GB/T 43366-2023 宇航用半导体分立器件通用规范

ICS49.035

CCSV25

中华人民共和国国家标准

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GBT433662023

宇航用半导体分立器件通用规范

Generalsecificationfordiscretesemiconductordevices

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2023-11-27发布2024-03-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

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GBT433662023

目次

前言…………………………Ⅴ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………2

4技术要求…………………3

4.1总体要求……………3

4.2质量保证等级………………………3

4.3设计…………………3

4.4材料…………………3

4.5标识…………………3

4.6生产过程……………6

4.7外协加工和外购芯片………………7

4.8基本要求……………8

5试验方法…………………12

5.1内部目检……………12

5.2外观及尺寸检查……………………12

5.3参数性能……………12

5.4高温寿命……………12

5.5温度循环……………12

5.6二极管耐久性试验…………………12

5.7晶体管耐久性试验…………………12

5.8引线键合强度………………………13

扫描电子显微镜检查()………………………

5.9SEM13

5.10浪涌………………13

5.11热响应……………13

5.12恒定加速度………………………13

5.13粒子碰撞噪声检测试验…………13

5.14细检漏……………13

5.15粗检漏……………13

5.16晶体管高温反偏…………………13

5.17功率FET高温反偏………………13

5.18二极管高温反偏…………………14

5.19X射线照相………………………14

Ⅰ

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GBT433662023

5.20超声扫描…………………………14

5.21可焊性……………14

5.22耐溶剂……………14

(—)……………

5.23热冲击液体液体14

5.24间歇工作寿命……………………14

5.25二极管热阻………………………14

5.26双极型晶体管热阻………………14

5.27功率FET热阻……………………14

5.28闸流晶体管热阻…………………14

5.29IGBT热阻…………………………14

5.30GaAsFET热阻…………………15

5.31重量………………15

5.32耐湿………………15

5.33冲击………………15

5.34扫频振动…………………………15

()………………