适用范围：本文件规定MF5605型热敏电阻器（以下简称热敏电阻器）的详细技术要求、产品质量保证要求和交货准备以及技术性能参数的具体检测试验方法。 本文件适用于热敏电阻器生产过程控制、承制方筛选、鉴定检验、质量一致性检验、用户验收等。 1）试验条件均按照GJB601B-2018《热敏电阻器通用规范》和GJB360B-2009《电子及电气元件试验方法》的规定。对于用户的使用条件超出以上规范试验条件的在详细规范中具体说明； 2）破坏性物理分析（DPA）试验条件完全按照GJB4027A-2006《军用电子元器件破坏性物理分析方法》规定； 3）标称零功率电阻值：本规范的标称零功率电阻值范围为10KΩ～500KΩ，B值范围为220K～800K，可调范围较大，可以根据用户需求定制不同规格的产品； 4）外形尺寸也可以根据用户不同需求进行定制； 5）电阻比和B值是从不同角度和方法表征热敏电阻器同一特性的两个不同参数，两者试验条件也不相同。国内热敏电阻器研制、生产方及用户都习惯采用B值。GJB601B-2018采用电阻比，本规范规定了B值及其试验条件，未规定电阻比及试验条件； 6）短期负荷、负荷寿命：用户实际使用最大功率＜1mW，本规范规定最大额定功率为1mW； 7）低温贮存：采用最低工作温度液氮（77K）为低温贮存工作温度介质； 8）高温贮存：采用比实际最高工作温度高的85℃±3℃为高温贮存温度； 9）温度冲击的极限温度规定为实际工作温度的最低工作温度（77K）和125℃的上限温度，且转换时间大于10min，并且符合低温贮存和高温贮存试验条件的规定； 8）剩余电流、动作电流、不动作电流、表面温度、浪涌电流：MF5605型热敏电阻器属于负温度系数热敏电阻器，其使用主要是测控温用，故不适用； 9）电阻温度特性：只作典型示例不做检验要求； 10）热时间常数：由于使用条件下的热时间常数无法测量，故不适用； 11）耗散常熟：由于使用条件下的耗散常数无法测量，故不适用； 12）可焊性试验：明确试验方法及老化条件； 13）响应时间：热时间常数与热响应时间均是反映电阻器与温度的响应速度，根据用户使用方法，响应时间不适用； 14）引出端强度：明确拉力条件； 15）耐焊接热：浸入深度为距元件本体1.5±0.5mm处（总规范为离电阻体（3~5）mm处）受产品产品结构影响

适用范围：本文件描述了液晶显示用液晶配向膜溶液理化性能中外观、色度、黏度、固含量、水分含量、溶剂含量、颗粒、金属元素含量的测试方法。 本文件适用于液晶显示用液晶配向膜溶液的研发、生产、检验检测和应用验证。

适用范围：本文件描述了有机发光材料电学性能的测试方法,电学性能包括有机发光材料的分子轨道能级以及所制备的有机发光二极管的电压、载流子迁移率。 本文件适用于各类有机发光显示用有机发光材料的研发生产、应用验证、检验检测等。

适用范围：本文件描述了平板显示器偏光片透过率、偏光度、色相、反射率、雾度、光学补偿值的测试方法。 本文件适用于平板显示器用偏光片光学性能的测试。

适用范围：本文件规定了半导体行业用电子级五(二甲氨基)钽的技术要求、检验规则、包装、标志及随货资料、运输、贮存及安全信息的要求,描述了相应的检测方法。 本文件适用于沉积氮化钽、氧化钽和钽掺杂物等钽基薄膜的电子级五(二甲氨基)钽。

适用范围：本文件界定了有机发光显示用偏光片的术语和定义,规定了要求、检验规则、标志、包装、运输和贮存,描述了相应的试验方法。 本文件适用于主动式矩阵驱动有机发光二极管(AMOLED)及被动式矩阵驱动有机发光二极管(PMOLED)显示屏用偏光片的设计、研发、生产、交付和检验。

适用范围：本文件描述了平板显示器偏光片低温、高温、恒温恒湿、冷热冲击、光照老化、折叠屏用偏光片弯折的测试方法。 本文件适用于平板显示器用偏光片可靠性的测试。

适用范围：本文件规定了波长开关的要求和质量评定程序内容。 本文件适用于具有以下特性的纤维光学波长开关（通常指具备有源或无源的器件、组件和系统，以下简称“波长开关”）。 ——波长开关采用有源驱动机制，而光路部分是无源的，即不包括光放大和光电转换。 ——波长开关的功能仅限于对光的路由切换，而不兼具功率分配功能。即不包括信号广播功能。 ——波长开关的功率传输端口不少于两个，端口间的路由切换状态也不少于两种。 ——端接形式是光纤或光纤连接器。 本文件规定的波长开关包含无源光路。除衰减外，其他信号性能要求与信号类型无关。但特别关注某些切换技术和波长识别技术可能对信道传输信号有影响，因此需要考虑空间串扰、工作波长范围内串扰和偏振效应等性能。 波长切换通常包括波长的分离、路由选择和复用。因此，波长开关可能包括多个光学接头和开关内的多级切换，本文件仅对波长开关端口到端口的光学性能予以规定。 本文件未规定系统控制和监控的硬件和软件。波长开关组件可能含其他功能部件（如光纤接头或波长监控），由此引起的任何开关性能的劣化在波长开关规范中予以考虑。

适用范围：本文件描述了电子/空穴功能材料纯度的测试方法，主要包括电子/空穴功能材料的主物质含量、金属元素(锂、镁、钾、钙、铬、铁、镍、铜、钯、银、锡、钡等)、卤族元素（氟、氯、溴)的测试方法。 本文件适用于各类有机发光显示用电子/空穴功能材料的研发生产、应用验证、检验检测和行业管理等。

适用范围：本文件描述了液晶显示用液晶配向膜的透过率、折射率、膜面硬度、体积电阻率、相对介电常数、介质损耗、热分解温度、玻璃化转变温度及吸水率的测试方法。 本文件适用于液晶显示用液晶配向膜的研发、生产、检验检测和应用验证。

适用范围：本文件描述了液晶显示用液晶配向膜光电性能的试验方法。 本文件适用于液晶显示用液晶配向膜的研发、生产、检验检测和应用验证。

适用范围：本文件描述了有机发光显示用电子/空穴功能材料光学性能的测试方法，主要包括材料紫外可见吸收光谱、荧光光谱、磷光光谱以及所制备的有机发光二极管的折射率和消光系数、色度、亮度、发光效率、亮度老化等光学性能的测试方法。 本文件适用于各类有机发光显示用电子/空穴功能材料（以下简称“有机功能材料”)的研发生产、应用验证、检验检测等。

适用范围：本文件描述了有机发光电子/空穴功能材料的熔点、玻璃化转变温度、热稳定性测试方法。 本文件适用于各类有机发光显示用电子/空穴功能材料的研发生产、应用验证、检验检测等。

适用范围：本文件规定了半导体行业用电子级四(二甲氨基)钛的技术要求、检验规则、包装、标志及随货资料、运输、贮存及安全信息的要求,描述了相应的检测方法。 本文件适用于沉积氮化钛、氧化钛、碳化钛和钛掺杂物等钛基薄膜的电子级四(二甲氨基)钛。

适用范围：T/CSA 100—2025《Micro-LED芯片光电性能测试方法》描述了单色Micro-LED芯片的光电性能测试方法。文件适用于发光台面(mesa)的长边边长（或直径）在1 μm～50 μm范围内的单色Micro-LED芯片的光电性能测试评估

适用范围：T/CSA 099—2025《Micro-LED芯片外量子效率测试方法》描述了低功率（nW～μW）微型发光二极管（以下简称Micro-LED）的外量子效率（EQE）测量方法，包括：Micro-LED芯片的点测和LED封装的测试。本文件适用于Micro-LED的EQE的测量

适用范围：本文件提出了碳化硅器件在进行功率循环试验时需要遵循的方法和步骤。 本文件适用于碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）、碳化硅（SiC）二极管以及二者混 合封装器件的测试。 本文件规定了碳化硅（SiC）二极管器件、碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）器件以及二者混合封装的器件，在进行功率循环试验时，需要遵循的方法和步骤

适用范围：本文件描述了压电陶瓷材料长条横向长度伸缩振动模式的介电、压电和弹性性能的测试方法。 本文件适用于压电陶瓷材料长条横向长度伸缩振动模式参数性能的测试。

适用范围：本文件描述了压电陶瓷振子频率温度稳定性的测试方法。 本文件适用于测试圆片径向伸缩振动模式和长条横向长度伸缩振动模式的压电陶瓷振子的串联谐振频率和并联谐振频率的温度稳定性，其他压电陶瓷振子参照使用。