适用范围：本文件规定了利用霍尔效应工作的封装的半导体霍尔元件的要求。 本文件适用于利用霍尔效应工作的封装的半导体霍尔元件。

适用范围：本文件描述了确定半导体器件、元件及电路板组件承受由极限高温和极限低温交变作用引发机械应力的能力。该机械应力能导致其电性能或物理性能发生永久性变化。 本文件总体符合IEC 60068-2-14，但由于半导体器件的特殊要求，使用本文件的条款。 本试验方法可采用单箱法、两箱法和三箱法，用于单个元器件和焊点互连的温度循环试验。进行单箱法温度循环时，负载置于固定的试验箱内，试验箱内引入热空气、周围空气或冷空气，加热或冷却负载。进行两箱法温度循环时，负载置于可移动平台，该平台在两个维持设定温度的固定试验箱之间移动。进行三箱法温度循环时，负载在三个试验箱之间移动。

适用范围：本文件描述了空腔半导体器件稳态加速度的试验方法。本试验的目的是检测那些不是一定要通过冲击和振动来检测的结构和机械类型的缺陷。它作为高应力（破坏性）试验来测定封装、内部金属化和引线系统、芯片或基板的焊接以及微电子器件其他构成部分的机械强度极限值。如果确定了适当的应力强度，本试验方法可用作生产线非破坏性的100%筛选试验，用以检测和剔除构成单元机械强度低于正常值的器件。 除另有规定外，本文件条款与IEC 60068-2-7一致。

适用范围：本文件描述了铝（Al)或铜（Cu)金属化空洞应力试验方法及相关判据。 本文件适用于半导体工艺的可靠性研究和鉴定。

适用范围：本文件规定了忆阻器测试装置与环境条件要求，描述了忆阻器读、电预处理、增强和抑制等基础特性的测试方法，并规定了测试报告要求。 本文件适用于两端型双极性忆阻器的读、电预处理、增强和抑制等基础特性的测试。

适用范围：本文件描述了空腔器件内存在自由粒子的检测方法，如陶瓷碎片、残余键合引线或焊料球（金属颗粒)。 本试验是非破坏性试验。

适用范围：本文件描述了半导体器件栅介质层的时间相关介电击穿(TDDB)试验方法以及TDDB失效的产品寿命时间估算方法。

适用范围：本文件描述了半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)的试验方法、测试结构和寿命时间估算方法。

适用范围：本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性(BTI)试验方法。

适用范围：本文件描述了晶圆级的NMOS和PMOS晶体管热载流子试验方法，该试验旨在确定某个CMOS工艺中的单个晶体管是否满足所需的热载流子注入效应的寿命时间。

适用范围：本文件规定了一种恒温老化方法，该方法用于试验微电子晶圆上的铜(Cu)金属化测试结构对应力诱生空洞(SIV)的敏感性。该方法将主要在产品的晶圆级工艺开发过程中进行，其结果将用于寿命预测和失效分析。在某些情况下，该方法能应用于封装级试验。由于试验时间长，此方法不适用于产品批次性交付检查。 双大马士革铜金属化系统通常在蚀刻到介电层的沟槽的底部和侧面具有内衬，例如钽(Ta)或氮化钽(TaN)。因此，对于单个通孔接触下面宽线的结构，通孔下方空洞引起的阻值漂移达到失效判据规定的某一百分比时，将会瞬间导致开路失效。

适用范围：本文件描述了金属互连线、连接通孔链和接触孔链的常规恒流电迁移试验方法。

适用范围：本文件描述了窗口薄膜的鼓胀测试方法。试样由微米/纳米结构薄膜材料制备，包括金属、陶瓷和聚合物等薄膜，用于微机电系统（MEMS）、微机械等领域。薄膜厚度范围为0.1 μm～10 μm。正方形和长方形窗口宽度范围0.5 mm～4 mm，圆形窗口直径范围0.5 mm～4 mm。 本文件适用于常温环境条件下，对窗口薄膜试样施加均匀压力进行弹性模量和残余应力测试。

适用范围：本文件描述了微柱压缩试验方法，用于MEMS 材料压缩特性的高精度、高重复性测量，且试样制造难度适中；测量试样单向压缩应力﹘应变的关系，得到试样压缩弹性模量和屈服强度。 试样是通过微加工技术在刚性（或高刚度）基体上制造的圆柱，其高径比（高度与直径的比值）大于3 为宜。本文件适用于金属、陶瓷、高分子等材料制备的高度小于100 μm 微柱的测试。

适用范围：本文件界定了微波集成电路开关的术语和定义，规定了额定值和特性，描述了测试方法。 开关的射频端口有多种组合，如单刀单掷（SPST)、单刀双掷（SPDT)、单刀三掷（SP3T)、双刀双掷（DPDT)等。本文件基于SPDT型开关，其他类型的开关也适用。

适用范围：本文件描述了长度和宽度小于1 mm、厚度在0.1 μm~10 μm 的薄膜材料的弯曲试验方法。薄膜作为主要结构材料用于微机电系统（MEMS）和微机械中。 作为微机电系统（MEMS）、微机械等器件中的主要结构材料，薄膜具有独特性，如尺寸为几微米，采用沉积、光刻等材料制备工艺，和/或非机械加工测试结构。本文件描述了微尺度光滑悬臂式测试结构的弯曲试验方法及测试结构形状，以保证与薄膜材料独特性相对应的测试精度。

适用范围：本文件描述了测量厚度范围为0.5 μm～300 μm 金属膜材料成形极限的方法。 本文件适用于通过压印等成型工艺制造电子元器件、MEMS 的金属膜材料。

适用范围：本文件描述了基于断裂力学概念的四点弯曲测量方法，利用作用在层状MEMS材料上的纯弯曲力矩，以最弱界面稳态开裂的临界弯曲力矩来测量界面黏附能。 本文件适用于在半导体基底上沉积薄膜层的MEMS器件。薄膜层总厚度宜小于支撑基底（通常是硅晶片）厚度的1/100。

适用范围：本文件描述了测量厚度范围为0.01 μm～10 μm的MEMS膜残余应力的方法，包含晶圆曲率法和悬臂梁挠度法。 本文件适用于沉积在已知杨氏模量和泊松比等力学性质衬底上的膜。

适用范围：本文件规定了基于MEMS技术的车规级压力传感器的分类、基本要求、技术要求和试验方法。 本文件适用于基于MEMS技术的车规级压力传感器，其他压力传感器参照执行。