19 试验
65 农业
77 冶金
  • GB/T 4937.11-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分:快速温度变化 双液槽法 现行
    译:GB/T 4937.11-2018 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 11:Rapid change of temperature—Two-fluid-bath method
    适用范围:GB/T 4937的本部分规定了快速温度变化--双液槽法的试验方法。当器件鉴定既可以采用空气空气温度循环又可以采用快速温度变化--双液槽法试验时,优先采用空气空气温度循环试验。本试验也可采用少量循环(5次~10次)的方式来模拟清洗器件的加热液体对器件的影响。本试验适用于所有的半导体器件。除非在有关规范中另有说明,本试验被认为是破坏性的。本试验与GB/T 2423.22-2002基本一致,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-09-17 | 实施时间: 2019-01-01
  • GB/T 4937.13-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分:盐雾 现行
    译:GB/T 4937.13-2018 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 13:Salt atmosphere
    适用范围:GB/T 4937的本部分规定了半导体器件的盐雾试验方法,以确定半导体器件耐腐蚀的能力。本试验是模拟严酷的海边大气对器件暴露表面影响的加速试验。适用于工作在海上和沿海地区的器件。 本试验是破坏性试验。 本试验总体上符合IEC 60068-2-11,但鉴于半导体器件的特殊要求,采用本部分的条款。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-09-17 | 实施时间: 2019-01-01
  • GB/T 4937.21-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分:可焊性 现行
    译:GB/T 4937.21-2018 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 21:Solderability
    适用范围:GB/T 4937的本部分规定了采用铅锡焊料或无铅焊料进行焊接的元器件封装引出端的可焊性试验程序。 本试验方法规定了通孔、轴向和表面安装器件(SMDs)的“浸入和观察”可焊性试验程序,以及可选的SMDs板级安装可焊性试验程序,用于模拟在元器件使用时采用的焊接过程。本试验方法也规定了老化条件,该条件为可选。 除有关文件另有规定外,本试验属于破坏性试验。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-09-17 | 实施时间: 2019-01-01
  • GB/T 4937.14-2018 半导体器件 机械和气候试验方法 第14部分:引出端强度(引线牢固性) 现行
    译:GB/T 4937.14-2018 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 14:Robustness of terminations(lead integrity)
    适用范围:GB/T 4937的本部分规定了几种不同的试验方法,用来测定引线/封装界面和引线的牢固性。当电路板装配错误造成引线弯曲,为了重新装配对引线再成型加工时,进行此项试验。对于气密封装器件,建议在本试验之后按IEC 60749-8进行密封试验,以确定对引出端施加的应力是否对密封也造成了不良影响。 本部分的每一个试验条件,都是破坏性的,仅适用于鉴定试验。 本部分适用于所有需要用户进行引线成型处理的通孔式安装器件和表面安装器件。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-09-17 | 实施时间: 2019-01-01
  • GB/T 249-2017 半导体分立器件型号命名方法 被代替
    译:GB/T 249-2017 The rule of type designation for discrete semiconductor devices
    适用范围:本标准规定了半导体分立器件型号命名方法的组成原则、组成部分的符号及其意义。 本标准适用于各种半导体分立器件。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2017-05-12 | 实施时间: 2017-12-01
  • GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) 现行
    译:GB/T 29332-2012 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBT)
    适用范围:本标准给出了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2012-12-31 | 实施时间: 2013-06-01
  • GB/T 4937.3-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分:外部目检 现行
    译:GB/T 4937.3-2012 Semiconductor devices—Mechanical and climatic tests methods—Part 3:External visual examination
    适用范围:GB/T 4937的本部分的目的是验证半导体器件的材料、设计、结构、标志和工艺质量是否符合适用的采购文件的要求。外部目检是非破坏性试验,适用于所有的封装类型。本试验用于鉴定检验、过程监控、批接收。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2012-11-05 | 实施时间: 2013-02-15
  • GB/T 4937.4-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST) 现行
    译:GB/T 4937.4-2012 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 4:Damp heat,steady state,highly accelerated stress test(HAST)
    适用范围:GB/T 4937的本部分规定了强加速稳态湿热试验(HAST)方法,用于评价非气密封装半导体器件在潮湿的环境下的可靠性。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2012-11-05 | 实施时间: 2013-02-15
  • GB/T 20870.1-2007 半导体器件 第16-1部分:微波集成电路 放大器 现行
    译:GB/T 20870.1-2007 Semiconductor devices—Part 16-1:Microwave integrated circuits—Amplifiers
    适用范围:本部分规定了微波集成电路放大器的术语、基本额定值、特性以及测试方法。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2007-02-09 | 实施时间: 2007-09-01
  • GB/T 20516-2006 半导体器件 分立器件 第4部分:微波器件 现行
    译:GB/T 20516-2006 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 4:Microwave devices
    适用范围:本标准给出了以下门类分立器件的标准: ——变容二极管、阶跃二极管和快速开关肖特基二极管(用于调谐、上变频器或谐波倍频器、开关、限幅器、移相器、参量放大器等) ——混频二极管和检波二极管 ——雪崩二极管(用于谐波发生器、放大器等) ——体效应二极管(用于振荡器、放大器等) ——双极型晶体管(用于放大器、振荡器等) ——场效应晶体管(用于放大器、振荡器等)
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2006-10-10 | 实施时间: 2007-02-01
  • GB/T 4589.1-2006 半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范 现行
    译:GB/T 4589.1-2006 Semiconductor devices—Part 10:Generic specification for discrete devices and integrated circuits
    适用范围:本规范构成国际电工委员会电子元器件质量评定体系(IECQ)的一部分。 本规范是半导体器件(分立器件和集成电路,包括多片集成电路,但不包括混合电路)的总规范。 本规范规定了在IECQ体系内采用的质量评定的总程序,并给出了下述方面的总原则: ——电特性测试方法; ——气候和机械试验; ——耐久性试验。 注:当存在已批准的、适用于特定的一种或几种器件类型的分规范、族规范和空白详细规范时,必须用这些规范来补充本规范
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2006-10-10 | 实施时间: 2007-02-01
  • GB/T 20521-2006 半导体器件 第14-1部分:半导体传感器——总则和分类 现行
    译:GB/T 20521-2006 Semiconductor devices—Part 14-1:Semiconductor sensors—General and classification
    适用范围:本标准描述了有关传感器规范的基本条款,这些条款适用于由半导体材料制造的传感器,也适用于由其他材料(例如绝缘或铁电材料)所制造的传感器。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2006-08-23 | 实施时间: 2007-02-01
  • GB/T 20522-2006 半导体器件 第14-3部分:半导体传感器——压力传感器 现行
    译:GB/T 20522-2006 Semiconductor devices—Part 14-3:Semiconductor sensors—Pressure sensors
    适用范围:本标准规定了测量绝压、表压和差压的半导体传感器的要求。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2006-08-23 | 实施时间: 2007-02-01
  • GB/T 11499-2001 半导体分立器件文字符号 现行
    译:GB/T 11499-2001 Letter symbols for discrete semiconductor devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2001-11-05 | 实施时间: 2002-06-01
  • GB/T 12560-1999 半导体器件 分立器件分规范 现行
    译:GB/T 12560-1999 Semiconductor devices Sectional specification for discrete devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1999-08-02 | 实施时间: 2000-03-01
  • GB/T 17573-1998 半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则 现行
    译:GB/T 17573-1998 Semiconductor devices Discrete devices and integrated circuits Part 1:General
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1998-11-17 | 实施时间: 1999-06-01
  • GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法 被代替
    译:GB/T 14844-1993 Designations of semiconductor materials
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1993-12-24 | 实施时间: 1994-09-01
  • GB/T 14264-1993 半导体材料术语 被代替
    译:GB/T 14264-1993 Semiconductor materials—Terms and definitions
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1993-03-12 | 实施时间: 1993-12-01