适用范围：本文件描述了采用MEMS结构谐振法的薄膜材料弯曲疲劳的试验方法,采用长度和宽度尺寸都在10 μm~1 000 μm,厚度在1 μm~100 μm 的谐振微结构,适用于长度和宽度都小于1 mm,厚度为0.1 μm~10 μm的薄膜材料的弯曲疲劳试验。 用于MEMS的主要结构的薄膜材料常具有微米级的典型尺寸,采用沉积工艺生长,通过光刻等非机械方式加工。通常MEMS结构比非MEMS结构具有更高的固有谐振频率和强度,为了评估和确认MEMS结构的寿命,需加载高至10 12次的载荷周期来进行疲劳试验。本文件规定的试验方法,通过高载荷和高频弯曲应力的谐振,在短时间里评估微观尺度材料的机械疲劳特性。

适用范围：本文件描述了柔性MEMS器件在弯曲形变下的电特性测试方法，包括位于柔性薄膜上或嵌入柔性薄膜中的无源和（或）有源器件。 本文件适用的器件的水平尺寸典型范围为1 mm~300 mm，垂直尺寸典型范围为10 μm~1 mm，但这并不是被测器件的极限值。本测试方法是将器件以准静态的方式单向弯曲直至达到最大可能曲率，即器件完全弯折，以获得器件在弯曲变形下电特性的全部损耗特性。本文件对器件在一定弯曲变形下的安全性评价，以及对使用这些器件的产品的可靠性设计有重要意义。

适用范围：本文件规定了微波集成电路变频器的基本额定值和特性,描述了测试方法。

适用范围：本文件描述了符合IEC 60191-4封装外形的分类形式E中小外形J形引线封装(SOJ)的尺寸测量方法。

适用范围：本文件描述了评估MEMS压电薄膜材料在温度、湿度环境应力和电应力条件下的耐受试验方法，以及进行质量评估的试验条件,即规定了在温度、湿度和外加电压条件下评价试验器件耐久性的试验方法和试验条件。主要应用于硅基上形成的压电薄膜（即用作执行器的压电薄膜）的逆压电性能的评价。 本文件不包括可靠性评估，如基于威布尔分布预测压电薄膜寿命的方法。

适用范围：本文件描述了用于测量带状薄膜拉伸特性的弯曲试验方法，与常规拉伸测试相比，该方法操作难度适中，具有精度高和可重复的优点。本方法适用于厚度在50 nm到几微米（μm）之间，且长度和厚度的比值大于300的试样。 在微机电系统(MEMS)中，两个固定支点之间的悬空带状薄膜（或梁）被广泛采用。与制造传统的拉伸试样相比，制造这种带状薄膜样品比较容易，且测试过程简单，很容易实现自动化。本文件能用于MEMS生产过程中的质量控制测试，与传统拉伸测试相比，其测试效率更高。

适用范围：本文件描述了长度、宽度尺寸均小于1 mm,且厚度尺寸在0.1 μm~10 μm之间的薄膜材料在恒定力范围或者恒定位移范围内的轴向拉伸疲劳试验方法。薄膜是微机电系统(MEMS)和微机械的主要结构材料。 用于MEMS、微机械等的主要结构材料具有特殊特征,例如微米级的典型尺寸,采用沉积工艺制造材料,通过非机械方式(包括光刻)加工试样。本文件描述了微型光滑试样的轴向力疲劳试验方法,该方法能保证与特殊特征相对应的精度。试验在室温、空气中进行,载荷沿试样的纵轴加载。

适用范围：本文件规定了进行数字信号收发的硅通孔（TSV）的电气特性参考模型，用于三维集成电路（3D IC）接口设计，并描述了3D IC中表征TSV特性的电阻和电容的测试方法。 适用于本文件的三维集成电路如下： ——应用：数字消费和移动设备； ——工作电压：0.1 V~5.0 V； ——工作频率：小于2.0 GHz。 本文件不适用于测试设备。图1是一个多芯片互连系统的典型示例，用于后续规范的说明。

适用范围：本文件描述了MEMS惯性冲击开关阈值的测试条件和测试方法。 本文件适用于常开型MEMS惯性冲击开关。

适用范围：本文件描述了通过对微电子机械系统（MEMS）薄膜材料施加单轴和双轴载荷以测试和计算泊松比的方法。 本文件适用于长度和宽度小于10 mm、厚度小于10 μm的MEMS薄膜材料。

适用范围：本文件规定了车规级MEMS半导体气体传感器的分类、基本参数、性能要求、试验方法。 本文件适用于采用MEMS工艺制作的车规级MEMS半导体气体传感器的设计、生产和检验。包括车内/外空气质量传感器、车载人体呼出气体传感器、汽车尾气传感器、新能源车动力安全气体传感器（如车用动力电池安全气体传感器和燃料电池车安全气体传感器)等。

适用范围：本文件规定了微机电系统（MEMS）中硅通孔三维结构可靠性评价的样品、失效模式分类及可靠性评价项目，以及参数评价、内外部形貌评价、热应力特性评价、电应力特性评价、机械特性评价、互连特性评价和三维结构评价的要求。 本文件适用于单层或多层堆叠的TSV三维结构的可靠性评价，其中的TSV结构可以是仅通孔侧壁有金属、孔内部填实金属或孔局部填实金属。

适用范围：本文件描述了MEMS电容式麦克风圆片级和器件级性能的试验条件和试验方法。 本文件适用于在空气中使用、频率范围为20 Hz~20 kHz的MEMS电容式麦克风。

适用范围：本文件规定了一种标准试验片，用于保证长度和宽度均小于1 mm、厚度小于10 μm的薄膜材料拉伸试验的适用性和准确性，该类薄膜材料是微机电系统（MEMS)、微机械和同类器件使用的主要结构材料。 本文件为了确保拉伸试验系统的适用性和准确性，测试用标准试验片的拉伸强度应是可预计的，且在测试系统测试范围内。同时也对试验片进行了详细规定，以最小化试验片之间的性能偏差。

适用范围：本文件描述了长度和宽度均小于1 mm，厚度小于10 μm的薄膜材料的拉伸试验方法，该类薄膜材料是微机电系统（MEMS)、微机械和同类微型器件的主要结构材料。 微机电系统、微机械和同类微型器件使用的薄膜结构材料具有一些特殊特征，如典型尺寸为微米级、材料采用淀积工艺制备、试验片通过刻蚀和光刻等非机械加工工艺制备。本文件规定的试验方法，能保证这类特殊性材料试验结果的准确性。

适用范围：本文件描述了评估集成电路（IC）表面或附近的近电场、近磁场或近电磁场分量的测量方法。本测量方法旨在用于IC的架构分析，例如平面规划和配电优化。本测量方法也适用于测量扫描探头能够靠近的、安装在任何电路板上的IC。某些情况下，本测量方法不仅能扫描IC，还能扫描IC的环境。为了对比不同IC的表面扫描发射，宜使用IEC 61967-1规定的标准试验板。 本测量方法提供了IC上方的电场或磁场的近场发射图。测量探头的性能和探头定位系统的精度决定了测量的分辨率。本方法预期使用的最高频率为6 GHz。使用现有探头技术可以扩展上限频率范围，但这超出了本文件的范围。测量能在频域进行，也能在时域进行。

适用范围：本文件描述了一种测量集成电路（IC）电磁辐射的方法。受试IC需安装在一块IC试验印制电路板（PCB）上，该PCB固定在横电磁波（TEM）小室或者吉赫兹横电磁波（GTEM）小室顶部或底部切割出的一个匹配端口（称为壳体端口）上。该PCB不像通常用法位于小室内，而是作为小室壁面的一部分。本方法适用于任何修改后增加了壳体端口的TEM小室或GTEM小室（见附录B）。但是，被测的射频（RF）电压将会受到很多因素的影响。影响被测RF电压的主要因素是芯板和IC试验PCB（小室壳体）之间的距离。 本方法使用1 GHz TEM小室（芯板与地平面距离为45 mm）和GTEM小室（芯板与匹配端口区域地平面平均距离为45 mm）进行试验。其他小室或许不用产生同样的频谱输出，但只要频率和灵敏度特性允许，也能用作比较测量使用。对于地平面与芯板间距不同的TEM小室或GTEM小室产生的测量数据，在应用修正系数后再进行比较。 IC试验PCB控制着工作的IC相对于小室的几何位置和方向，避免了IC在小室内的任何电缆连接（这些线缆布置于PCB背面，位于小室外部）。TEM小室的一个50 Ω端口端接50 Ω负载。TEM小室的另一个50 Ω端口或GTEM小室的唯一一个50 Ω端口，连接到频谱分析仪或接收机的输入端，用以测量IC产生的并传递在小室芯板上的射频发射。

适用范围：本文件规定了集成电路（IC）的宏模型以仿真印制电路板上的传导电磁发射。该模型通常称为集成电路发射模型-传导发射（ICEM-CE）。 ICEM-CE宏模型能用于对IC晶片、功能块和知识产权（IP）块进行建模。 ICEM-CE宏模型还能用于对数字IC和模拟IC进行建模。

适用范围：本文件描述了使用带状线测量集成电路（IC）电磁辐射发射的方法。被评估IC安装在IC带状线结构的有效导体和地平面之间的EMC试验板（PCB）上。