适用范围：本文件规定了MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片的结构与分类、基本参数、要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输及贮存。 本文件适用于MEMS硅压阻温压复合压力传感器芯片,其他材料基片的压阻式芯片参照使用。

适用范围：本文件适用于印制电路板(PCB)组装期间进行批量回流焊工艺的所有器件,包括塑料包装、工艺敏感器件和其他由透湿材料(环氧树脂、硅酮等)制成的、暴露于空气环境中的潮湿敏感器件。 本文件的目的是为表面安装器件(SMD)承制方和用户提供按照IEC 60749-20中规定进行等级分类的潮湿、回流焊敏感的SMD的操作、包装、运输和使用的标准方法。提供的这些方法是为了避免因吸收湿气和暴露于回流焊的高温下造成的损伤,这些损伤会造成成品率和可靠性的降低。通过这些程序的应用,实现安全无损的回流焊,元器件通过干燥包装,提供从密封之日起保存于密封干燥袋内的货架寿命。 IEC 60749-20耐焊接热试验中规定了两种水汽浸渍试验方法,方法A和方法B。方法A在假设防潮袋内相对湿度小于30%的前提下规定的。方法B是在假设承制方暴露时间(MET)不超过24h,且防潮袋内相对湿度小于10%的前提下规定的。在实际操作环境中,使用方法A的SMD允许吸收湿气达到相对湿度30%,使用方法B的SMD允许吸收湿气达到相对湿度10%。本文件规定了在上述试验条件下SMD的操作条件。 注:气密封装的SMD不是潮湿敏感器件,不要求防潮湿处理。

适用范围：本文件规定了仿生红外芯片的术语和定义、技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存等内容。本文件适用于以仿生原理设计，用于红外信号发射、接收、转换的半导体芯片，不适用于集成后的终端整机产品。 《仿生红外芯片》规定了仿生红外芯片的术语和定义、技术要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存等内容。明确了模仿生物红外感知或发射机制（如蛇类颊窝器官、生物组织共振特性），实现红外信号探测、转换或定向发射的半导体器件的仿生红外芯片概念。涵盖仿生红外芯片的材料、外观与尺寸、性能指标、皮肤刺激性、生物安全性的技术要求。提出了红外波长与功率、发射率、面功率密度、超高频频率、成像性能、传感灵敏度、环境适应性、皮肤刺激性、生物安全性等的试验方法。明确出厂检验和型式检验以及判定规则。明确标识信息、包装运输及贮存等要求

适用范围：本文件规定了高旋场仿生红外模组的技术要求、试验方法、检验规则、标志、使用说明书、包装、运输和贮存。 本文件适用于以生物共振半导体为主要材质设计、加工、生产及销售的高旋场仿生红外模组产品。 使用环境、外观、一般要求、噪声、安全性能：主要参照了通用家电及类似电器产品的国家标准，如GB 4706.1《家用和类似用途电器的安全 第1部分：通用要求》、GB/T 4214.1《家用和类似用途电器噪声测试方法 通用要求》等，以确保产品的基本安全与用户体验。 性能参数（启动电压、工作时间、芯片核数、旋转半径、光谱波长及功率、最大感测距离）：这些核心指标是基于产品设计原理、大量实验室测试数据及市场主流产品的性能水平综合确定的。例如，“仿生红外芯片核数≥30核”、“有效光谱波长范围为640nm和880nm”等要求，旨在保证产品能够有效生成具有特定物理效应的涡旋红外波，是产品功能实现的基础。 开关耐久性、使用寿命：根据产品预期的使用频率和寿命目标设定，确保产品的可靠性和耐用性。 环境可靠性（高温、低温、湿热、振动、跌落）：参照GB/T 2423系列电工电子产品环境试验标准，设定了严于常规使用环境的试验条件，以验证产品在运输、储存及各种使用场景下的稳定性

适用范围：本文件规定了制定大功率双极型晶体管详细规范的要求、试验条件和检验要求、包装、运输和贮存。 本文件适用于大功率双极型晶体管详细规范的制定。

适用范围：本文件规定了半导体分立器件（以下简称“器件”）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输和贮存要求。 本文件适用于除光电子器件和分立器件模块之外的半导体分立器件。

适用范围：本文件规定了半导体分立器件的外形尺寸。 本文件适用于半导体分立器件的封装设计。

适用范围：本文件界定了半导体分立器件包括整流二极管，信号、开关和调整二极管，晶闸管，双极型晶体管，场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管，绝缘功率半导体器件和微波应用中的二极管和晶体管的文字符号。 本文件适用于半导体分立器件有关标准和产品技术资料的编写。

适用范围：本文件规定了小功率双极型晶体管(以下简称器件)(包括高低频小功率双极型晶体管和小功率双极型开关晶体管)的技术要求和质量保证规定。 本文件适用于小功率双极型晶体管详细规范的制定。

适用范围：本文件规定了适用于IEC 60747其他部分及IEC 60748(所有部分)所涵盖的半导体分立器件和集成电路的通用要求(见附录A)。 注:本文件与上一版(1998年版)章条结构的比较见附录B。

适用范围：本文件适用于硅晶圆及化合物半导体晶圆进行自动化明场光学缺陷检测设备。 本文件规定了全自动明场光学晶圆缺陷检测设备技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等内容

适用范围：本文件适用于硅晶圆及化合物半导体晶圆对微米级及亚微米级表面缺陷进行自动化暗场检测的设备。 本文件规定了高精度暗场扫描式晶圆缺陷检测设备的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等内容

适用范围：本文件为评价因硫化氢导致的发光二极管(LED)封装银和银合金变色提供了一种加速试验方法，目的是确定银和银合金变色对LED封装光通量和辐射通量维持率的影响提供相关信息。此外，该试验方法能够为LED封装的电性能因受到银和银合金腐蚀的影响提供相关信息。 试验的目的是确定硫化氢气体对LED封装材料的影响： ——银或银合金； ——有其他保护层的银或银合金； ——用银或银合金覆盖的金属。 本文件不包含因其他因素退化导致的光通量维持率、辐射通量维持率和电性能(例如，铜或硅酮部件的降解)变化。 本文件仅适用于照明应用的LED封装。

适用范围：本文件依据元器件和微电路对规定的带电器件模型(CDM)静电放电(ESD)所造成损伤或退化的敏感度,建立了元器件和微电路的ESD测试、评价、分级的程序。本文件适用于评价所有半导体封装器件、薄膜电路、声表面波(SAW)器件、光电器件、混合集成电路(HICs)及包括任意这些器件的多芯片组件(MCMs)。为进行测试，元器件需装配在与终端应用相似的封装中。本文件涉及的CDM模型不适用于插座式放电模型测试设备。本文件描述了场感应(FI)方法，另一种能作为替代的直接接触(DC)法见附录J。 本文件的目的是建立一种能够复现CDM失效并为不同测试设备间提供可靠、可重复的CDM ESD测试结果且不区分器件类型的测试方法。重复性数据保证了CDM ESD敏感度等级的准确划分及对比。

适用范围：本文件确立了非易失性存储器(以下简称“器件”)根据鉴定规范进行有效的耐久性、数据保持和交叉温度试验的程序。耐久性和数据保持鉴定规范鉴定要求(针对循环计数、保持时间、温度和样本量)参考JESD47或者类似JESD94中的方法。

适用范围：本文件描述了一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元的性能测试方法。本文件中的性能测试方法所测试的性能包括读、电预处理、置位、复位、耐久性和保持性。 本文件适用于柔性和刚性电阻存储器件，且不受器件的工艺和尺寸限制。

适用范围：本文件规定了使用电流耦合人体通信的胶囊内窥镜半导体接口电气性能的通用要求，包括接口的一般要求和功能要求。本文件涵盖的半导体接口是在人体内的胶囊内窥镜和人体外接收设备中的人体通信调制解调器之间处理或传输电信号的接口。 注： 使用人体通信胶囊内窥镜的其他信息见附录A。

适用范围：本文件规定了半导体分立器件型号的命名方法。 本文件适用于各种半导体分立器件的型号命名。