适用范围：本部分规定了高纯铝中铁、钛、镓、铜、锌、铅、铟、镉、银、钴、钼、锑、铋等痕量元素含量的测定方法。

适用范围：本标准规定了用氨气加速试验检测铜及铜合金加工材中残余应力（包括外加应力）的方法。这种应力均可导致材料在使用或储存过程中因应力腐蚀破裂而损坏。 本标准适用于黄铜加工材残余应力的检验，也适用于组装件和零部件（有限尺寸）的检验。

适用范围：本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基硼的检验。 本标准检测杂质浓度有效范围：0.002×10-9～100×10-9。

适用范围：本标准适用于多晶硅沉积在硅芯上生长的多晶硅棒基磷的检验。 本标准检测杂质浓度的有效范围：0.002×10-9~100×10-9。

适用范围：本标准规定了用直排四探针法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。 本标准适用于厚度小于探针平均间距、直径大于15 mm、电阻率为1×10－3 Ω·cm～3×103 Ω·cm硅单晶圆片径向电阻率变化的测量。

适用范围：本标准规定了铝及铝合金中合金元素及杂质的光电直读发射光谱分析方法。 本标准适用于分析棒状或块状试样中硅、铁、铜、锰、镁、铬、镍、锌、钛、镓、钒、锆、铍、铅、锡、锑、铋、锶、铈、钙、磷、镉、砷、钠24个元素的光电直读发射光谱测定。测定范围见表1。

适用范围：GB/T 18876的本部分规定了依据GB/T 10561—2005/ISO 4967:1998应用自动图像分析对非金属夹杂物的级别进行测定的各种步骤。同时以附录A和附录B的形式给出按GB/T 18254—2002或ASTM E45—97(2002)标准测定非金属夹杂物级别所需的参数及公式。 1.1 本部分仅作为推荐的试验方法,不对任何钢或其他金属的验收合格级别进行规定。 1.2 本部分并未说明与应用有关的安全事项。用户有责任建立正确的安全与健康条例,并在应用本部分前确定条例规定的适用性。

适用范围：1.1 本标准适用于检验金属的均匀性，无论是固态的，或粉末状的，还是磨得很细的氧化物材料，这些材料是准备在X射线发射光谱分析中，或光学发射光谱分析中，或在两者中用作参考物质。但作为标准样品合格的判断标准，必须由使用者预先确定以满足其特定的需要。 1.2 本标准主要是为以X射线发射光谱法或光学发射光谱法，或兼用两法检验样品而设计的。然而，该规则可能容易地为其它仪器方法如原子吸收分光光度测定法所采用。 1.3 只要信号与背景比不是限制因素，本标准可以适用于一个样品中的一个或多个元素。 1.4 如想通过使用一个控制用参考物质校正仪器中随着时间产生的系统漂移或周期性(正弦式的〕漂移，本规则包括这一种方法。 注1：注意，如果存在严重的漂移(例如不稳定的电源，X射线管等)，可以从数据分析得到。 1.5 本标准可能涉及到危险材料、操作和设备。本标准无意提出与其使用有关的全部安全问题。在应用前查阅和建立适当的安全和卫生规则并确定管理界限的适用范围是使用本标准者的责任

适用范围：1.1 本标准为光谱化学分析工作曲线的确定和控制提供指南。虽然分析工作曲线的确定和日常控制操作上相互关联，但应分开考虑。本规则适用于线性或对数读出方式的光学摄谱仪、光学光谱仪和X射线发射光谱仪。 1.2 无论如何，该标准不表示它可以随意地应用于任何地方。建立恰当、安全、完善的应用规则，优先确定受该规则界限限制的使用范围，是该标准使用者使用该标准的前提

适用范围：本标准适用于位错密度为（0～100000）个/cm2 的砷化镓单晶的位错密度的测量。检测面为{111}面和{100}面。

适用范围：本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶中的间隙氧含量的方法。 本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。 本标准测量氧含量的有效范围从1×1016at·cm-3到硅中间隙氧的最大固溶度。

适用范围：本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。 本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量，但该方法也可适用于其他半导体单晶材料，一般情况下，适用于室温电阻率高达 104Ω·cm 半导体单晶材料的测试。

适用范围：本标准适用于位错密度0cm-2～100000 cm-2 的n型和p型锗单晶棒或片的位错密度或其他缺陷的测量。观察面为（111）、（100）和（113）面。

适用范围：本标准适用于掺杂砷化镓单晶中载流子浓度的测量。测量范围： n-GaAs 1.0×10 17 cm -3～1.0×10 19 cm -3 p-GaAs 2.0×10 18 cm -3～1.0×10 20 cm -3

适用范围：本标准规定了砷化镓外延层载流子浓度电容电压测量方法，适用于砷化镓外延层基体材料中载流子浓度的测量。测量范围：1×1014 cm-3～5×1017 cm-3。

适用范围：本标准适用于砷化镓外延片外延层厚度的测量，测量厚度大于2μm。要求衬底材料的电阻率小于0.02Ω·cm，外延层的电阻率大于0.1Ω·cm。

适用范围：本标准规定了用单片磁导计测量电工钢片（带）小单片试样的磁化装置、取样、试样、测量装置、测量、等效磁路长度的确定、测量结果的不确定度等