适用范围：《半导体器件集成电路》的本部分适用于作为目录内电路或定制电路而制造的、其质量是以鉴定批准为基础评定的膜集成电路和混合膜集成电路。 本部分的目的是为额定值和特性提供优先值，从总规范中选择合适的试验和测量方法，并且给出根据本部分制定的膜集成电路和混合膜集成电路详细规范使用的通用性能要求。 优先值的概念直接应用于目录内电路，但是不必应用于定制电路。 参照本部分制定的详细规范所规定的试验严酷等级和要求可等于或高于分规范的性能水平，不准许有更低的性能水平。 同本部分相联系的有一个或多个空白详细规范，每个空白详细规范均给以编号。按照2.3规定填写空白详细规范，即构成一个详细规范。按IECQ体系的规定，该类详细规范可用于膜集成电路和混合膜集成电路鉴定批准的授与和质量一致性检验。

适用范围：IEC电子元器件质量评定体系遵循IEC章程并在IEC授权下工作。该体系的目的是确定质量评定程序，以这种方式使一个参加国家按有关规范要求放行的电子元器件无需进一步试验而为其他所有参加国同样接受。 编制详细规范时，将总规范中3.5和分规范中2.3和3.2的内容考虑进去。

适用范围：《半导体器件的机械标准化》的本部分规定了采用载带自动焊（TAB）作为结构和互连主要构成的集成电路封装推荐值。本部分适用于制造厂供给用户的成品单元，对集成电路（IC）到载带的互连（内引线焊接）没有明确要求。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路存储器的引出端排列。本标准适用于半字节动态存储器、字宽动态存储器、字节宽动态存储器、半字节同步动态存储器、字节宽同步动态存储器、字宽同步动态存储器的引出端排列。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能测试的基本方法。 本标准适用于半导体集成电路领域中快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能的测试。

适用范围：本标准规定了焊柱阵列（CGA）的试验方法。 本标准适用于采用焊柱阵列（CGA）封装形式的集成电路（以下简称器件），焊柱包括高铅焊柱、微线圈焊柱、铜带缠绕型焊柱、基板增强型焊柱、镀铜焊柱等。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试的方法。 本标准适用于半导体集成电路领域中第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)功能验证和电参数测试。

适用范围：本标准规定了MEMS电场传感器(以下简称“传感器”)的原材料、结构组成、技术要求、试验项目和方法、检验规则、包装、存储和运输。 本标准适用于MEMS电场传感器的研制、生产和采购。其他类型的电场传感器可参照使用。

适用范围：GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用，半导体芯片产品包括：●晶圆；●单个裸芯片；●带有互连结构的芯片和晶圆；●最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分规定了所需的热仿真信息，在于促进电子系统热学行为和功能验证仿真模型的使用。电子系统包括带或不带互连结构的半导体裸芯片，和(或)最小封装的半导体芯片。本部分是为了使芯片产品供应链所有的环节都满足IEC 622581和IEC 622582的要求。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路 低电压差分信号（LVDS，low voltage differential signaling）电路（以下称为“器件”）静态参数、动态参数测试方法的基本原理。本标准适用于低电压差分信号电路静态参数、动态参数的测试。

适用范围：为了给设备的电气特性分析提供标准，需要考虑以下条目从而使得集成电路的输入信号、输出信号、电源、地端口的电气模型标准化：a)在已有标准基础上进行标准化以解决目前存在的问题以及扩大分析能力。b)为电子电路定义更多灵活的描述规则，以提供更准确的PCB分析。c)引入建模等级概念，为每一个应用提供相关数据。d)完善封装和模块的电气模型。

适用范围：本标准规定了双极、MOS、结型场效应半导体集成电路模拟开关(以下称为器件)参数测试方法。本标准适用于半导体集成电路模拟开关，也适用于多路转换器参数的测试。

适用范围：GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用，半导体芯片产品包括：●晶圆；●单个裸芯片；●带有互连结构的芯片和晶圆；●最小或部分封装的芯片和晶圆。本部分规定了所需的电仿真信息，目的在于促进电子数据、电子系统电学行为和功能验证仿真模型的使用。电子系统包括带或不带互连结构的半导体裸芯片，和(或)最小封装的半导体芯片。本部分是为了使芯片产品供应链中所有的环节都满足IEC 622581和IEC 622582的要求。

适用范围：GB/T 35010的本部分用于指导半导体芯片产品的生产、供应和使用。其中半导体芯片产品包括：--晶圆；--单个裸芯片；--带有互连结构的芯片与晶圆；--最小或部分封装的芯片与晶圆。本部分规定了一种XML格式，该格式定义了数据交换所需的元素，满足IEC 622581、IEC 622585、IEC 622586的实施要求，同时对IEC 622582中定义的交换结构进行补充。本部分也补充并兼容IEC/TR 622584中的调查表。

适用范围：本标准规定了串行与非（NAND）型快闪存储器（以下称为器件）的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于串行NAND型快闪存储器的设计和使用。

适用范围：本标准规定了电压调整器(以下称为器件)参数测试方法。本标准适用于半导体集成电路领域中电压调整器参数的测试。

适用范围：GB/T 35010的本部分给出了半导体芯片产品操作、包装和贮存过程中的一般要求。本部分适用于指导半导体芯片产品（以下简称芯片产品)的操作、包装、贮存和使用。本部分所指的半导体芯片产品包括：--晶圆；--单个裸芯片；--带有互连结构的芯片和晶圆；--最小或部分封装芯片和晶圆。

适用范围：本标准规定了倒装焊集成电路封装工艺中凸点共面性、凸点剪切力、芯片剪切拉脱力、焊点缺陷、底部填充缺陷等方面相关的物理试验方法。本标准适用于陶瓷封装或塑料封装的倒装焊单片集成电路。