GB/T 26069-2010 硅退火片规范

ICS29．045

H80

a亘

中华人民共和国国家标准

1

26069--200

GB／T

硅退火片规范

forsiliconannealedwafers

Specification

201201

1-01—10发布

丰瞀徽鬻瓣訾糌瞥霎发布中国国家标准化管理委员会促19

GB／T

前言

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(sAc／Tc203／SC2)负责

归口。

本标准起草单位：万向硅峰电子股份有限公司、有研半导体材料股份公司、宁波立立电子股份有限

公司和杭州海纳半导体有限公司共同负责起草。

本标准主要起草人：楼春兰、孙燕、朱兴萍、宫龙飞、王飞尧、黄笑容、方强、汪成生、程国庆。

GB／T

硅退火片规范

1范围

本标准规定了半导体器件和集成电路制造用硅退火抛光片的要求、试验方法、检验规则等。

nm、130nm和90nm工艺退火硅片。

本标准适用于线宽180

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文

件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB／T1550非本征半导体材料导电类型测试方法

GB／T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

GB／T

1555半导体单晶晶向测定方法

GB／T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB／T

GB／T4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

GB／T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法

GB／T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB／T6620硅片翘曲度非接触式测试方法

GB／T6621硅抛光片表面平整度测试方法

GB／T6624硅抛光片表面质量目测检验方法

GB／T

11073硅片径向电阻率变化的测量方法

GB／T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法

GB／T13388硅片参考面结晶学取向x射线测试方法

GB／T14140硅片直径测量方法

GB／T14144硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

GB／T14264半导体材料术语

GB／T19921硅抛光片表面颗粒测试方法

GB／T

24578硅片表面金属沾污的全反射x光荧光光谱测试方法

YS／T26硅片边缘轮廓检验方法

3术语和定义

GB／T14264中界定的术语和定义适用于本文件。

4要求

4．1产品分类

本标准将硅退火抛光片按线宽分为180nm、线宽130nlTl和线宽90nm三类。

GB／T26069--2010

4．2硅退火片的技术要求

硅退火片的技术要求具体见表1所示。

表1

18011113,Tlnl90nm

项目130

退火前硅片状态(抛光硅片)

1．0基本特性

1-1生长方式CZ／MCZ

1．2晶向<100>

1．3型号P型

1．4掺杂荆舶

1．5边缘去除3mm2mm

1．6其他掺杂剂氮或者碳由供需双方商定

1．7表面晶向偏差0．00。±1．OO。

2．0电学特性

2．1电阻率(中心点)供需双方商定

2．2径向电阻率变化≤20％

3．0