GB/T 48166-2026 汽车用多芯片模组(MCM)应力试验要求

ICS31200

CCSL.56

中华人民共和国国家标准

GB/T48166—2026

汽车用多芯片模组MCM应力试验要求

()

StresstestinreuirementsofautomotivemultichimodulesMCM

gqp()

2026-08-28发布2027-03-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T48166—2026

目次

前言

…………………………Ⅴ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语定义和缩略语

3、………………………2

术语和定义

3.1…………………………2

缩略语

3.2………………3

要求

4………………………3

通则

4.1…………………3

多芯片模组鉴定检验流程

4.2…………4

工作温度等级

4.3………………………5

鉴定检验分组

4.4………………………5

文件适用优先顺序

4.5…………………9

通用数据的采用

4.6……………………9

被测样品

4.7……………10

应力试验后的失效判据

4.8……………10

鉴定和重新鉴定

5…………………………10

新器件鉴定

5.1…………………………10

器件变更后重新鉴定

5.2………………11

通过鉴定和重新鉴定的条件

5.3………………………13

无铅工艺器件的鉴定

5.4………………13

对多芯片模组使用铜引线互连的鉴定

5.5……………13

鉴定检验

6…………………13

通用试验

6.1……………13

多芯片模组特定试验

6.2………………13

损耗可靠性试验

6.3……………………14

试验方法

6.4……………14

附录规范性系列器件的鉴定

A()………………………21

通则

A.1………………21

器件

A.2………………21

制造工艺

A.3…………………………21

封装工艺塑封或陶封或倒装焊

A.4-BGA…………22

鉴定和重新鉴定的批次

A.5…………23

通用数据应用

A.6……………………23

Ⅰ

GB/T48166—2026

涉及多个地点或多个系列的鉴定

A.7………………25

附录规范性鉴定计划关键信息和结果

B()、…………26

通则

B.1…………………26

鉴定计划

B.2……………26

鉴定关键信息和结果

B.3………………26

附录资料性器件相关信息

C()…………27

附录规范性铜引线互连器件可靠性试验要求

D()……………………31

目的

D.1…………………31

铜线互连封装鉴定要求

D.2……………31

铜引线互连器件可靠性试验流程

D.3…………………32

附录规范性应力试验和任务剖面

E()…………………34

通则

E.1…………………34

基本关系

E.2……………34

电控单元级基本评估环节

E.3…………37

器件级任务剖面验证环节

E.4…………37

器件级鲁棒性验证环节

E.5……………37

附录规范性引线键合试验前的塑料封装开帽

F()……………………38

目的

F.1…………………38

技术要求

F.2……………38

附录规范性早期失效率试验要求

G()…………………39

目的

G.1………………39

说明

G.2………………39

样品数量

G.3…………………………39

接收判据

G.4…………………………39

样品处理

G.5…………………………39

附录规范性非易失性存储器耐久性数据保持和工作寿命试验要求

H()、…………40

目的

H.1………………40

试验分组及试验要求

H.2……………40

附录规范性电气分布测试要求

I()……………………41

目的

I.1…………………41

关键参数的选取

I.2……………………41

测试结果

I.3……………41

附录规范性故障分级要求

J()…………42

目的

J.1…………………42

步骤

J.2…………………42

覆盖率要求

J.3…………………………42

附录规范性电气特性表征要求

K()……………………43

Ⅱ

GB/T48166—2026

目的

K.1………………43

步骤

K.2………………43

附录规范性进行电磁兼容试验的必要条件

L()………44

电磁兼容试验必要条件

L.1……………44

影响辐射发射的因素

L.2………………44

附录规范性进行软错误率测试的必要条件

M()………45

软错误率测试必要条件

M.1…………45

影响软错误率结果的因素

M.2………………………45

新型软错误率测试可能要求的情况

M.3……………45

附录规范性无铅试验要求

N()…………46

目的

N.1………………46

试验项目及试验方法

N.2……………46

附录资料性参数分布测试指南

O()……………………47

目的

O.1………………47

静态参数分布测试

O.2………………47

动态参数分布测试

O.3………………47

附录资料性良率统计分析指南

P()……………………49

目的

P.1…………………49

良率统计分析方法

P.2…………………49

附录规范性玻璃熔封盖板的扭矩试验

Q()……………50

目的

Q.1………………50

设备

Q.2………………50

程序

Q.3………………50

附录规范性板级可靠性试验要求

R()…………………52

目的

R.1………………52

板级可靠性试验要求

R.2……………52

附录规范性多芯片模组跌落试验要求

S()……………54

目的

S.1…………………54

板级可靠性试验要求

S.2………………54

参考文献

……………………58

Ⅲ

GB/T48166—2026

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国集成电路标准化技术委员会归口

(SAC/TC599)。

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院北京经纬恒润科技股份有限公司华为技术有限公

:、、

司上海安路信息科技股份有限公司上海灵动微电子股份有限公司重庆长安汽车股份有限公司中电

、、、、

科芯片技术集团有限公司紫光同芯微电子有限公司北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司

()、、、

杭州广立微电子股份有限公司中芯国际集成电路制造上海有限公司中国汽车工程研究院股份有限

、()、

公司苏试宜特上海检测技术股份有限公司杭州谱析光晶半导体科技有限公司联合汽车电子有限

、()、、

公司

。

本文件主要起草人殷梦迪庞壹夫菅端端陈大为任翔范成建师明王会苹宋占坤袁智皓

:、、、、、、、、、、

沈费钦梅晓玲吴忠洁周荣政谢先立陈晶岩黄晓宗姚福林吴小龙盛敬刚雷黎丽隗合朋

、、、、、、、、、、、、

吴倩刘晓冰陆梅君刘人赫杨莉娟牛刚周昕姜海滔尹研葛金发曹俊许一力邹素瑞

、、、、、、、、、、、、、

邓燕平

。

Ⅴ

GB/T48166—2026

汽车用多芯片模组MCM应力试验要求

()

1范围

本文件规定了汽车用多芯片模组的应力试验要求鉴定重新鉴定和鉴定检验

、、。

本文件适用于汽车用多芯片模组以下简称器件应力试验验证本文件不适用下列情况器件

()。():

被一级供应商或整车厂将多个器件或多芯片模组直接装配到系统的情况

a);

光电半导体器件例如发光二极管

b),;

微机电传感器例如压力传感器

c),;

功率模块例如集成了二极管传感器电容等的功率模块

d),IGBT、MOSFET、、、;

固态硬盘固态驱动器

e)();

组件模组的外部连接不是通过焊接到印刷电路板上使用的情况

f)/。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验低温

GB/T2423.12:A:

半导体器件机械和气候试验方法第部分强加速稳态湿热试验

GB/T4937.44:(HAST)

半导体器件机械和气候试验方法第部分内部水汽测量和其他残余气体

GB/T4937.77:

分析

半导体器件机械和气候试验方法第部分密封

GB/T4937.88:

半导体器件机械和气候试验方法第部分机械冲击器件和组件

GB/T4937.1010:

半导体器件机械和气候试验方法第部分扫频振动

GB/T4937.1212:

半导体器件机械和气候试验方法第部分引出端强度引线牢固性

GB/T4937.1414:()

半导体器件机械和气候试验方法第部分通孔安装器件的耐焊接热

GB/T4937.1515:

半导体器件机械和气候试验方法第部分芯片剪切强度

GB/T4937.1919:

半导体器件机械和气候试验方法第部分塑封表面安装器件耐潮湿和焊

GB/T4937.2020:

接热综合影响

半导体器件机械和气候试验方法第部分可焊性

GB/T4937.2121:

半导体器件机械和气候试验方法第部分键合强度

GB/T4937.2222:

半导体器件机械和气候试验方法第部分高温工作寿命

GB/T4937.2323:

半导体器件机械和气候试验方法第部分加速耐湿无偏置强加速应力

GB/T4937.2424:

试验

半导体器件机械和气候试验方法第部分温度循环

GB/T4937.2525:

半导体器件机械和气候试验方法第部分静电放电敏感度测试

GB/T4937.2626:(ESD)

人体模型

(HBM)

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