适用范围：本文件规定了MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片的结构与分类、基本参数、要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输及贮存。 本文件适用于MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片,其他材料基片的压阻式芯片参照使用。

适用范围：本文件为评价因硫化氢导致的发光二极管(LED)封装银和银合金变色提供了一种加速试验方法，目的是确定银和银合金变色对LED封装光通量和辐射通量维持率的影响提供相关信息。此外，该试验方法能够为LED封装的电性能因受到银和银合金腐蚀的影响提供相关信息。 试验的目的是确定硫化氢气体对LED封装材料的影响： ——银或银合金； ——有其他保护层的银或银合金； ——用银或银合金覆盖的金属。 本文件不包含因其他因素退化导致的光通量维持率、辐射通量维持率和电性能(例如，铜或硅酮部件的降解)变化。 本文件仅适用于照明应用的LED封装。

适用范围：本文件描述了一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元的性能测试方法。本文件中的性能测试方法所测试的性能包括读、电预处理、置位、复位、耐久性和保持性。 本文件适用于柔性和刚性电阻存储器件，且不受器件的工艺和尺寸限制。

适用范围：本文件描述了用于评价柔性电阻存储器延展性、柔韧性和稳定性的术语和测试方法,包括试验流程和所用设备。本文件还包括环境温度和相对湿度等测试条件的通用要求。本文件中描述的测试方法侧重于评价稳定性,而不是可靠性。

适用范围：本文件规定了磁耦合器和电容耦合器的术语、基本额定值、特性、安全试验及测试方法，确定了基本绝缘和加强绝缘的磁耦合器和电容耦合器的原理、隔离要求以及隔离特性。 本文件适用于各类采用磁性或电容耦合原理实现电路间信号传输与电气隔离的半导体器件。

适用范围：本文件规定了利用数字处理单元和传感器与外部终端模块之间双向通信手段实现传感功能、数据处理功能和数据输出功能的传感器的控制方案。

适用范围：本文件规定了利用霍尔效应工作的封装的半导体霍尔元件的要求。 本文件适用于利用霍尔效应工作的封装的半导体霍尔元件。

适用范围：本文件规定了忆阻器测试装置与环境条件要求，描述了忆阻器读、电预处理、增强和抑制等基础特性的测试方法，并规定了测试报告要求。 本文件适用于两端型双极性忆阻器的读、电预处理、增强和抑制等基础特性的测试。

适用范围：本文件描述了窗口薄膜的鼓胀测试方法。试样由微米/纳米结构薄膜材料制备，包括金属、陶瓷和聚合物等薄膜，用于微机电系统（MEMS）、微机械等领域。薄膜厚度范围为0.1 μm～10 μm。正方形和长方形窗口宽度范围0.5 mm～4 mm，圆形窗口直径范围0.5 mm～4 mm。 本文件适用于常温环境条件下，对窗口薄膜试样施加均匀压力进行弹性模量和残余应力测试。

适用范围：本文件描述了微柱压缩试验方法，用于MEMS 材料压缩特性的高精度、高重复性测量，且试样制造难度适中；测量试样单向压缩应力﹘应变的关系，得到试样压缩弹性模量和屈服强度。 试样是通过微加工技术在刚性（或高刚度）基体上制造的圆柱，其高径比（高度与直径的比值）大于3 为宜。本文件适用于金属、陶瓷、高分子等材料制备的高度小于100 μm 微柱的测试。

适用范围：本文件描述了测量厚度范围为0.5 μm～300 μm 金属膜材料成形极限的方法。 本文件适用于通过压印等成型工艺制造电子元器件、MEMS 的金属膜材料。

适用范围：本文件描述了长度和宽度小于1 mm、厚度在0.1 μm~10 μm 的薄膜材料的弯曲试验方法。薄膜作为主要结构材料用于微机电系统（MEMS）和微机械中。 作为微机电系统（MEMS）、微机械等器件中的主要结构材料，薄膜具有独特性，如尺寸为几微米，采用沉积、光刻等材料制备工艺，和/或非机械加工测试结构。本文件描述了微尺度光滑悬臂式测试结构的弯曲试验方法及测试结构形状，以保证与薄膜材料独特性相对应的测试精度。

适用范围：本文件描述了基于断裂力学概念的四点弯曲测量方法，利用作用在层状MEMS材料上的纯弯曲力矩，以最弱界面稳态开裂的临界弯曲力矩来测量界面黏附能。 本文件适用于在半导体基底上沉积薄膜层的MEMS器件。薄膜层总厚度宜小于支撑基底（通常是硅晶片）厚度的1/100。

适用范围：本文件规定了基于MEMS技术的车规级压力传感器的分类、基本要求、技术要求和试验方法。 本文件适用于基于MEMS技术的车规级压力传感器，其他压力传感器参照执行。

适用范围：本文件描述了测量厚度范围为0.01 μm～10 μm的MEMS膜残余应力的方法，包含晶圆曲率法和悬臂梁挠度法。 本文件适用于沉积在已知杨氏模量和泊松比等力学性质衬底上的膜。

适用范围：本文件描述了用于压电式微传感器和微执行器等器件的压电薄膜机电转换特性测量方法。 本文件适用于MEMS工艺制备的压电薄膜。

适用范围：本文件描述了在环境应力(温度和湿度)、机械应力和应变下，评估MEMS压电薄膜材料耐久性的试验方法，以及用于质量评估的试验条件。本文件具体描述了在温度、湿度条件和外加电压下测量被测器件耐久性的试验方法和试验条件。 本文件适用于评估MEMS压电薄膜材料的耐久性和质量，也适用于评估在硅衬底上形成的压电薄膜的正压电性能，例如用作声学传感器或悬臂式传感器的压电薄膜。 本文件不包括可靠性评估，如基于威布尔分布预测压电薄膜寿命的方法。

适用范围：本文件规定了射频MEMS环行器和隔离器的术语、基本额定值和特性以及测量方法。

适用范围：本文件提供了在商用碳化硅（SiC）同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例，为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。 本文件主要论述缺陷的无损表征方法，因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。

适用范围：本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类，并通过明场光学显微术（OM)、光致发光（PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。