适用范围：本文件描述了硅基MEMS制造技术中所涉及的纳尺度膜结构沿厚度方向冲击试验的要求和试验方法。本文件适用于采用微电子工艺制造的纳尺度结构在一次冲击负荷作用下的耐冲击性能的测试。

适用范围：本文件规定了半导体集成电路中直接数字频率合成器（以下简称“器件”）电特性的通用测试方法。本文件适用于单通道及多通道直接数字频率合成器电路的测试。

适用范围：本文件界定了电子罗盘的术语和定义，规定了基本额定值和特性，描述了相应测试方法。本文件适用于由磁传感器和加速度传感器组成的电子罗盘，或单独由磁传感器组成的电子罗盘。本文件适用于移动电子设备用电子罗盘。 对于海洋电子罗盘的相关要求见ISO 11606。 本文件适用的电子罗盘种类包括两轴电子罗盘、三轴电子罗盘和六轴电子罗盘等。

适用范围：本文件规定了片上系统（SoC）的技术要求、电测试方法和检验规则。 本文件适用于片上系统（SoC）的设计、制造、采购、验收。

适用范围：本文件规定了混频器的分类、技术要求、电特性测试方法和检验规则等。本文件适用于采用半导体集成电路工艺设计制造混频器的设计、制造、采购和验收。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了集成电路仿真波形数据的技术要求，包括信号类型、数据类型、压缩率要求、精度要求和模块设计要求，描述模拟和数字波形的压缩和解压算法、预测算法和存储格式等技术要求。本文件适用于电子设计自动化中的电路仿真工具波形数据的编码与解码

适用范围：主要技术内容:本文件界定了交换机与服务器中所使用的共封装收发器系统架构，规定了与共封装光收发器相关的交换机与服务器网络接口卡的总体布局、光学特性、电学特性、数字管理接口、机械结构等技术要求。本文件适用于采用共封装收发器技术的微电子芯片光互连接口

适用范围：范围:本文件适用于车规级电源管理芯片的生产制造; 主要技术内容:本文件规定了车规级电源管理芯片的基本要求、技术要求、芯片测试、检验规则、标志、包装、运输及贮存等内容

适用范围：范围:本文件适用于半导体集成电路塑料小外形封装冲制型引线框架; 主要技术内容:本文件规定了半导体集成电路塑料小外形封装冲制型引线框架的术语与定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输与贮存

适用范围：本文件界定了用于射频控制和选择的MEMS体声波谐振器、滤波器和双工器的术语和定义，给出了基本额定值和特性，描述了测试方法，用于评估和确定其性能。本文件规定了体声波谐振器、滤波器和双工器的试验方法和通用要求，用于能力批准程序或鉴定批准程序的质量评定。

适用范围：本文件规定了焊球阵列（BGA）封装的尺寸测量方法。 本文件规定的测量方法，在符合下述约定条件下，为用户提供尺寸保证： a) 测量一般采用手工或自动方式进行； b) 如果某个尺寸不易直接测量，则最佳的替代测量方法将被确定为首选方法。

适用范围：本文件界定了用于评估和确定射频MEMS开关的基本额定值和特性的术语、定义和符号，描述了参数测试方法。本文件适用于各种类型的射频MEMS开关，射频MEMS开关的一般说明见附录A。按接触方式分类，包括直流触点型开关和电容触点型开关；按结构分类，包括串联开关和并联开关，射频MEMS开关的几何结构说明见附录B；按开关网络分类，包括单刀单掷开关、单刀双掷开关和双刀双掷开关等；按驱动方式分类，包括静电驱动开关、热电驱动开关、电磁驱动开关和压电驱动开关等。射频MEMS开关在多频带或多模式移动电话、智能雷达系统、可重构射频器件和系统、SDR（软件无线电）电话、测试设备、可调谐器件和系统、卫星等方面应用广泛，射频MEMS开关的应用说明见附录E。

适用范围：范围:本文件适用于88 MHz～2000 MHz混合集成电路用压控振荡器的制造和检验; 主要技术内容:本文件规定了混合集成电路用压控振荡器的使用条件、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存

适用范围：主要技术内容:本标准规定了半导体设备零部件化学清洗工艺规范的术语定义、技术要求以及化学清洗工艺方法。本标准适用于半导体设备零部件的化学清洗工艺

适用范围：主要技术内容:本标准规定了半导体设备零部件阳极氧化工艺规范的术语与定义、技术要求、阳极氧化工艺方法。本标准适用于半导体设备零部件的阳极氧化工艺

适用范围：本文件规定了相变存储器件单元的电性能测试方法，分为器件性能测试和器件可靠性测试，器件性能测试包括电流电压特性、存储窗口、置位时间、置位电压、复位时间、复位电压、功耗；器件可靠性测试包括耐久和数据保持时间。本文件适用于相变存储器件单元（以下简称器件）。

适用范围：范围:本文件规定了相变存储单元器件的电性能测试方法，分为器件性能测试和器件可靠性测试，器件性能测试包括电流-电压特性、存储窗口、置位时间、置位电压、复位时间、复位电压、功耗；器件可靠性测试包括耐久性和数据保持时间。 本文件适用于相变存储单元器件（以下简称器件）; 主要技术内容:本文件规定了相变存储单元器件的电性能测试方法，分为器件性能测试和器件可靠性测试，器件性能测试包括电流-电压特性、存储窗口、置位时间、置位电压、复位时间、复位电压、功耗；器件可靠性测试包括耐久性和数据保持时间。本文件适用于相变存储单元器件（以下简称器件）

适用范围：主要技术内容:本文件规定了车载时间敏感网络通讯交换芯片的功能和性能要求。本文件适用于车载时间敏感网络通讯交换芯片的设计开发。其他领域的时间敏感网络通讯交换芯片可参照执行

适用范围：主要技术内容:本文件规定了计算机视觉领域面向云侧的深度学习训练芯片功能及性能各相关指标的技术要求，并描述了对应的测试方法。本文件适用于芯片生产厂商、应用厂商及第三方机构对计算机视觉领域面向云侧的深度学习训练芯片（包含AI芯片模组和AI加速卡等形态）进行设计、采购、评测

适用范围：主要技术内容:本文件规定了计算机视觉领域面向云侧的深度学习推理芯片的功能及性能指标的技术要求，并描述了对应的测试方法。本文件适用于芯片生产厂商、应用厂商及第三方机构对计算机视觉领域面向云侧的深度学习推理芯片（包含AI芯片模组和AI加速卡等形态）进行设计、采购、评测