• GB/T 35007-2018 半导体集成电路 低电压差分信号电路测试方法 现行
    译:GB/T 35007-2018 Semiconductor integrated circuits—Measuring method of low voltage differential signaling circuitry
    适用范围:本标准规定了半导体集成电路 低电压差分信号(LVDS,low voltage differential signaling)电路(以下称为“器件”)静态参数、动态参数测试方法的基本原理。本标准适用于低电压差分信号电路静态参数、动态参数的测试。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-03-15 | 实施时间: 2018-08-01
  • GB/T 35004-2018 数字集成电路 输入/输出电气接口 模型规范 现行
    译:GB/T 35004-2018 Logic digital integrated circuits—Specification for I/O interface model for integrated circuit
    适用范围:为了给设备的电气特性分析提供标准,需要考虑以下条目从而使得集成电路的输入信号、输出信号、电源、地端口的电气模型标准化:a)在已有标准基础上进行标准化以解决目前存在的问题以及扩大分析能力。b)为电子电路定义更多灵活的描述规则,以提供更准确的PCB分析。c)引入建模等级概念,为每一个应用提供相关数据。d)完善封装和模块的电气模型。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-03-15 | 实施时间: 2018-08-01
  • GB/T 14028-2018 半导体集成电路 模拟开关测试方法 现行
    译:GB/T 14028-2018 Semiconductor integrated circuits—Measuring method of analogue switch
    适用范围:本标准规定了双极、MOS、结型场效应半导体集成电路模拟开关(以下称为器件)参数测试方法。本标准适用于半导体集成电路模拟开关,也适用于多路转换器参数的测试。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-03-15 | 实施时间: 2018-08-01
  • GB/T 4377-2018 半导体集成电路 电压调整器测试方法 现行
    译:GB/T 4377-2018 Semiconductor integrated circuits—Measuring method of voltage regulators
    适用范围:本标准规定了电压调整器(以下称为器件)参数测试方法。本标准适用于半导体集成电路领域中电压调整器参数的测试。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-03-15 | 实施时间: 2018-08-01
  • GB/T 35009-2018 串行NAND型快闪存储器接口规范 现行
    译:GB/T 35009-2018 Specification for serial NAND flash interface
    适用范围:本标准规定了串行与非(NAND)型快闪存储器(以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于串行NAND型快闪存储器的设计和使用。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-03-15 | 实施时间: 2018-08-01
  • GB/T 35003-2018 非易失性存储器耐久和数据保持试验方法 现行
    译:GB/T 35003-2018 Test methods for endurance and data retention of non-volatile memory
    适用范围:本标准规定了非易失性存储器耐久和数据保持试验的方法。本标准适用于电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器(Flash)以及内嵌上述存储器的集成电路(以下简称器件)。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-03-15 | 实施时间: 2018-08-01
  • GB/T 35008-2018 串行NOR型快闪存储器接口规范 现行
    译:GB/T 35008-2018 Specification for serial NOR flash interface
    适用范围:本标准规定了串行或非(NOR)型快闪存储器(以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于地址为24位的串行NOR型快闪存储器的设计和使用。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-03-15 | 实施时间: 2018-08-01
  • GB/T 35006-2018 半导体集成电路 电平转换器测试方法 现行
    译:GB/T 35006-2018 Semiconductor integrated circuits—Measuring method of level converter
    适用范围:本标准规定了半导体集成电路电平转换器(以下称为器件)功能、静态参数和动态参数的测试方法。本标准适用于半导体集成电路电平转换器功能、静态参数和动态参数的测试。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-03-15 | 实施时间: 2018-08-01
  • GB/T 33657-2017 纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范 现行
    译:GB/T 33657-2017 Nanotechnologies—Electrical operating parameter test specification of wafer level nano-scale phase change memory cells
    适用范围:本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范,其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料,基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100 nm的相变存储单元,100 nm~300 nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2017-05-12 | 实施时间: 2017-12-01
  • GB/T 15878-2015 半导体集成电路 小外形封装引线框架规范 现行
    译:GB/T 15878-2015 Semiconductor integrated circuits—Specification of leadframes for small outline package
    适用范围:本标准规定了半导体集成电路小外形封装(SOP)引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。 本标准适用于半导体集成电路小外形封装冲制型引线框架。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-05-15 | 实施时间: 2016-01-01
  • GB/T 14112-2015 半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范 现行
    译:GB/T 14112-2015 Semiconductor integrated circuits—Specification for stamped leadframes of plastic DIP
    适用范围:本标准规定了半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。本标准适用于双列(DIP)冲制型引线框架。单列冲制型引线框架亦可参照使用。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-05-15 | 实施时间: 2016-01-01
  • GB/T 15876-2015 半导体集成电路 塑料四面引线扁平封装引线框架规范 现行
    译:GB/T 15876-2015 Semiconductor integrated circuits—Specification of leadframes for plastic quad flat package
    适用范围:本标准规定了半导体集成电路塑料四面引线扁平封装引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。 本标准适用于半导体集成电路塑料四面引线扁平封装冲制型引线框架。塑料四面引线扁平封装刻蚀引线框架也可参照使用。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-05-15 | 实施时间: 2016-01-01
  • GB/T 16525-2015 半导体集成电路 塑料有引线片式载体封装引线框架规范 现行
    译:GB/T 16525-2015 Semiconductor integrated circuits—Specification of leadframes for plastic leaded chip carrier package
    适用范围:本标准规定了半导体集成电路塑料有引线片式载体(PLCC)封装引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。 本标准适用于半导体集成电路塑料有引线片式载体(PLCC)封装引线框架的研制、生产和采购。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-05-15 | 实施时间: 2016-01-01
  • GB/T 15877-2013 半导体集成电路 蚀刻型双列封装引线框架规范 现行
    译:GB/T 15877-2013 Semiconductor integrated circuits—Specification of DIP leadframes produced by etching
    适用范围:本标准规定了半导体集成电路蚀刻型双列封装引线框架(以下简称引线框架)的技术要求和试验方法及检验规则。 本标准适用于半导体集成电路蚀刻型双列(DIP)封装引线框架(镀金及镀银),单列蚀刻型引线框架亦可参照使用。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2013-12-31 | 实施时间: 2014-08-15
  • GB/T 17574.11-2006 半导体器件 集成电路 第2-11部分:数字集成电路 单电源集成电路电可擦可编程只读存储器 空白详细规范 现行
    译:GB/T 17574.11-2006 Semiconductor devices—Integrated circuits—Part 2-11:Digital integrated circuits—Blank detail specification for single supply integrated circuit electrically erasable and programmable read-only memory
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2006-12-05 | 实施时间: 2007-05-01
  • GB/T 17574.9-2006 半导体器件 集成电路 第2-9部分:数字集成电路 紫外光擦除电可编程MOS只读存储器 空白详细规范 现行
    译:GB/T 17574.9-2006 Semiconductor devices—Integrated circuits—Part 2-9:Digital integrated circuits—Blank detail specification for MOS ultraviolet light erasable electrically programmable read-only memories
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2006-12-05 | 实施时间: 2007-05-01
  • GB/T 17574.20-2006 半导体器件 集成电路 第2-20部分:数字集成电路 低压集成电路族规范 现行
    译:GB/T 17574.20-2006 Semiconductor devices—Integrated circuits—Part 2-20:Digital integrated circuits—Family specification—Low voltage integrated circuits
    适用范围:本规范的目的是给出低压集成电路不同分组的接口规范,包括电源电压值、容差和最坏情况下的输入、输出电压极限值。 同时给出每类标称电源电压的两种接口规范:正常范围和宽范围。正常范围是依据工业标准制定的,典型容差大约是10%。宽范围是扩展到一个较宽的范围,可以使电池继续工作的实际值。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2006-12-05 | 实施时间: 2007-05-01
  • GB/T 20515-2006 半导体器件 集成电路 第5部分:半定制集成电路 现行
    译:GB/T 20515-2006 Semiconductor devices—Integrated circuits—Part 5:Semicustom integrated circuits
    适用范围:本标准规定了下列集成电路(IC)分类体系树(见图1)中有关半定制集成电路子类的标准。 注:这个体系树是不封闭的,可以在需要时拓展。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2006-10-10 | 实施时间: 2007-02-01
  • GB/T 12750-2006 半导体器件 集成电路 第11部分:半导体集成电路分规范(不包括混合电路) 现行
    译:GB/T 12750-2006 Semiconductor devices—Integrated circuits—Part 11:Sectional specification for semiconductor integrated circuits excluding hybrid circuits
    适用范围:本分规范适用于已封装的半导体集成电路,包括多片集成电路,但不包括混合电路。
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2006-08-23 | 实施时间: 2007-02-01
  • GB/T 17574.10-2003 半导体器件 集成电路 第2-10部分:数字集成电路集成电路动态 读/写存储器空白详细规范 现行
    译:GB/T 17574.10-2003 Semiconductor devices-Integrated circuits—Part 2-10:Digital integrated circuits-Blank detail specification for integrated circuit dynamic read/write memories
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.200集成电路、微电子学 【中国标准分类号(CCS)】 :L56半导体集成电路
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2003-11-24 | 实施时间: 2004-08-01