适用范围：范围:本文件规定了集成电路铜镍硅引线框架材料的分类和要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件、订货单内容。 本文件适用于集成电路铜镍硅引线框架材料; 主要技术内容:本文件规定了集成电路铜镍硅引线框架材料的分类和要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件、订货单内容。本文件适用于集成电路铜镍硅引线框架材料

适用范围：主要技术内容:本文件规定了系统级/集成芯片设计中的芯粒/芯片的逻辑互联的网表格式。本文件适用于系统级/集成芯片设计中的逻辑互联表示、连接完整性检查、多物理场分析等

适用范围：主要技术内容:本文件规定了统一的形式验证指引技术规范，用于表述数字电路在实现和与优化过程中的发生的电路变换并加速验证过程。本文件适用于数字实现工具与形式验证工具之间传递指引信息

适用范围：范围:本文件规定了工业MEMS测试平台（以下简称平台）的建设要求、核心组成、测试要求等内容。 本文件适用于工业类MEMS器件的基础性测试、验收工作; 主要技术内容:本文件规定了工业MEMS测试平台（以下简称平台）的建设要求、核心组成、测试要求等内容

适用范围：范围:本文件适用于动力电池系用集成母排的热压合工艺; 主要技术内容:本文件规定了集成母排（CCS）热压合工艺规范的总体要求、工艺流程、具体方法、技术要求与检测方法等内容

适用范围：范围:本文件适用于动力电池系统用集成母排的电气性能测试，其他类型集成母排可参考执行; 主要技术内容:本文件规定了集成母排（CCS）电气性能的测试人员与机构要求、测试条件、测试步骤和测试报告等内容

适用范围：本文件规定了合成频率源的定义、技术要求和检验规则、标志，描述了测试方法。 本文件适用于采用微波混合集成电路工艺设计、制造的合成频率源。

适用范围：范围:本文件规定了集成电路金属封装外壳的性能要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于半导体集成电路金属外壳，混合集成电路金属外壳可参照执行; 主要技术内容:本文件规定了集成电路金属封装外壳的性能要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于半导体集成电路金属外壳，混合集成电路金属外壳可参照执行

适用范围：主要技术内容:本文件规定了系统级封装（SiP）的一般要求、材料要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于芯片倒装、引线键合芯片、无源器件等封装的设计、生产、检验以及验收

适用范围：本文件规定了半导体集成电路射频发射器和接收器（以下简称器件）的电特性测试方法的基本原理和测试程序。 本文件适用于具有接收功能、发射功能、收发一体功能的一次变频射频发射器/接收器，其他类型的发射器和接收器可参考使用。

适用范围：范围:本文件规定了半导体刻蚀设备的基本要求、性能要求、试验方法与检验规则和标志、包装及运输。 本文件适用于半导体刻蚀设备，限于多晶硅逻辑器件的刻蚀，特别是有源区AA和多晶硅栅Poly gate工艺; 主要技术内容:本文件规定了半导体刻蚀设备的基本要求、性能要求、试验方法与检验规则和标志、包装及运输。本文件适用于半导体刻蚀设备，限于多晶硅逻辑器件的刻蚀，特别是有源区AA和多晶硅栅Poly gate工艺

适用范围：本文件规定了直接用1 Ω阻性探头测量射频(RF)电流和150 Ω耦合网络测量RF电压以测量集成电路(IC)传导电磁发射(EME)的方法。这些方法可确保EME测量具有高度的可重复性和相关性。

适用范围：本文件规定了在传导射频(RF)骚扰存在的情况下集成电路(IC)抗扰度的测量方法，例如，由辐射RF骚扰引起的传导RF骚扰。本方法确保抗扰度测量的高度可重复性和相关性。 本文件为设备中的半导体器件在无用RF电磁波环境下工作时的评估建立公共基础。

适用范围：范围:本文件适用于在汽车电子系统中使用的高可靠性高集成柔性电路，包括但不限于汽车中控升降屏、胎压压力传感器、Z轴按键压力传感器等领域的柔性电路连接部件; 主要技术内容:本文件规定了车载高可靠性高集成柔性电路技术要求、试验方法、检验规则以及包装、运输和贮存等技术要求

适用范围：主要技术内容:本文件规定的数字旋变转换器（DRC）能够实现高精度二进制数字角度到正/余弦模拟角度的转换，是智能控制系统设计、检测、应用中的一个重要环节，在直流无刷和交流电机控制、机床控制、转轴控制、伺服控制和前沿机器人技术等角度位置控制领域和系统都有巨大应用潜力

适用范围：主要技术内容:本标准深入调研和广泛征求国内芯片设计厂商、封装厂商、知识产权(IP)供应商以及不同技术应用企业的专业需求与建议，制定了适用于多芯粒（Chiplet）在32Gbps及以上的高速率下的互联接口标准，定义了：1、基于差分串行信号的互联方案，提高信号传输的稳定性和可靠性；2、结合国产化封装工艺，优化了封装友好性，大大降低封装成本；3、提出Lane交叉和极性翻转特性，使封装更加灵活；4、简化建链和初始化流程，降低应用门槛和软件代价；5、定义丰富的可测性设计和出错重传机制，提国产化高封装良率和传输可靠性；6、提出基于重传的反压机制，提高整体系统的鲁棒性

适用范围：主要技术内容:本文件规定了陶瓷封装技术的术语和定义、一般要求、材料要求、工艺要求、性能要求、环境、健康与安全、标识、包装、运输和贮存。本文件适用于陶瓷封装技术

适用范围：范围:本文件规定了温度补偿衰减器（以下简称“衰减器”）的产品型号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于直流至40GHz频段范围内微波无源系统中所使用的温度补偿衰减器，其他频段的衰减器可参照使用; 主要技术内容:本文件规定了温度补偿衰减器（以下简称“衰减器”）的产品型号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存

适用范围：主要技术内容:本文件规定了企业级芯片设计技术平台的总体要求、芯片设计流程管理、人员与团队管理、数据管理、项目进度与质量管理、文档管理以及变更管理的内容

适用范围：范围:本文件规定了储能变换器启停机、功率控制、并离网切换、报警和保护、绝缘电阻检测、通信、运行信息监测、统计、数据显示和存储等功能要求，电气性能和安全性能等性能要求，以及分类和编码、正常工作条件，外观和防护等级，电磁兼容、辅助系统、检验规则、标志、包装、运输和贮存等要求。 本文件适用于以电化学电池作为储能载体，交流端口电压在35 kV及以下储能变换器的设计、制造、试验、检测、运行、维护和检修; 主要技术内容:本文件规定了储能变换器启停机、功率控制、并离网切换、报警和保护、绝缘电阻检测、通信、运行信息监测、统计、数据显示和存储等功能要求，电气性能和安全性能等性能要求，以及分类和编码、正常工作条件，外观和防护等级，电磁兼容、辅助系统、检验规则、标志、包装、运输和贮存等要求。本文件适用于以电化学电池作为储能载体，交流端口电压在35 kV及以下储能变换器的设计、制造、试验、检测、运行、维护和检修