适用范围：本文件描述了在俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)中使用惰性气体离子的离子束对准方法,以确保溅射深度剖析中的良好深度分辨和表面的最佳清洁。这些方法有两类:一类是用法拉第杯测量离子束流;另一类是成像方法。其中,法拉第杯法还规定了离子束流密度和束流分布的测量要求。 本文件适用于束斑直径小于或等于1 mm 的离子枪,但不包括深度分辨优化。

适用范围：本文件举例描述了ISO/TC 201专业范围内有助于表征生产生物传感装置基底性质的表面化学分析方法。成功的表征使人们有机会更好地了解生产过程中每个步骤的表面化学反应,这些特性将影响最终器件(如微阵列)的整体性能。制备的步骤包括连接分子固定用于基底活化,以及用生物传感(即所谓的探针)所需的特异性生物分子对活化的基底进行功能化修饰。 玻片的硅烷基功能化是生物传感玻璃基底研究的重点,也是后续固定探针分子的关键生产步骤。固定好的探针用于传感生物识别事件。选择硅烷化过程是因为它是目前生物传感器生产中最受欢迎的方法之一。 本文件概述了识别基底、器件生产步骤(如清洁、活化和化学修饰)和有效期(如储存条件和老化)相关问题可能来源的方法、策略和指南。这些与表征玻璃基底生物传感器的表面化学分析人员和生物传感装置生产领域的开发人员或质量管理者均特别相关。基于定量和定性表面化学分析,能制定策略来确认器件制造中性能不佳的原因,并加以实施。本文件展示了当前技术的研究深度,以及ISO/TC 201未来更具体工作的潜在出发点,这些工作最终将形成标准化的测量程序。 本文件未讨论具体的处理方案。如需了解有关方案的更多信息,请参考专业文献,例如参考文献[1]~参考文献[9]。

适用范围：本文件描述了利用X射线光电子能谱(XPS)测量导电碳基材料结合能的方法。 本文件适用于碳纳米管、石墨烯、石墨等导电碳基材料结合能的测量。

适用范围：本文件界定了光学界面分析领域(包括椭偏测量、拉曼光谱和非线性光学)的表面化学分析术语,以及普通光学术语。 本文件适用于表面化学分析中光学界面分析相关的教学、科研、设计、制造、编写相关技术文件和书刊以及技术交流。

适用范围：本文件描述了使用中能离子散射术（MEIS）对硅基底上无定形重金属氧化物超薄膜进行定量深度剖析的方法。

适用范围：本文件描述了使用原子力显微镜（AFM）测量柔顺材料弹性模量的程序。通过测量柔顺材料表面的力-距离曲线，并使用基于JKR模型理论的两点法进行分析。 本文件适用于弹性模量范围为100 kPa～1 GPa的柔顺材料。空间分辨取决于AFM探针和表面之间的接触半径，通常约为10 nm～20 nm。

适用范围：本文件描述了一种通过对尺寸比预期分辨小得多的物体成像来测定共聚焦荧光显微镜（CFM）横向分辨的方法。

适用范围：本文件描述了使用电子能谱技术确定“核-壳”纳米颗粒(包括一些变体和非理想形态)包覆层厚度和化学组成的方法。明确了每种方法的假设、挑战和不确定性。本文件还描述了电子能谱用于纳米颗粒样品常规分析的规程和问题,特别是它们对包覆层厚度测量的重要性。 本文件重点介绍了电子能谱技术的使用,特别是X射线光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)和基于同步辐射的方法。这些方法不能提供准确分析所需的所有信息,因此,本文件概述了一些附加的分析方法,在一定程度上有助于解释电子能谱数据。

适用范围：本文件给出了辉光放电质谱(GD-MS)的操作和使用程序。目前在用的几种GD-MS系统来自不同的制造商，本文件描述了所适用操作程序的差异。 注： 本文件旨在配合仪器制造商的操作手册和推荐内容使用。

适用范围：本文件规定了基于模型数据库(MBL)方法通过测长扫描电子显微镜(CD-SEM)成像来测定晶圆和光掩膜的关键尺寸(CD)值所需的结构模型、相关参数、文件格式和拟合程序。 本文件适用于试样的线宽测定，如晶圆上的栅极、光掩膜、单个孤立或密集排列的线特征图案，最小达10 nm。

适用范围：本文件确立了使用杜马斯燃烧法定氮仪进行定量分析的通用规则。 本文件适用于样品(气体除外)中总氮含量的测定。

适用范围：本文件规定了用于表征AFM探针形状，特别是柄和近尖端轮廓的两种方法。这两种方法分别通过将AFM探针尖轮廓投影到指定平面上，或者在确定的操作条件下将探针柄的特征投影到该平面上来实现。其中，后一种方法可以给出探针用于狭窄沟槽和类似轮廓结构的深度测量时的有效性。本文件适用于半径大于5u0的探针，其中u0是用于表征探针的参考样品脊形结构宽度的不确定度。

适用范围：本文件提供了在表面化学分析前生物材料样品的处理、安装和表面处理方法的指导。其目的是帮助分析人员了解在进行分析时，使用如下技术对特殊样品处理所需的条件： ——X射线光电子能谱(XPS)或化学分析电子能谱 (ESCA)； ——二次离子质谱 (SIMS)； ——俄歇电子能谱(AES)。 所提出的方法也适用于其他对表面组成分析灵敏的技术，如： ——衰减全反射傅里叶变换红外光谱 (ATR-FTIR)； ——全反射X射线荧光光谱(TXRF)； ——紫外光电子能谱 (UPS)。 本文件阐述了所用真空条件的影响和检测前后及植入前后的污染问题，以及在检测过程中与污染相关的问题。这里的生物材料包括硬质和软质，如金属、陶瓷、支架和聚合物。 本文件不包括诸如细胞、组织和生物体等活体生物材料。本文件中不涵盖的其他相关主题还包括电子显微镜或光学显微镜的样品制备。

适用范围：本文件描述了对材料薄膜进行协助表面分析的方法，这些薄膜不含有碳化合物作为预期成分，但在全扫描谱中观察到C 1s峰。这些薄膜可通过有氧或电化学氧化在金属和合金上生成，也可沉积在惰性基底上的。所述程序不适用于在基底上颗粒的不连续沉积。除此之外，还提供了一个可从含碳的表面污染物中识别C 1s信号的简单程序。当C 1s峰被确定为来自于外来的覆盖层时，从全谱中得出的成分可针对其影响进行校正。建议的程序以“如果-则”格式的简单规则结构形式所提供，目的是让它们所包含的信息可被数据系统中的自动化程序所利用。所提供的规则仅利用从XPS全扫描（谱）中检索的信息。

适用范围：本文件描述了在常规分析条件下从特定样品获得的X射线光电子能谱(XPS)数据中评估元素检测限并给出报告的程序。本文件适用于均匀材料，对XPS信息深度内元素深度分布不均匀的材料不适用。

适用范围：本文件规定了X射线光电子能谱(XPS)分析中，由X射线辐照导致试样元素组成或化学态的非预期性损伤的识别、评估和校正方法的要求。 本文件仅适用于X射线引起的非预期性损伤，导致光电子谱峰强度的降低或增加小于30%。本文件不涉及不同类型材料之间的比较，也不涉及发生损伤的机制、深度或化学性质。

适用范围：本文件提供了使用适当的单层和多层参考物质优化溅射深度分析参数的指导和要求，以便优化俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和二次离子质谱中的仪器设置，实现最佳深度分辨。 本文件不涵盖特殊多层膜系（例如δ掺杂层）的使用。

适用范围：本文件描述了在单离子计数飞行时间二次离子质谱仪中，通过测量基于聚四氟乙烯（PTFE）质谱中的同位素比值，从而确定强度标线性偏差可接受限的最大计数率的方法。本文件还包括校正强度非线性的方法，强度的非线性是由在死时间内到达微通道板（MCP）或闪烁体和光电倍增器随后进入时间数字转换器（TDC）的二次离子强度损失引起的。该校正可将95％线性的强度范围增加到50倍以上，因此对于那些已证实相关校正公式有效的质谱仪，可以采用更高的最大计数率。

适用范围：本文件详细说明了用标定的均匀掺杂物质（用注入硼的参考物质校准）确定单晶硅中硼的原子浓度的二次离子质谱方法。它适用于均匀掺杂硼浓度范围从1×1016 atoms/cm3～1×1020 atoms/cm3。

适用范围：本文件规定了X射线光电子能谱（XPS）的一般表面分析方法的通用要求。 本文件界定了XPS相关的表面化学分析术语。 本文件适用于X射线光电子能谱仪。