适用范围：本文件规定了用于有线电视混合光纤同轴传输网络全集成砷化镓射频接收芯片（以下简称为“芯片”）的系统原理、技术要求、试验方法、检验规则与包装、标志、产品说明和贮存要求。 本文件适用于有线电视信号传输领域的全集成砷化镓射频接收芯片的设计、研制、检测和验收。 本文件规定了用于有线电视混合光纤同轴传输网络全集成砷化镓射频接收芯片（以下简称为“芯片”）的系统原理、技术要求、试验方法、检验规则与包装、标志、产品说明和贮存要求。 本文件适用于有线电视信号传输领域的全集成砷化镓射频接收芯片的设计、研制、检测和验收

适用范围：本文件描述了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）主要直流参数的测试方法。 本文件适用于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的测试

适用范围：本文件规定了磁耦合器和电容耦合器的术语、基本额定值、特性、安全试验及测试方法，确定了基本绝缘和加强绝缘的磁耦合器和电容耦合器的原理、隔离要求以及隔离特性。 本文件适用于各类采用磁性或电容耦合原理实现电路间信号传输与电气隔离的半导体器件。

适用范围：本文件给出了声表面波滤波器在电信、测量设备、雷达系统和消费类产品使用中的实践指导。一般信息、标准值和测试条件参见IEC 60862-1。 声表面波滤波器目前被广泛应用于电视、卫星通信、光纤和移动通信等领域。由于这些声表面波滤波器具有各种不同的性能指标，所以可以被划分成一些基本类别。 本文件包括各种结构的声表面波滤波器，其工作频率范围大约为10 MHz～3.5 GHz，相对带宽为0.02%～50%。 本文件的目的不在于解释原理，也不试图涵盖实际情况下所有可能发生的问题。本文件旨在就用户订购一种新用途声表面波滤波器之前需考虑的一些基本问题加以阐述，从而使用户获得性能符合要求的产品。 IEC 60862（所有部分）给出的规范以及由生产商发布的详细规范，规定了标称频率、通带带宽、通带波动、矩形系数以及终端阻抗等指标。这些规范列举了大量的具有典型性能的各种声表面波滤波器。不能过分强调用户在任何情况下都应从这些规范中选择声表面波滤波器。当有条件时，用户可以稍微改变其电路，以便能够使用标准的声表面波滤波器，特别是对标称频率的选择。

适用范围：本文件规定了表面安装金属化聚萘二甲酸乙二醇酯膜介质直流固定电容器基于评定水平EZ的性能检验的要求。 本文件适用于表面安装金属化聚萘二甲酸乙二醇酯膜介质直流固定电容器。

适用范围：本文件描述了评估集成电路（IC）表面或附近的近电场、近磁场或近电磁场分量的测量方法。本测量方法旨在用于IC的架构分析，例如平面规划和配电优化。本测量方法也适用于测量扫描探头能够靠近的、安装在任何电路板上的IC。某些情况下，本测量方法不仅能扫描IC，还能扫描IC的环境。为了对比不同IC的表面扫描发射，宜使用IEC 61967-1规定的标准试验板。 本测量方法提供了IC上方的电场或磁场的近场发射图。测量探头的性能和探头定位系统的精度决定了测量的分辨率。本方法预期使用的最高频率为6 GHz。使用现有探头技术可以扩展上限频率范围，但这超出了本文件的范围。测量能在频域进行，也能在时域进行。

适用范围：本文件描述了一种测量集成电路（IC）电磁辐射的方法。受试IC需安装在一块IC试验印制电路板（PCB）上，该PCB固定在横电磁波（TEM）小室或者吉赫兹横电磁波（GTEM）小室顶部或底部切割出的一个匹配端口（称为壳体端口）上。该PCB不像通常用法位于小室内，而是作为小室壁面的一部分。本方法适用于任何修改后增加了壳体端口的TEM小室或GTEM小室（见附录B）。但是，被测的射频（RF）电压将会受到很多因素的影响。影响被测RF电压的主要因素是芯板和IC试验PCB（小室壳体）之间的距离。 本方法使用1 GHz TEM小室（芯板与地平面距离为45 mm）和GTEM小室（芯板与匹配端口区域地平面平均距离为45 mm）进行试验。其他小室或许不用产生同样的频谱输出，但只要频率和灵敏度特性允许，也能用作比较测量使用。对于地平面与芯板间距不同的TEM小室或GTEM小室产生的测量数据，在应用修正系数后再进行比较。 IC试验PCB控制着工作的IC相对于小室的几何位置和方向，避免了IC在小室内的任何电缆连接（这些线缆布置于PCB背面，位于小室外部）。TEM小室的一个50 Ω端口端接50 Ω负载。TEM小室的另一个50 Ω端口或GTEM小室的唯一一个50 Ω端口，连接到频谱分析仪或接收机的输入端，用以测量IC产生的并传递在小室芯板上的射频发射。

适用范围：本文件规定了利用数字处理单元和传感器与外部终端模块之间双向通信手段实现传感功能、数据处理功能和数据输出功能的传感器的控制方案。

适用范围：本文件提供了集成电路的传导和辐射电磁发射测量的通用信息和定义，同时也给出了试验条件、试验设备、试验布置、试验程序和试验报告内容的描述。附录A中给出了试验方法的对照表，以帮助选择适当的测量方法。 本文件的目的是描述通用条件，建立一个统一的测试环境以定量测量来自集成电路(IC)的射频(RF)骚扰。本文件描述了影响试验结果的关键参数。若与本文件的描述有所偏离，需在试验报告中明确注明。测量结果能用于产品比较或其他用途。 通过对受控条件下IC产生的辐射射频骚扰或传导射频发射的电压和电流的测量，获得IC应用过程中可能产生的射频骚扰信息。 IEC 61967的每个部分规定了所适用的频率范围。

适用范围：本文件规定了集成电路（IC）的宏模型以仿真印制电路板上的传导电磁发射。该模型通常称为集成电路发射模型-传导发射（ICEM-CE）。 ICEM-CE宏模型能用于对IC晶片、功能块和知识产权（IP）块进行建模。 ICEM-CE宏模型还能用于对数字IC和模拟IC进行建模。

适用范围：本文件描述了使用带状线测量集成电路（IC）电磁辐射发射的方法。被评估IC安装在IC带状线结构的有效导体和地平面之间的EMC试验板（PCB）上。

适用范围：本文件规定了加速度计的特性、基本额定值，描述了相应的测量方法。 本文件适用于所有类型的半导体加速度计产品。 本文件不仅适用于典型内置电路的半导体加速度计，也适用于外置电路的半导体加速度计。 本文件不违反（或妨碍）客户和供应商之间以新业务模型或业务数据签订的商业协议。

适用范围：本文件规定了用于质量评定或任何其他用途的电子元件分规范和详细规范中使用的标准术语、检验程序，描述了相应的试验方法。 本文件适用于电气和电子设备直流电路的固定双电层电容器(以下简称“电容器”)。

适用范围：本文件规定了金属化聚萘二甲酸乙二醇酯膜介质直流固定电容器的术语和定义、优先额定值和特性,并从GB/T 6346.1-2024中选择适用的质量评定程序、试验和测量方法,以及给出这类电容器的一般性能要求。引用本文件的详细规范中规定的试验严酷等级和要求具有相同或更高的性能水平。不准许降低性能水平。 本文件适用于电子设备用的以金属化层为电极和以聚萘二甲酸乙二醇酯(以下简称聚萘酯)膜为介质的表面安装直流固定电容器。这种电容器具有金属连接端或者焊锡面,能直接安装到混合电路基板上或者印刷电路板上。这类电容器具有基于使用条件的“自愈特性”。它们主要用于交流分量小于额定电压的场合。 本文件不包括抑制电源电磁干扰用电容器,这类电容器属于GB/T 6346.14所覆盖范围。

适用范围：本文件描述了应用于半导体器件封装用有机材料的潮气扩散率和水溶解度的测量方法。 潮气扩散率和水溶解度两个参数是有效表征塑封半导体器件暴露于潮湿环境和经受高温回流焊之后可靠性的重要参数。

适用范围：本文件规定了推导仿真集成电路(IC)辐射发射电平的宏模型的方法。该模型通常称为集成电路发射模型-辐射发射(ICEM-RE)。该模型旨在用于当测量或仿真的数据不能直接导入仿真工具时对整个IC进行建模,无论其是否有相关封装、功能块以及模拟和数字IC(输入/输出引脚、数字核和电源)的知识产权(IP)块。 本文件提出的IC宏模型将导入三维电磁仿真工具中,以便: ● 预测IC的近场辐射发射; ● 评估辐射发射对邻近IC、电缆、传输线等的影响。 本文件包括两个主要部分: ● 第一部分是ICEM-RE宏模型元素的电气描述; ● 第二部分提出了一种基于XML称为REML的通用数据交换格式,这种格式以更实用和通用的形式对ICEM-RE进行编码以仿真发射。

适用范围：本文件规定了嵌入无源或有源元器件基板的测试方法。 本文件适用于采用有机材料制造的嵌入无源或有源元器件基板的测试。

适用范围：本文件规定了频率控制和选择压电元件用人造石英晶体和光学用人造石英晶体的术语和定义、技术要求、测量方法、检验规则及使用指南。 本文件适用于制造频率控制和选择压电元件用人造石英晶体（以下简称“压电晶体”）和光学用人造石英晶体（以下简称“光学晶体”）。

适用范围：本文件规定了功率型双电层电容器优先额定值和特性，并从GB/T 46822.1—2025中选择适用的质量评定程序、试验和测量方法，以及给出这类电容器的一般性能要求。引用本文件的详细规范中规定的试验严酷等级和要求提供了相同或更高的性能水平。 本文件适用于功率型双电层电容器。 功率型双电层电容器适用于需要毫安（mA）到安（A）范围内放电电流的应用。电容器的特性包括相对较高的电容量和较低的内阻等性能，适用于GB/T 46822.1—2025中规定测量分类中的3类和5类。 功率密度的计算程序见附录A。

适用范围：本文件规定了适用于IEC 61837（所有部分)定义的无引线表面贴装石英晶体元件的测量夹具。这些测量夹具按照IEC 604445规定的测量技术，测量(串联)谐振频率、(串联)谐振电阻和等效电路参数L1、C1和C0，负载谐振频率和负载谐振电阻是在IEC 60444-4和IEC 60444-11中确定的。