适用范围：GB/T 14849的本部分规定了工业硅中钙含量的测定方法。 本部分适用于工业硅中钙含量的测定，测定范围为：0.005 0%～0.55%。

适用范围：GB/T 14849的本部分规定了工业硅中铁含量的测定方法。 本部分适用于工业硅中铁含量的测定。测定范围为：0.050%～0.75%。

适用范围：本标准规定了硅中氯离子含量的离子色谱测定方法。 本标准适用于测定棒状、块状、颗粒状和片状硅中氯离子含量的测定。测定范围为1.0 μg/g至硅中氯离子的最大固溶度。

适用范围：GB/T 37211的本部分规定了还原锗锭、还原锗粉、区熔锗锭及其废料、锗单晶及其废料等锗金属中铝、铁、铜、镍、铅、钙、镁、钴、铟、锌含量的测定方法。 本部分适用于金属锗中杂质元素铝、铁、铜、镍、铅、钙、镁、钴、铟、锌等含量的测定。测定范围：0.005×10-4%～1.00×10-4%。

适用范围：GB/T 37211的本部分规定了还原锗锭、还原锗粉、区熔锗锭及其废料、锗单晶及其废料等锗金属中杂质元素砷含量的测定方法。 本部分适用于锗金属中杂质元素砷含量的测定。测定范围：0.1×10-4 %～1.0×10-4 %。

适用范围：本标准规定了多晶硅中基磷含量的检验方法。本标准适用于在硅芯上沉积生长的多晶硅棒中基磷含量（原子数)的测定，测定范围为0.01×1013 cm-3～500×1013 cm-3。

适用范围：本标准规定了电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS)测定电子级多晶硅中痕量基体金属杂质含量的方法。 本标准适用于GB/T 12963中在基体金属杂质小于5 ng/g范围内铁、铬、镍、铜、锌、钠含量的测定。

适用范围：本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶晶体中间隙氧含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中间隙氧含量的测定。以常温红外设备测试时，氧含量（原子数）测试范围从1×1016 cm－3到硅中间隙氧的最大固溶度；以低温红外设备测试时，氧含量(原子数)的测试范围从0.5×1015 cm-3到硅中间隙氧的最大固溶度。

适用范围：本标准规定了多晶硅中基硼含量的测试方法。本标准适用于在硅芯上沉积生长的多晶硅棒中基硼含量的测定。基硼含量（原子数）测定范围为0.01×1013 cm－3～5×1015 cm－3。

适用范围：本标准规定了用区熔法和光谱分析法评价颗粒状多晶硅的代位碳原子浓度、施主杂质浓度和受主杂质浓度的方法。本标准适用于尺寸为600 μm～3 000 μm的颗粒状多晶硅，其他尺寸的颗粒状多晶硅可参照本标准执行。

适用范围：本标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的测定。本标准测定碳、氧含量的有效范围从5×1014 atoms·cm-3(0.01 ppma)到硅中代位碳和间隙氧的最大固溶度。

适用范围：本标准规定了蓝宝石抛光衬底片表面深度为5 nm以内的残留金属元素的全反射X光荧光光谱测试方法。本标准适用于蓝宝石抛光衬底片表面残留的、在元素周期表中11(Na)～92(U)号（除去铝和氧)，且面密度在109 atoms/cm2～1015 atoms/cm2范围内元素的定量测量。其他用途蓝宝石抛光片表面残留金属元素的测量可参照本标准执行。

适用范围：1.1 本标准规定了使用全反射X光荧光光谱定量测定硅抛光衬底表面层的元素面密度的方法。本标准适用于硅单晶抛光片、外延片(以下称硅片)尤其适用于硅片清洗后自然氧化层或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定测定范围为109 atoms/cm2~1015 atoms/cm2。本标准同样适用于其他半导体材料如砷化镓、碳化硅、SOI等镜面抛光晶片表面金属沾污的测定。 1.2 对良好的镜面抛光表面可探测深度约5nm分析深度随表面粗糙度的改善而增大。 1.3 本方法可检测元素周期表中原子序数16(S)~92(U)的元素尤其适用于测定以下元素：钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅。 1.4 本方法的检测限取决于原子序数、激励能、激励X射线的光通量、设备的本底积分时间以及空白值。对恒定的设备参数无干扰检测限是元素原子序数的函数其变化超过两个数量级。重复性和检测限的关系见附录A。 1.5 本方法是非破坏性的是对其他测试方法的补充与不同表面金属测试方法的比较及校准样品的标定参见附录B。

适用范围：本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于106 Ω·cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。

适用范围：本标准规定了半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于106Ω·cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的测定。测量范围：室温下从1.0×1015 atoms/cm3到代位碳原子的最大溶解度，77 K时检测下限为4.0×1014 atoms/cm3。

适用范围：1.1本标准定性的提供了判定硅片基准切口是否满足标准限度要求的非破坏性测试方法。本方法的测试原理同样适用于其他切口尺寸的测量。 1.2本标准中物体平面尺寸为0.1mm时，通过20倍的放大后会在投影屏上形成2.0mm的影像，通过50倍放大后会产生5.0mm的投影。本方法可以发现切口轮廓上的最小尺寸细节。 1.3本标准不提供切口顶端的曲率半径的测试。

适用范围：本标准规定了用直流四探针法测量锗单晶电阻率的方法。 本标准适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的4倍锗单晶的电阻率以及测量直径大于探针间距的10倍、厚度小于探针间距4倍锗单晶圆片（简称圆片）的电阻率。测量范围为1×10-3Ω·cm～1×102Ω·cm。

适用范围：1.1本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。 1.2本标准适用于GaAs、InP（GaP、GaSb可参照进行）等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。