件。

适用范围：本文件规定了半导体分立器件的外形尺寸。 本文件适用于半导体分立器件的封装设计。

适用范围：本文件界定了半导体分立器件包括整流二极管，信号、开关和调整二极管，晶闸管，双极型晶体管，场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管，绝缘功率半导体器件和微波应用中的二极管和晶体管的文字符号。 本文件适用于半导体分立器件有关标准和产品技术资料的编写。

适用范围：本文件规定了适用于IEC 60747其他部分及IEC 60748(所有部分)所涵盖的半导体分立器件和集成电路的通用要求(见附录A)。 注:本文件与上一版(1998年版)章条结构的比较见附录B。

适用范围：本文件依据元器件和微电路对规定的带电器件模型(CDM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度,建立了元器件和微电路的ESD测试、评价、分级的程序。本文件适用于评价所有半导体封装器件、薄膜电路、声表面波(SAW)器件、光电器件、混合集成电路(HICs)及包括任意这些器件的多芯片组件(MCMs)。为进行测试，元器件需装配在与终端应用相似的封装中。本文件涉及的CDM模型不适用于插座式放电模型测试设备。本文件描述了场感应(FI)方法，另一种能作为替代的直接接触(DC)法见附录J。 本文件的目的是建立一种能够复现CDM失效并为不同测试设备间提供可靠、可重复的CDM ESD测试结果且不区分器件类型的测试方法。重复性数据保证了CDM ESD敏感度等级的准确划分及对比。

适用范围：本文件规定了使用电流耦合人体通信的胶囊内窥镜半导体接口电气性能的通用要求，包括接口的一般要求和功能要求。本文件涵盖的半导体接口是在人体内的胶囊内窥镜和人体外接收设备中的人体通信调制解调器之间处理或传输电信号的接口。 注： 使用人体通信胶囊内窥镜的其他信息见附录A。

适用范围：本文件确立了非易失性存储器(以下简称“器件”)根据鉴定规范进行有效的耐久性、数据保持和交叉温度试验的程序。耐久性和数据保持鉴定规范鉴定要求(针对循环计数、保持时间、温度和样本量)参考JESD47或者类似JESD94中的方法。

适用范围：本文件规定了半导体分立器件型号的命名方法。 本文件适用于各种半导体分立器件的型号命名。

适用范围：本文件规定了人体通信(HBC)中使用的半导体接口的通用要求，包括接口的功能要求、极限值，以及工作条件要求。 注：关于HBC人体通信的补充资料见附录A。

适用范围：本文件的目的是确定固态半导体器件上的标志,在涂抹和去除标签、或使用溶剂和清洗液(通常用于去除印刷电路板制造过程中的焊剂残留)后是否仍清晰。 本文件适用于所有封装类型,用于鉴定和/或工艺监控。本试验是非破坏性的,电气或机械损伤能作为本试验的判据。 注1:本试验不适用于激光打标。 许多可用的溶剂或活性不够,或管控严格,或在直接接触或吸入烟雾时对人类有危险。 注2:相较常用的涂料和标志,本试验中使用的溶剂成分被认为是典型和具有代表性的。

适用范围：本文件规定了加速度计的特性、基本额定值，描述了相应的测量方法。 本文件适用于所有类型的半导体加速度计产品。 本文件不仅适用于典型内置电路的半导体加速度计，也适用于外置电路的半导体加速度计。 本文件不违反（或妨碍）客户和供应商之间以新业务模型或业务数据签订的商业协议。